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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114781308B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202210422028.9
申请日：2022-04-21
Applicant: 扬州大学
IPC: G06F30/373 , G06F30/367
Abstract: 本发明公开了一种肖特基二极管的电学特性曲线拟合优化方法，使用相关系数法与TIC法相结合的方式进行拟合，相关系数法是对两条曲线的趋势一致性进行拟合，TIC法是对两条曲线进行精度进行拟合。与传统的MSE方法相比，此方法可以快速便捷解决特性曲线MSE不在一个数量级导致难以优化的问题，有效节约了仿真时间，提高了器件电学模型优化效率。
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公开(公告)号：CN114781308A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210422028.9
申请日：2022-04-21
Applicant: 扬州大学
IPC: G06F30/373 , G06F30/367
Abstract: 本发明公开了一种肖特基二极管的电学特性曲线拟合优化方法，使用相关系数法与TIC法相结合的方式进行拟合，相关系数法是对两条曲线的趋势一致性进行拟合，TIC法是对两条曲线进行精度进行拟合。与传统的MSE方法相比，此方法可以快速便捷解决特性曲线MSE不在一个数量级导致难以优化的问题，有效节约了仿真时间，提高了器件电学模型优化效率。
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公开(公告)号：CN119720516A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411769536.X
申请日：2024-12-04
Applicant: 扬州大学
IPC: G06F30/20 , G06F119/02
Abstract: 本发明公开了一种SiC功率器件在轨单粒子硬错误风险概率预估方法，涉及功率器件空间应用的抗辐射保证技术领域，本发明基于地面辐射试验和威布尔数据统计规律，结合仿真软件模拟空间辐射环境，能低成本预估SiC器件空间在轨应用时发生单粒子硬错误的概率，同时实现难度较低，减少航天器在轨任务的成本，增强在轨期间的可靠性，保证在轨飞行的安全性，属于功率器件空间应用的抗辐射保证技术领域，具有很高的经济价值，对促进新型航天电源发展具有重要意义。
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公开(公告)号：CN114692535A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210401979.8
申请日：2022-04-18
Applicant: 扬州大学
IPC: G06F30/3308 , G06F30/337 , G06F111/10
Abstract: 本发明公开了一种CMOS反相器单粒子闩锁效应仿真方法，基于器件内部工艺参数，利用TCAD仿真平台构建NMOS‑PMOS组合的完整CMOS工艺结构模型。该模型可以准确表征器件发生SEL时的PNPN可控硅正反馈大电流随时空的演变过程，弥补了NMOS单管SEL模型不能准确表征CMOS反相器SEL特性的缺点，从而提高了器件SEL模拟仿真准确度。本发明方法可以快速便捷获得器件发生SEL的电参数空间分布特性，为器件的SEL研究及型号产品设计加固提供技术支撑。
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公开(公告)号：CN118297018A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410375553.9
申请日：2024-03-29
Applicant: 扬州大学
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明公开了一种基于器件级与电路级相结合的微系统单粒子效应仿真方法，构建器件内核心单元的MOSFET电学模型，基于电学模型进行单粒子效应的器件级仿真，模拟粒子入射器件敏感区域时的单粒子瞬态脉冲电流；根据微系统的电路结构，并基于所述电学模型构建电路级仿真模型；将单粒子瞬态脉冲电流拟合为双指数电流源，作为故障注入到电路级仿真模型的敏感节点中，获得单粒子效应的电路级仿真结果。本方法结合了器件级仿真和电路级仿真的优点，提高单粒子效应的仿真速度与精度。
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