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公开(公告)号：CN107017320A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201611234664.X
申请日：2012-08-29
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/38 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L2224/16145 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L33/02 , H01L33/10 , H01L33/46
Abstract: 本发明提供半导体发光元件。该发光元件具备：包含活性区域(8)的半导体构造(11)；形成在半导体构造(11)的上表面的透光性导电层(13)；形成在透光性导电层(13)的上表面的电介质膜(4)；和形成在电介质膜(4)的上表面的金属反射层(22)，电介质膜(4)设有1个以上的开口部(21)，以使得透光性导电层(13)部分地露出到外部，透光性导电层(13)介由开口部(21)与金属反射层(22)电接合，按照覆盖开口部(21)的方式部分地形成阻挡层(24)，使该阻挡层(24)介于透光性导电层(13)和金属反射层(22)之间。
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公开(公告)号：CN102969414A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210313485.0
申请日：2012-08-29
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/38 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L2224/16145 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供半导体发光元件。该发光元件具备：包含活性区域(8)的半导体构造(11)；形成在半导体构造(11)的上表面的透光性导电层(13)；形成在透光性导电层(13)的上表面的电介质膜(4)；和形成在电介质膜(4)的上表面的金属反射层(22)，电介质膜(4)设有1个以上的开口部(21)，以使得透光性导电层(13)部分地露出到外部，透光性导电层(13)介由开口部(21)与金属反射层(22)电接合，按照覆盖开口部(21)的方式部分地形成阻挡层(24)，使该阻挡层(24)介于透光性导电层(13)和金属反射层(22)之间。
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公开(公告)号：CN102969414B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201210313485.0
申请日：2012-08-29
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/38 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L2224/16145 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供半导体发光元件。该发光元件具备：包含活性区域(8)的半导体构造(11)；形成在半导体构造(11)的上表面的透光性导电层(13)；形成在透光性导电层(13)的上表面的电介质膜层(22)，电介质膜(4)设有1个以上的开口部(21)，以使得透光性导电层(13)部分地露出到外部，透光性导电层(13)介由开口部(21)与金属反射层(22)电接合，按照覆盖开口部(21)的方式部分地形成阻挡层(24)，使该阻挡层(24)介于透光性导电层(13)和金属反射层(22)之间。(4)；和形成在电介质膜(4)的上表面的金属反射
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公开(公告)号：CN102738348B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201210080588.7
申请日：2012-03-23
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L27/15 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L33/46 , H01L2224/16145 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
Abstract: 一种半导体发光元件，包括：第一半导体层；具有与第一半导体层不同的导电性的第二半导体层；设置在第一半导体层和第二半导体层之间的活性区域；设置在第一半导体层上的透光性导电层(13)；设置在透光性导电层(13)上的反射构造(20)；和设置在反射构造(20)上，且与第一半导体层电连接的第一电极，反射构造(20)至少具有反射层(16)，在透光性导电层(13)和反射构造(20)之间存在中间层(17)，中间层(17)由有含离子化倾向大于反射层(16)的元素的材料构成。由此可获得以下优点：能利用介于透光性导电层(13)和反射构造(20)之间的中间层(17)抑制随着半导体发光元件的连续使用而使正向电压上升的情形，能提高可靠性及耐久性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102738348A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210080588.7
申请日：2012-03-23
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L27/15 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L33/46 , H01L2224/16145 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
Abstract: 一种半导体发光元件，包括：第一半导体层；具有与第一半导体层不同的导电性的第二半导体层；设置在第一半导体层和第二半导体层之间的活性区域；设置在第一半导体层上的透光性导电层(13)；设置在透光性导电层(13)上的反射构造(20)；和设置在反射构造(20)上，且与第一半导体层电连接的第一电极，反射构造(20)至少具有反射层(16)，在透光性导电层(13)和反射构造(20)之间存在中间层(17)，中间层(17)由有含离子化倾向大于反射层(16)的元素的材料构成。由此可获得以下优点：能利用介于透光性导电层(13)和反射构造(20)之间的中间层(17)抑制随着半导体发光元件的连续使用而使正向电压上升的情形，能提高可靠性及耐久性。
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公开(公告)号：CN117791296A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311269673.2
申请日：2023-09-27
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Inventor： 笠井久嗣
IPC: H01S5/042
Abstract: 本发明的目的在于提供反熔丝元件和使用了该反熔丝元件的发光装置，在反熔丝元件绝缘破坏的情况下，该反熔丝元件能够在所期望的部位产生通电路径。该反熔丝元件具备第一电极、配置在所述第一电极上的绝缘层以及配置在所述绝缘层上的第二电极，所述绝缘层具有厚度较薄的第一区域和厚度比所述第一区域厚的第二区域，所述第二电极的外缘在俯视观察时位于比所述绝缘层的外缘靠内侧的位置。
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公开(公告)号：CN104124319A
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201410171732.7
申请日：2014-04-25
