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公开(公告)号：CN115495696A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202210282951.7
申请日：2022-03-22
Applicant: 富士通株式会社
Abstract: 提供了存储介质、优化方法和信息处理设备。非暂态计算机可读存储介质存储有优化程序，优化程序使至少一个计算机执行处理，处理包括：基于优化问题的约束条件，针对作为优化问题的解的搜索目标的多个第一元素中的每个第一元素，从位组信息选择多个位，位组信息指示包括在多个第一元素中的每个第一元素中的多个第二元素中的每个第二元素是否被选择用于搜索优化问题的解；基于特定条件确定是否接受所选择的多个位；在所选择的多个位被接受的情况下，在位组信息中将多个位反转；在所选择的多个位不被接受的情况下，在位组信息中将多个位反转以返回至所述确定之前的状态；以及基于位组信息中的多个位中的每个位的选择状态来搜索优化问题的解。
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公开(公告)号：CN113554382A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202110175869.X
申请日：2021-02-09
Applicant: 富士通株式会社
Abstract: 公开了非暂态计算机可读存储介质、方法和信息处理设备。方法包括：针对输送源中的每个输送源和向其输送货物的多个输送目的地中的每个输送目的地，接收指示点之间的距离的距离信息、指示到多个输送目的地中的每个输送目的地的货物的总输送量的输送量信息、以及指示每次输送的最大输送量的最大输送量信息；在设置由最大输送量信息指示的最大输送量的情况下，计算用于将总输送量的货物从输送源输送到多个输送目的地中的每个输送目的地的第一成本；计算用于将总输送量的货物从输送源输送到输送目的地中的每个输送目的地的第二成本；通过使用第一成本和第二成本来执行用于选择输送目的地的选择处理；以及通过使用选择处理的结果来创建输送计划。
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公开(公告)号：CN100369255C
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200380100790.0
申请日：2003-12-10
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 杰弗里·斯科特·克罗斯 , 冢田峰春 , 约翰·大卫·巴尼基 , 野村健二 , 伊戈尔·斯托里奇诺夫
IPC: H01L27/10 , H01L27/105 , H01L21/8239
CPC classification number: H01L27/11502 , G11C11/22 , H01L27/11507 , H01L28/55 , H01L28/75
Abstract: 在半导体衬底(11)上形成MOS晶体管(14)并进一步进行埋入W插塞(24)的工序后，在整个面上顺序形成Ir膜(25a)、IrOy膜(25b)、PZT膜(26)和IrOx膜(27)。这时，对于PZT膜(26)的组分，使Pb量相对Zr量和Ti量过剩。接下来，把Ir膜(25a)、IrOy膜(25b)、PZT膜(26)和IrOx膜(27)加工后，进行退火来恢复在形成IrOx膜(27)等时对PZT膜(26)产生的损伤，同时使IrOx膜(27)中的Ir扩散到PZT膜(26)中。结果，扩散到PZT膜(26)中的Ir就集中在IrOx膜(27)与PZT膜(26)的界面上和PZT膜(26)中的晶粒边界上，从而使这些地方的Ir浓度高于晶粒内的Ir浓度。
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公开(公告)号：CN1695247A
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN200380100790.0
申请日：2003-12-10
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 杰弗里·斯科特·克罗斯 , 冢田峰春 , 约翰·大卫·巴尼基 , 野村健二 , 伊戈尔·斯托里奇诺夫
IPC: H01L27/10 , H01L27/105 , H01L21/8239
CPC classification number: H01L27/11502 , G11C11/22 , H01L27/11507 , H01L28/55 , H01L28/75
Abstract: 在半导体衬底(11)上形成MOS晶体管(14)并进一步进行埋入W插塞(24)的工序后，在整个面上顺序形成Ir膜(25a)、IrOx膜(25b)、PZT膜(26)和IrOx膜(27)。这时，对于PZT膜(26)的组分，使Pb量相对Zr量和Ti量过剩。接下来，把Ir膜(25a)、IrOx膜(25b)、PZT膜(26)和IrOx膜(27)加工后，进行退火来恢复在形成IrOx膜(27)等时对PZT膜(26)产生的损伤，同时使IrOx膜(27)中的Ir扩散到PZT膜(26)中。结果，扩散到PZT膜(26)中的Ir就集中在IrOx膜(27)与PZT膜(26)的界面上和PZT膜(26)中的晶粒边界上，从而使这些地方的Ir浓度高于晶粒内的Ir浓度。
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