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公开(公告)号：CN100468602C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200410057670.3
申请日：2004-08-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01J11/12 , C09K11/025 , C09K11/7734 , H01J11/42
Abstract: 本发明提供一种新型的PDP及其制造方法，利用例如氟化物的物理蒸镀，按照包覆荧光体微粒(7)的方式形成含氟预涂层，并向该预涂层供给氟，从而形成包覆荧光体微粒(7)的包覆层(8)。将所得到的带包覆层(8)的荧光体微粒(7)形成糊剂状，并涂布在位于基板(1)上的邻接的棱(4)之间，形成荧光体层(5)，制造PDP。根据本发明的PDP制造方法，能够实现对湿气、氧、等离子体等周围环境具有高的耐受性、特别是耐水性、和高的紫外线透射性的含氟包覆层。能够得到亮度高且亮度劣化小的PDP。
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公开(公告)号：CN102282656A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201080004901.8
申请日：2010-11-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/3205 , H01L23/52
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L2224/02372 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2924/14 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及半导体装置的制造方法。半导体装置(1)具有：第二氧化膜(9)及焊盘电极(5)，其位于在半导体基板(2)的表面(2a)形成的第一氧化膜(8)上；接触电极(6)及第一势垒层(7)，其形成于第二氧化膜中且与焊盘电极连接；硅化物部(10)，其形成于接触电极和贯通电极层(12)之间且与接触电极及第一势垒层连接；通孔(11)，其自半导体基板的背面(2b)到达硅化物部及第二氧化膜；第三氧化膜(13)，其在通孔的侧壁及半导体基板的背面形成；第二势垒层(14)及再配线层(15)，其在通孔的内部及半导体基板的背面形成且与硅化物部连接。
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公开(公告)号：CN102282656B
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201080004901.8
申请日：2010-11-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/3205 , H01L23/52
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L2224/02372 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2924/14 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及半导体装置的制造方法。半导体装置(1)具有：第二氧化膜(9)及焊盘电极(5)，其位于在半导体基板(2)的表面(2a)形成的第一氧化膜(8)上；接触电极(6)及第一势垒层(7)，其形成于第二氧化膜中且与焊盘电极连接；硅化物部(10)，其形成于接触电极和贯通电极层(12)之间且与接触电极及第一势垒层连接；通孔(11)，其自半导体基板的背面(2b)到达硅化物部及第二氧化膜；第三氧化膜(13)，其在通孔的侧壁及半导体基板的背面形成；第二势垒层(14)及再配线层(15)，其在通孔的内部及半导体基板的背面形成且与硅化物部连接。
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公开(公告)号：CN102473640A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201180003079.8
申请日：2011-03-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/3205 , H01L23/52
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/525 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L2224/02372 , H01L2224/02375 , H01L2224/02381 , H01L2224/0347 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05548 , H01L2224/13021 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01082 , H01L2924/014
Abstract: 在具有贯通电极(19)的半导体装置及其制造方法中，具有以包围半导体基板(5)的背面的包括贯通电极(19)在内的再配线层(18)周围的方式将配线彼此绝缘的绝缘部形成用的虚设槽孔部(7b)，由此，为了将配线间绝缘，仅将存在于绝缘部形成用的虚设槽孔部(7b)的底部的金属层除去即可，能够实现处理时间的缩减。
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公开(公告)号：CN101138063B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200680007629.2
申请日：2006-04-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种PDP(21)，其具备形成多个显示电极(4)，且以第一电介质层(6)及保护膜(7)覆盖显示电极(4)的前面板(22)；和具有沿与显示电极(4)正交的方向形成、并以第二电介质层(基底电介质层(9))覆盖的多个地址电极(10)的背面板(23)，其中，保护膜(7)形成为具有粒状的结晶集合而成的结构，结晶的粒径大，且邻接的结晶间的空隙小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1811009A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200610006980.1
申请日：2006-01-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , H01J37/3423
Abstract: 一种成膜装置，具有：在其内部形成实施成膜处理的减压空间的处理容器；保持被实施所述成膜处理的基材的基材保持部；支持靶的靶支持部；向所述靶支持部施加电力，使得在所述减压空间中产生等离子体的电源装置，其中，所述靶在其表面上具有由粉体材料构成的粉体靶配置在其内周面上的凹部。通过使用所述靶进行成膜处理，可以提高成膜速度的面内均匀性，实现稳定的成膜。
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公开(公告)号：CN1585069A
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：CN200410057670.3
申请日：2004-08-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01J11/12 , C09K11/025 , C09K11/7734 , H01J11/42
Abstract: 本发明提供一种新型的PDP及其制造方法，利用例如氟化物的物理蒸镀，按照包覆荧光体微粒(7)的方式形成含氟预涂层，并向该预涂层供给氟，从而形成包覆荧光体微粒(7)的包覆层(8)。将所得到的带包覆层(8)的荧光体微粒(7)形成糊剂状，并涂布在位于基板(1)上的邻接的棱(4)之间，形成荧光体层(5)，制造PDP。根据本发明的PDP制造方法，能够实现对湿气、氧、等离子体等周围环境具有高的耐受性、特别是耐水性、和高的紫外线透射性的含氟包覆层。能够得到亮度高且亮度劣化小PDP。
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公开(公告)号：CN102017099A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200980115109.7
申请日：2009-12-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/3205 , H01L21/3065 , H01L23/52
CPC classification number: H01L21/31116 , H01L21/76831 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L2224/02372 , H01L2224/0401 , H01L2224/05 , H01L2224/05009 , H01L2224/05548 , H01L2224/13024
Abstract: 本发明提供一种贯通电极的形成方法及半导体装置。利用贯通电极(3)将半导体基板(1)一侧的面(1a)的电极(5)和半导体基板另一侧的面(1b)连接。在半导体基板，自半导体基板另一侧的面至一侧的面的层间绝缘膜(2)形成通孔(6)，在通孔的侧面及底面、以及半导体基板另一侧的面上形成绝缘膜(4)，同时蚀刻加工所形成的通孔底面的绝缘膜及层间绝缘膜，从而以到达半导体基板一侧的面的电极的方式形成通孔。
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公开(公告)号：CN1849036B
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200610077320.2
申请日：2002-11-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明公开了一种薄型电路板及薄型电路板的制造方法。所述薄型电路板由可挠性的薄膜衬底，配置在所述薄膜衬底上的布线，以及在所述薄膜衬底的表面上的上述布线之间、不与上述布线重叠那样安装的与上述布线电气的连接的部件所构成。
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公开(公告)号：CN1811009B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200610006980.1
申请日：2006-01-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , H01J37/3423
Abstract: 一种成膜装置，具有：在其内部形成实施成膜处理的减压空间的处理容器；保持被实施所述成膜处理的基材的基材保持部；支持靶的靶支持部；向所述靶支持部施加电力，使得在所述减压空间中产生等离子体的电源装置，其中，所述靶在其表面上具有由粉体材料构成的粉体靶配置在其内周面上的凹部。通过使用所述靶进行成膜处理，可以提高成膜速度的面内均匀性，实现稳定的成膜。
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