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公开(公告)号:CN102884638A
公开(公告)日:2013-01-16
申请号:CN201180023055.9
申请日:2011-05-05
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02168 , H01L31/056 , Y02E10/52
Abstract: 本发明实施例大致提供在太阳能电池基板上形成多层背面钝化层的方法。方法包括在p-型掺杂区的背面上形成净电荷密度小于等于2.1x 1011库伦/平方厘米的氧化硅子层,该p-型掺杂区形成于包括半导体材料的基板中,并在氧化硅子层上形成氮化硅子层,而该背面与基板的光接收表面相反。本发明实施例还包括可根据本文所述方法制造的太阳能电池组件。
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公开(公告)号:CN102834930A
公开(公告)日:2012-12-19
申请号:CN201180018103.5
申请日:2011-03-10
Applicant: 应用材料公司
Inventor: 迈克尔·P·斯图尔特 , 穆库·阿格瓦 , 罗西特·米沙拉 , 希曼特·芒格卡 , 蒂莫西·W·韦德曼
IPC: H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02167 , H01L31/068 , Y02E10/547
Abstract: 本发明大体提供了一种于p-型掺杂区域上形成高质量钝化层的方法,以形成高效能太阳能电池装置。本发明的实施例可特别有利于制备形成于硅基板中硼掺杂区域的表面。在一个实施例中,该方法包括下列步骤:将太阳能电池基板的表面暴露至等离子体,以清洁并改变该表面的物事、化学及/或电性特征,并随后于其上沉积带电的介电层及钝化层。
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