公开(公告)号：CN102282656A

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN201080004901.8

申请日：2010-11-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 齐藤太志郎 ,  甲斐隆行 ,  大熊崇文 ,  山西齐

IPC: H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及半导体装置的制造方法。半导体装置(1)具有：第二氧化膜(9)及焊盘电极(5)，其位于在半导体基板(2)的表面(2a)形成的第一氧化膜(8)上；接触电极(6)及第一势垒层(7)，其形成于第二氧化膜中且与焊盘电极连接；硅化物部(10)，其形成于接触电极和贯通电极层(12)之间且与接触电极及第一势垒层连接；通孔(11)，其自半导体基板的背面(2b)到达硅化物部及第二氧化膜；第三氧化膜(13)，其在通孔的侧壁及半导体基板的背面形成；第二势垒层(14)及再配线层(15)，其在通孔的内部及半导体基板的背面形成且与硅化物部连接。

公开(公告)号：CN102282656B

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201080004901.8

申请日：2010-11-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 齐藤太志郎 ,  甲斐隆行 ,  大熊崇文 ,  山西齐

IPC: H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及半导体装置的制造方法。半导体装置(1)具有：第二氧化膜(9)及焊盘电极(5)，其位于在半导体基板(2)的表面(2a)形成的第一氧化膜(8)上；接触电极(6)及第一势垒层(7)，其形成于第二氧化膜中且与焊盘电极连接；硅化物部(10)，其形成于接触电极和贯通电极层(12)之间且与接触电极及第一势垒层连接；通孔(11)，其自半导体基板的背面(2b)到达硅化物部及第二氧化膜；第三氧化膜(13)，其在通孔的侧壁及半导体基板的背面形成；第二势垒层(14)及再配线层(15)，其在通孔的内部及半导体基板的背面形成且与硅化物部连接。

公开(公告)号：CN102473640A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201180003079.8

申请日：2011-03-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 泷井谦昌 ,  甲斐隆行 ,  齐藤太志郎 ,  大熊崇文

IPC: H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/525 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014

Abstract: 在具有贯通电极(19)的半导体装置及其制造方法中，具有以包围半导体基板(5)的背面的包括贯通电极(19)在内的再配线层(18)周围的方式将配线彼此绝缘的绝缘部形成用的虚设槽孔部(7b)，由此，为了将配线间绝缘，仅将存在于绝缘部形成用的虚设槽孔部(7b)的底部的金属层除去即可，能够实现处理时间的缩减。

公开(公告)号：CN102473639A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201180002447.7

申请日：2011-02-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 村岸勇夫 ,  甲斐隆行 ,  齐藤太志郎 ,  山本大辅 ,  小岩崎刚

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/60 ,  H01L23/12 ,  H01L23/52 ,  H01L27/00

CPC classification number: H01L24/03 ,  H01L21/486 ,  H01L21/76852 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 在基板(201)的表面及孔部(205)形成基底导电构件(207)，在基底导电构件(207)上且未形成导电材料层(209、210)的场所形成抗蚀层(208)。在形成有抗蚀层(208)的部分以外的部分形成导电材料层(209、210)，在导电材料层(209、210)上形成掩模金属(212)。然后，除去抗蚀层(208)，以掩模金属(212)为掩模对基底导电构件(207)进行蚀刻，使导电材料层(209、210)形成为规定的形状。

公开(公告)号：CN102017099A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200980115109.7

申请日：2009-12-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 甲斐隆行 ,  东和司 ,  北武司 ,  山西齐 ,  大熊崇文

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/3065 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/13024

Abstract: 本发明提供一种贯通电极的形成方法及半导体装置。利用贯通电极(3)将半导体基板(1)一侧的面(1a)的电极(5)和半导体基板另一侧的面(1b)连接。在半导体基板，自半导体基板另一侧的面至一侧的面的层间绝缘膜(2)形成通孔(6)，在通孔的侧面及底面、以及半导体基板另一侧的面上形成绝缘膜(4)，同时蚀刻加工所形成的通孔底面的绝缘膜及层间绝缘膜，从而以到达半导体基板一侧的面的电极的方式形成通孔。