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公开(公告)号：CN119720516A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411769536.X
申请日：2024-12-04
Applicant: 扬州大学
IPC: G06F30/20 , G06F119/02
Abstract: 本发明公开了一种SiC功率器件在轨单粒子硬错误风险概率预估方法，涉及功率器件空间应用的抗辐射保证技术领域，本发明基于地面辐射试验和威布尔数据统计规律，结合仿真软件模拟空间辐射环境，能低成本预估SiC器件空间在轨应用时发生单粒子硬错误的概率，同时实现难度较低，减少航天器在轨任务的成本，增强在轨期间的可靠性，保证在轨飞行的安全性，属于功率器件空间应用的抗辐射保证技术领域，具有很高的经济价值，对促进新型航天电源发展具有重要意义。
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