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公开(公告)号：CN1988083B
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN200610077181.3
申请日：2006-04-27
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01L23/5223 , H01G4/33 , H01L23/3114 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/50 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L28/55 , H01L28/65 , H01L2224/0231 , H01L2224/0401 , H01L2224/05155 , H01L2224/05552 , H01L2224/0557 , H01L2224/0603 , H01L2224/06102 , H01L2224/1147 , H01L2224/13022 , H01L2224/13023 , H01L2224/13025 , H01L2224/131 , H01L2224/14 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/2518 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2924/00013 , H01L2924/0002 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01041 , H01L2924/01042 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01056 , H01L2924/01068 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15312 , H01L2924/15787 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/19103 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107 , H05K1/0231 , H05K1/162 , H05K1/185 , H05K2201/0179 , H05K2201/09481 , H05K2201/10712 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099 , H01L2924/00
Abstract: 一种薄膜电容器，包括：电容器元件(20)，形成在基础衬底(10)上且包含第一电容器电极(14)、形成在第一电容器电极(14)上的电容器介电膜(16)以及形成在电容器介电膜(16)上的第二电容器电极(18)；引出电极(26a、26b)，从第一电容器电极(14)或第二电容器电极(18)引出，且由能防止氢或水扩散的导电阻挡膜形成；以及外部连接电极(34a、34b)，用于与外部连接且连接至引出电极(26a、26b)。本发明可防止薄膜电容器的电特性和可靠性退化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100437849C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN03820706.0
申请日：2003-08-15
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01G4/33 , H01L27/0629 , H01L27/0805 , H01L28/40
Abstract: 本发明提供一种包含单晶高介电常数电介质层的薄膜电容器。该薄膜电容器具有：单晶硅基板；在单晶硅基板上外延生长的单晶中间层；在单晶中间层上外延生长的单晶下部电极；在下部电极层上外延生长的单晶高介电常数电介质层；在单晶高介电常数电介质层上方形成的上部电极层；分别与下部电极层、上部电极层的多个位置连接的多个导电体凸起。
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公开(公告)号：CN1988083A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200610077181.3
申请日：2006-04-27
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01L23/5223 , H01G4/33 , H01L23/3114 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/50 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L28/55 , H01L28/65 , H01L2224/0231 , H01L2224/0401 , H01L2224/05155 , H01L2224/05552 , H01L2224/0557 , H01L2224/0603 , H01L2224/06102 , H01L2224/1147 , H01L2224/13022 , H01L2224/13023 , H01L2224/13025 , H01L2224/131 , H01L2224/14 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/2518 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2924/00013 , H01L2924/0002 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01041 , H01L2924/01042 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01056 , H01L2924/01068 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15312 , H01L2924/15787 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/19103 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107 , H05K1/0231 , H05K1/162 , H05K1/185 , H05K2201/0179 , H05K2201/09481 , H05K2201/10712 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099 , H01L2924/00
Abstract: 一种薄膜电容器，包括：电容器元件(20)，形成在基础衬底(10)上且包含第一电容器电极(14)、形成在第一电容器电极(14)上的电容器介电膜(16)以及形成在电容器介电膜(16)上的第二电容器电极(18)；引出电极(26a、26b)，从第一电容器电极(14)或第二电容器电极(18)引出，且由能防止氢或水扩散的导电阻挡膜形成；以及外部连接电极(34a、34b)，用于与外部连接且连接至引出电极(26a、26b)。
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公开(公告)号：CN1679124A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN03820706.0
申请日：2003-08-15
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01G4/33 , H01L27/0629 , H01L27/0805 , H01L28/40
Abstract: 本发明提供一种包含单晶高介电常数电介质层的薄膜电容器。该薄膜电容器具有：单晶硅基板；在单晶硅基板上外延生长的单晶中间层；在单晶中间层上外延生长的单晶下部电极；在下部电极层上外延生长的单晶高介电常数电介质层；在单晶高介电常数电介质层上方形成的上部电极层；分别与下部电极层、上部电极层的多个位置连接的多个导电体凸起。
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公开(公告)号：CN100369255C
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200380100790.0
申请日：2003-12-10
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 杰弗里·斯科特·克罗斯 , 冢田峰春 , 约翰·大卫·巴尼基 , 野村健二 , 伊戈尔·斯托里奇诺夫
IPC: H01L27/10 , H01L27/105 , H01L21/8239
CPC classification number: H01L27/11502 , G11C11/22 , H01L27/11507 , H01L28/55 , H01L28/75
Abstract: 在半导体衬底(11)上形成MOS晶体管(14)并进一步进行埋入W插塞(24)的工序后，在整个面上顺序形成Ir膜(25a)、IrOy膜(25b)、PZT膜(26)和IrOx膜(27)。这时，对于PZT膜(26)的组分，使Pb量相对Zr量和Ti量过剩。接下来，把Ir膜(25a)、IrOy膜(25b)、PZT膜(26)和IrOx膜(27)加工后，进行退火来恢复在形成IrOx膜(27)等时对PZT膜(26)产生的损伤，同时使IrOx膜(27)中的Ir扩散到PZT膜(26)中。结果，扩散到PZT膜(26)中的Ir就集中在IrOx膜(27)与PZT膜(26)的界面上和PZT膜(26)中的晶粒边界上，从而使这些地方的Ir浓度高于晶粒内的Ir浓度。
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公开(公告)号：CN1695247A
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN200380100790.0
申请日：2003-12-10
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 杰弗里·斯科特·克罗斯 , 冢田峰春 , 约翰·大卫·巴尼基 , 野村健二 , 伊戈尔·斯托里奇诺夫
IPC: H01L27/10 , H01L27/105 , H01L21/8239
CPC classification number: H01L27/11502 , G11C11/22 , H01L27/11507 , H01L28/55 , H01L28/75
Abstract: 在半导体衬底(11)上形成MOS晶体管(14)并进一步进行埋入W插塞(24)的工序后，在整个面上顺序形成Ir膜(25a)、IrOx膜(25b)、PZT膜(26)和IrOx膜(27)。这时，对于PZT膜(26)的组分，使Pb量相对Zr量和Ti量过剩。接下来，把Ir膜(25a)、IrOx膜(25b)、PZT膜(26)和IrOx膜(27)加工后，进行退火来恢复在形成IrOx膜(27)等时对PZT膜(26)产生的损伤，同时使IrOx膜(27)中的Ir扩散到PZT膜(26)中。结果，扩散到PZT膜(26)中的Ir就集中在IrOx膜(27)与PZT膜(26)的界面上和PZT膜(26)中的晶粒边界上，从而使这些地方的Ir浓度高于晶粒内的Ir浓度。
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