公开(公告)号：CN105074572A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201480010168.9

申请日：2014-03-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 蒂莫西·米凯尔松 ,  蒂莫西·W·韦德曼 ,  巴里·李·金 ,  马耶德·A·福阿德 ,  保罗·迪顿

IPC: G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

Abstract: 一种光刻胶气相沉积系统包含：真空腔室，真空腔室具有加热元件以及用于固持基板的冷却卡盘，真空腔室具有加热的入口；以及气相沉积系统，气相沉积系统连接至加热的入口，以使前驱物挥发进入真空腔室中，以在由冷却卡盘冷却的基板之上凝结光刻胶。沉积系统产生半导体晶片系统，半导体晶片系统包含：半导体晶片，以及在半导体晶片之上的气相沉积的光刻胶。需要半导体晶片系统的极紫外线光刻系统包含：极紫外线光源；镜，镜用于引导来自极紫外线光源的光；中间掩模台，中间掩模台用于使来自极紫外线光源的光成像；以及晶片台，晶片台用于放置具有气相沉积的光刻胶的半导体晶片。

公开(公告)号：CN105074572B

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201480010168.9

申请日：2014-03-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 蒂莫西·米凯尔松 ,  蒂莫西·W·韦德曼 ,  巴里·李·金 ,  马耶德·A·福阿德 ,  保罗·迪顿

IPC: G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

Abstract: 一种光刻胶气相沉积系统包含：真空腔室，真空腔室具有加热元件以及用于固持基板的冷却卡盘，真空腔室具有加热的入口；以及气相沉积系统，气相沉积系统连接至加热的入口，以使前驱物挥发进入真空腔室中，以在由冷却卡盘冷却的基板之上凝结光刻胶。沉积系统产生半导体晶片系统，半导体晶片系统包含：半导体晶片，以及在半导体晶片之上的气相沉积的光刻胶。需要半导体晶片系统的极紫外线光刻系统包含：极紫外线光源；镜，镜用于引导来自极紫外线光源的光；中间掩模台，中间掩模台用于使来自极紫外线光源的光成像；以及晶片台，晶片台用于放置具有气相沉积的光刻胶的半导体晶片。

公开(公告)号：CN110262181A

公开(公告)日：2019-09-20

申请号：CN201910304139.8

申请日：2014-03-12

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 卡拉·比斯利 ,  拉尔夫·霍夫曼 ,  马耶德·A·福阿德 ,  蒂莫西·米凯尔松

IPC: G03F1/24 ,  G03F7/20

Abstract: 一种整合的极紫外(EUV)坯料生产系统，包括：用于将基板放置在真空中的真空腔室；用于沉积平坦化层于该基板之上的第一沉积系统，该平坦化层具有平坦化的顶表面；以及用于在不需将该基板从真空移出的情况下来沉积多层堆叠物于该平坦化层上的第二沉积系统。该EUV坯料是在EUV光刻系统中的，该EUV光刻系统包括：极紫外光源；用于引导来自该EUV源的光的镜；用于放置具有平坦化层的EUV掩模坯料的中间掩模台；以及用于放置晶片的晶片台。该EUV坯料包括：基板；平坦化层，该平坦化层用以弥补与该基板的表面相关的缺陷，该平坦化层具有平的顶表面；以及在该平坦化层上的多层堆叠物。

公开(公告)号：CN105027258A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201480011357.8

申请日：2014-03-12

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 卡拉·比斯利 ,  拉尔夫·霍夫曼 ,  马耶德·A·福阿德 ,  蒂莫西·米凯尔松

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/02

Abstract: 一种整合的极紫外(EUV)坯料生产系统，包括：用于将基板放置在真空中的真空腔室；用于沉积平坦化层于该基板之上的第一沉积系统，该平坦化层具有平坦化的顶表面；以及用于在不需将该基板从真空移出的情况下来沉积多层堆叠物于该平坦化层上的第二沉积系统。该EUV坯料是在EUV光刻系统中的，该EUV光刻系统包括：极紫外光源；用于引导来自该EUV源的光的镜；用于放置具有平坦化层的EUV掩模坯料的中间掩模台；以及用于放置晶片的晶片台。该EUV坯料包括：基板；平坦化层，该平坦化层用以弥补与该基板的表面相关的缺陷，该平坦化层具有平的顶表面；以及在该平坦化层上的多层堆叠物。

公开(公告)号：CN103189962A

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201180051965.8

申请日：2011-10-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 蒂莫西·W·韦德曼 ,  蒂莫西·米凯尔松 ,  保罗·迪顿

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/205

CPC classification number: G03F7/094 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/16 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/311 ,  H01L21/31144

Abstract: 本发明提供了用于在基板上形成对辐射敏感的光阻的方法。描述了形成薄膜(例如含硅薄膜)光阻的原子层沉积方法。所述工艺可重复多次，以沉积多层硅光阻层。同时揭露了利用含碳底层，例如非晶碳层沉积光阻与在光阻中形成图案的工艺。