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公开(公告)号：CN1918325A
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN200580004449.4
申请日：2005-01-25
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 蒂莫西·W·韦德曼 , 伊恩·帕查姆 , 德米特里·鲁博弥尔斯克 , 阿拉库玛·山姆戈萨卓姆 , 优素弗·谢查姆-迪芒德 , 费尔哈德·穆加达姆
IPC: C23C18/16
Abstract: 本发明公开了一种用单一处理室无电沉积多层膜的方法和装置，它使用(多种)处理溶液进行清洁，然后将具有不连续或变化成分的金属膜沉积到导体表面上。该处理包括原位清洁步骤，通过在清洁和无电沉积处理步骤之间减少或防止导体表面暴露于氧气而减少导体表面形成氧化物。在一个方面，(多种)处理溶液中所用的化学成分的选择使得各种化学成分的反应不会使每种反应流体的期望特性发生剧烈改变。连续无电沉积处理可以用于形成第一层和第二层，第一层含有下列元素中至少两种：钴、钨、磷或硼；第二层含有下列元素中至少两种：钴、硼或磷。
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