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L33/62 , H01L21/6835 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/24 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/82 , H01L24/85 , H01L24/96 , H01L33/24 , H01L33/38 , H01L33/387 , H01L33/40 , H01L33/486 , H01L33/502 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L2021/60 , H01L2221/6835 , H01L2221/68368 , H01L2221/68372 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386 , H01L2224/04105 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/2101 , H01L2224/2105 , H01L2224/211 , H01L2224/215 , H01L2224/2401 , H01L2224/24011 , H01L2224/2405 , H01L2224/2413 , H01L2224/245 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48095 , H01L2224/48101 , H01L2224/4813 , H01L2224/48644 , H01L2224/48647 , H01L2224/48844 , H01L2224/48847 , H01L2224/821 , H01L2224/82106 , H01L2224/85947 , H01L2224/96 , H01L2924/0002 , H01L2924/12035 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/3511 , H01L2933/0016 , H01L2933/005 , H01L2933/0066 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/01079 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/0105 , H01L2924/00014 , H01L2224/82
Abstract: 本发明的课题在于，提供一种小型且具有充分的强度并且具备高量产性的发光装置。为此，本发明的发光装置具有：半导体芯片，其包含p型半导体层和n型半导体层，在该p型半导体层与该n型半导体层之间发光；p侧衬垫电极，其位于所述半导体芯片的上表面侧且配置在所述p型半导体层上；n侧衬垫电极，其位于所述半导体芯片的上表面侧且配置在所述n型半导体层上；树脂层，其配置为覆盖所述半导体芯片的上表面；和p侧连接电极以及n侧连接电极，其配置在所述树脂层的外表面，且位于所述半导体芯片的上表面侧，所述p侧衬垫电极与所述p侧连接电极之间以及所述n侧衬垫电极与所述n侧连接电极之间的至少一方通过配置在所述树脂内的金属丝而连接。
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公开(公告)号：CN107017320B
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201611234664.X
申请日：2012-08-29
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/38 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L2224/16145 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供半导体发光元件。该发光元件具备：包含活性区域(8)的半导体构造(11)；形成在半导体构造(11)的上表面的透光性导电层(13)；形成在透光性导电层(13)的上表面的电介质膜(4)；和形成在电介质膜(4)的上表面的金属反射层(22)，电介质膜(4)设有1个以上的开口部(21)，以使得透光性导电层(13)部分地露出到外部，透光性导电层(13)介由开口部(21)与金属反射层(22)电接合，按照覆盖开口部(21)的方式部分地形成阻挡层(24)，使该阻挡层(24)介于透光性导电层(13)和金属反射层(22)之间。
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公开(公告)号：CN104124319B
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201410171732.7
申请日：2014-04-25
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L33/62 , H01L21/6835 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/24 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/82 , H01L24/85 , H01L24/96 , H01L33/24 , H01L33/38 , H01L33/387 , H01L33/40 , H01L33/486 , H01L33/502 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L2021/60 , H01L2221/6835 , H01L2221/68368 , H01L2221/68372 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386 , H01L2224/04105 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/2101 , H01L2224/2105 , H01L2224/211 , H01L2224/215 , H01L2224/2401 , H01L2224/24011 , H01L2224/2405 , H01L2224/2413 , H01L2224/245 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48095 , H01L2224/48101 , H01L2224/4813 , H01L2224/48644 , H01L2224/48647 , H01L2224/48844 , H01L2224/48847 , H01L2224/821 , H01L2224/82106 , H01L2224/85947 , H01L2224/96 , H01L2924/0002 , H01L2924/12035 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/3511 , H01L2933/0016 , H01L2933/005 , H01L2933/0066 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/01079 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/0105 , H01L2924/00014 , H01L2224/82
Abstract: 本发明的课题在于，提供一种小型且具有充分的强度并且具备高量产性的发光装置。为此，本发明的发光装置具有：半导体芯片，其包含p型半导体层和n型半导体层，在该p型半导体层与该n型半导体层之间发光；p侧衬垫电极，其位于所述半导体芯片的上表面侧且配置在所述p型半导体层上；n侧衬垫电极，其位于所述半导体芯片的上表面侧且配置在所述n型半导体层上；树脂层，其配置为覆盖所述半导体芯片的上表面；和p侧连接电极以及n侧连接电极，其配置在所述树脂层的外表面，且位于所述半导体芯片的上表面侧，所述p侧衬垫电极与所述p侧连接电极之间以及所述n侧衬垫电极与所述n侧连接电极之间的至少一方通过配置在所述树脂内的金属丝而连接。
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