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公开(公告)号：CN105074572B
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201480010168.9
申请日：2014-03-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: G03F7/16 , G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 一种光刻胶气相沉积系统包含：真空腔室，真空腔室具有加热元件以及用于固持基板的冷却卡盘，真空腔室具有加热的入口；以及气相沉积系统，气相沉积系统连接至加热的入口，以使前驱物挥发进入真空腔室中，以在由冷却卡盘冷却的基板之上凝结光刻胶。沉积系统产生半导体晶片系统，半导体晶片系统包含：半导体晶片，以及在半导体晶片之上的气相沉积的光刻胶。需要半导体晶片系统的极紫外线光刻系统包含：极紫外线光源；镜，镜用于引导来自极紫外线光源的光；中间掩模台，中间掩模台用于使来自极紫外线光源的光成像；以及晶片台，晶片台用于放置具有气相沉积的光刻胶的半导体晶片。
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公开(公告)号：CN102318078B
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN200980149941.9
申请日：2009-10-02
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L31/042 , H01L21/20 , H01L21/027
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L21/67253 , H01L31/0236 , H01L31/02363 , H01L31/0288 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的具体实施例通常也提供太阳能电池形成工艺，所述工艺包含形成金属接触覆盖于重度掺杂区域上，所述重度掺杂区域以期望的图案形成于基板的表面上。本发明的具体实施例也提供检验系统以及支撑硬件，用以可靠地将类似形状或图案化的金属接触结构安置于图案化重度掺杂区域上，以容许构成欧姆接触。金属接触结构，如指状物及汇流条，形成于重度掺杂区域上，使得可在这两个区域之间形成高质量电气连接。
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公开(公告)号：CN101889348B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200880119586.6
申请日：2008-11-19
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L31/00
CPC classification number: H01L31/022425 , Y02E10/50
Abstract: 本发明的实施方式预期了使用新颖方法以形成高效率太阳能电池，而该方法是形成太阳能电池元件的主动区及金属接点结构。在一实施方式中，该方法包括使用多种蚀刻及图案化工艺，这些工艺是用以界定穿过覆盖太阳能电池基板的表面的毯覆介电层的点触。该方法一般包括沉积一蚀刻剂物质，而该物质是使得在介电层中形成所需图案，且通过该图案可形成至太阳能电池元件的电性接点。
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公开(公告)号：CN102834930A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201180018103.5
申请日：2011-03-10
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 迈克尔·P·斯图尔特 , 穆库·阿格瓦 , 罗西特·米沙拉 , 希曼特·芒格卡 , 蒂莫西·W·韦德曼
IPC: H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02167 , H01L31/068 , Y02E10/547
Abstract: 本发明大体提供了一种于p-型掺杂区域上形成高质量钝化层的方法，以形成高效能太阳能电池装置。本发明的实施例可特别有利于制备形成于硅基板中硼掺杂区域的表面。在一个实施例中，该方法包括下列步骤：将太阳能电池基板的表面暴露至等离子体，以清洁并改变该表面的物事、化学及/或电性特征，并随后于其上沉积带电的介电层及钝化层。
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公开(公告)号：CN103189962A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201180051965.8
申请日：2011-10-06
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/205
CPC classification number: G03F7/094 , G03F7/0752 , G03F7/16 , H01L21/0217 , H01L21/02219 , H01L21/02274 , H01L21/311 , H01L21/31144
Abstract: 本发明提供了用于在基板上形成对辐射敏感的光阻的方法。描述了形成薄膜(例如含硅薄膜)光阻的原子层沉积方法。所述工艺可重复多次，以沉积多层硅光阻层。同时揭露了利用含碳底层，例如非晶碳层沉积光阻与在光阻中形成图案的工艺。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1918325A
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN200580004449.4
