公开(公告)号：CN102884638A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201180023055.9

申请日：2011-05-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 希曼特·芒格卡 ,  穆库·阿格瓦 ,  迈克尔·P·斯图尔特 ,  蒂莫西·W·韦德曼 ,  罗西特·米沙拉 ,  森霍姆·帕克

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/02168 ,  H01L31/056 ,  Y02E10/52

Abstract: 本发明实施例大致提供在太阳能电池基板上形成多层背面钝化层的方法。方法包括在p-型掺杂区的背面上形成净电荷密度小于等于2.1x 1011库伦/平方厘米的氧化硅子层，该p-型掺杂区形成于包括半导体材料的基板中，并在氧化硅子层上形成氮化硅子层，而该背面与基板的光接收表面相反。本发明实施例还包括可根据本文所述方法制造的太阳能电池组件。

公开(公告)号：CN102834930A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201180018103.5

申请日：2011-03-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 迈克尔·P·斯图尔特 ,  穆库·阿格瓦 ,  罗西特·米沙拉 ,  希曼特·芒格卡 ,  蒂莫西·W·韦德曼

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/02167 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明大体提供了一种于p-型掺杂区域上形成高质量钝化层的方法，以形成高效能太阳能电池装置。本发明的实施例可特别有利于制备形成于硅基板中硼掺杂区域的表面。在一个实施例中，该方法包括下列步骤：将太阳能电池基板的表面暴露至等离子体，以清洁并改变该表面的物事、化学及/或电性特征，并随后于其上沉积带电的介电层及钝化层。

公开(公告)号：CN2849959Y

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200520004855.8

申请日：2005-02-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 素提·贡德哈莱卡 ,  帕德马纳班·克里希纳拉利 ,  汤姆·K·丘 ,  穆罕默德·拉希德 ,  希曼特·芒格卡 ,  坦·N·彭 ,  华仲强

IPC: H01L21/00 ,  B05B1/00

Abstract: 本实用新型公开了一种可更换的气体喷嘴，该气体喷嘴可插入衬底处理室的气体分配器环中并且在室中可以被防护。可更换气体喷嘴具有拥有通道的纵长陶瓷体，所述通道用于将气流导向室中。陶瓷体包括用于与气体分配器环配合的第一外螺纹和用于接纳热防护罩的第二外螺纹。通道具有用于接收来自气体分配器环的气体的入口和用于将气体释放到室中的针孔出口。热防护罩可以被用于防护延伸到室中的喷嘴。热防护罩具有中空构件，所述中空构件被构造来与喷嘴耦合，并且具有足够大的内部尺寸来围绕喷嘴的至少一部分放置。中空构件还具有一延伸部分和热防护罩开口，延伸部分在末梢处从所述喷嘴的出口突出，处理气体从喷嘴出口流动穿过所述热防护罩开口。