公开(公告)号：CN114781308B

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202210422028.9

申请日：2022-04-21

Applicant: 扬州大学

Inventor： 黄鑫 ,  吕贺 ,  曹荣幸 ,  梅博 ,  薛玉雄 ,  李兴冀 ,  杨剑群 ,  孟洋 ,  李林欢 ,  汪柯佳 ,  刘洋 ,  曾祥华

IPC: G06F30/373 ,  G06F30/367

Abstract: 本发明公开了一种肖特基二极管的电学特性曲线拟合优化方法，使用相关系数法与TIC法相结合的方式进行拟合，相关系数法是对两条曲线的趋势一致性进行拟合，TIC法是对两条曲线进行精度进行拟合。与传统的MSE方法相比，此方法可以快速便捷解决特性曲线MSE不在一个数量级导致难以优化的问题，有效节约了仿真时间，提高了器件电学模型优化效率。

公开(公告)号：CN114781308A

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：CN202210422028.9

申请日：2022-04-21

Applicant: 扬州大学

Inventor： 黄鑫 ,  吕贺 ,  曹荣幸 ,  梅博 ,  薛玉雄 ,  李兴冀 ,  杨剑群 ,  孟洋 ,  李林欢 ,  汪柯佳 ,  刘洋 ,  曾祥华

IPC: G06F30/373 ,  G06F30/367

Abstract: 本发明公开了一种肖特基二极管的电学特性曲线拟合优化方法，使用相关系数法与TIC法相结合的方式进行拟合，相关系数法是对两条曲线的趋势一致性进行拟合，TIC法是对两条曲线进行精度进行拟合。与传统的MSE方法相比，此方法可以快速便捷解决特性曲线MSE不在一个数量级导致难以优化的问题，有效节约了仿真时间，提高了器件电学模型优化效率。

公开(公告)号：CN118297018A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202410375553.9

申请日：2024-03-29

Applicant: 扬州大学

Inventor： 薛玉雄 ,  田佳玉 ,  曹荣幸 ,  刘艳 ,  吕贺 ,  梅博 ,  王鹏 ,  曹小雪

IPC: G06F30/367

Abstract: 本发明公开了一种基于器件级与电路级相结合的微系统单粒子效应仿真方法，构建器件内核心单元的MOSFET电学模型，基于电学模型进行单粒子效应的器件级仿真，模拟粒子入射器件敏感区域时的单粒子瞬态脉冲电流；根据微系统的电路结构，并基于所述电学模型构建电路级仿真模型；将单粒子瞬态脉冲电流拟合为双指数电流源，作为故障注入到电路级仿真模型的敏感节点中，获得单粒子效应的电路级仿真结果。本方法结合了器件级仿真和电路级仿真的优点，提高单粒子效应的仿真速度与精度。

公开(公告)号：CN114692535A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202210401979.8

申请日：2022-04-18

Applicant: 扬州大学

Inventor： 孟洋 ,  吕贺 ,  曹荣幸 ,  薛玉雄 ,  梅博 ,  张洪伟 ,  刘洋 ,  郑澍 ,  李红霞 ,  韩丹 ,  曾祥华 ,  李兴冀 ,  杨剑群

IPC: G06F30/3308 ,  G06F30/337 ,  G06F111/10

Abstract: 本发明公开了一种CMOS反相器单粒子闩锁效应仿真方法，基于器件内部工艺参数，利用TCAD仿真平台构建NMOS‑PMOS组合的完整CMOS工艺结构模型。该模型可以准确表征器件发生SEL时的PNPN可控硅正反馈大电流随时空的演变过程，弥补了NMOS单管SEL模型不能准确表征CMOS反相器SEL特性的缺点，从而提高了器件SEL模拟仿真准确度。本发明方法可以快速便捷获得器件发生SEL的电参数空间分布特性，为器件的SEL研究及型号产品设计加固提供技术支撑。