申请日：2005-01-25
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 蒂莫西·W·韦德曼 , 伊恩·帕查姆 , 德米特里·鲁博弥尔斯克 , 阿拉库玛·山姆戈萨卓姆 , 优素弗·谢查姆-迪芒德 , 费尔哈德·穆加达姆
IPC: C23C18/16
Abstract: 本发明公开了一种用单一处理室无电沉积多层膜的方法和装置，它使用(多种)处理溶液进行清洁，然后将具有不连续或变化成分的金属膜沉积到导体表面上。该处理包括原位清洁步骤，通过在清洁和无电沉积处理步骤之间减少或防止导体表面暴露于氧气而减少导体表面形成氧化物。在一个方面，(多种)处理溶液中所用的化学成分的选择使得各种化学成分的反应不会使每种反应流体的期望特性发生剧烈改变。连续无电沉积处理可以用于形成第一层和第二层，第一层含有下列元素中至少两种：钴、钨、磷或硼；第二层含有下列元素中至少两种：钴、硼或磷。
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公开(公告)号：CN105074572A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201480010168.9
申请日：2014-03-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: G03F7/16 , G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 一种光刻胶气相沉积系统包含：真空腔室，真空腔室具有加热元件以及用于固持基板的冷却卡盘，真空腔室具有加热的入口；以及气相沉积系统，气相沉积系统连接至加热的入口，以使前驱物挥发进入真空腔室中，以在由冷却卡盘冷却的基板之上凝结光刻胶。沉积系统产生半导体晶片系统，半导体晶片系统包含：半导体晶片，以及在半导体晶片之上的气相沉积的光刻胶。需要半导体晶片系统的极紫外线光刻系统包含：极紫外线光源；镜，镜用于引导来自极紫外线光源的光；中间掩模台，中间掩模台用于使来自极紫外线光源的光成像；以及晶片台，晶片台用于放置具有气相沉积的光刻胶的半导体晶片。
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公开(公告)号：CN102113132B
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN200980130196.3
申请日：2009-07-16
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 蒂莫西·W·韦德曼 , 罗希特·米什拉 , 迈克尔·P·斯图尔特 , 永华·克里斯·查 , 迦毕罗·P·威杰库恩 , 洪彬·方
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L21/67155 , H01L31/0236 , H01L31/1876 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的实施方式包含利用新颖的处理程序来形成太阳能电池装置，进而形成高效率的太阳能电池。在一个实施方式中，方法包括形成掺杂层至基板背面上、加热掺杂层和基板，促使掺杂层扩散进入基板背面、在加热掺杂层和基板后，纹理化基板正面、形成介电层至基板背面上、去除背面的部分介电层，以形成基板的多个露出区域、以及沉积金属层至基板背面上，其中金属层电性连接基板的多个露出区域中的至少一露出区域，且至少一露出区域具有掺杂层提供的掺杂原子。
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公开(公告)号：CN103168344A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201180050007.9
申请日：2011-11-03
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/205 , H01L21/318
CPC classification number: H01L21/02167 , C23C16/325 , C23C16/36 , C23C16/4554 , C23C16/5096 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/02329 , H01L21/0234 , H01L21/02447 , H01L21/02529 , H01L21/0262
Abstract: 本发明提供用于在基板表面上沉积碳化硅膜的方法。该方法包括使用气相碳硅烷前体，且该方法可使用等离子体增强原子层沉积工艺。该方法可在小于600℃的温度下实施，例如介于约23℃与约200℃之间或在约100℃下。然后，可致密化该碳化硅层，以去除氢含量。另外，可将该碳化硅层暴露于氮源，以提供反应性N-H基团，然后该N-H基团可用来使用其他方法继续膜沉积。等离子体处理条件可用来调整膜的碳、氢和/或氮含量。
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公开(公告)号：CN102884638A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201180023055.9
申请日：2011-05-05
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02168 , H01L31/056 , Y02E10/52
Abstract: 本发明实施例大致提供在太阳能电池基板上形成多层背面钝化层的方法。方法包括在p-型掺杂区的背面上形成净电荷密度小于等于2.1x 1011库伦/平方厘米的氧化硅子层，该p-型掺杂区形成于包括半导体材料的基板中，并在氧化硅子层上形成氮化硅子层，而该背面与基板的光接收表面相反。本发明实施例还包括可根据本文所述方法制造的太阳能电池组件。
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