公开(公告)号：CN100369255C

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200380100790.0

申请日：2003-12-10

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 杰弗里·斯科特·克罗斯 ,  冢田峰春 ,  约翰·大卫·巴尼基 ,  野村健二 ,  伊戈尔·斯托里奇诺夫

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/105 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L27/11502 ,  G11C11/22 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/75

Abstract: 在半导体衬底(11)上形成MOS晶体管(14)并进一步进行埋入W插塞(24)的工序后，在整个面上顺序形成Ir膜(25a)、IrOy膜(25b)、PZT膜(26)和IrOx膜(27)。这时，对于PZT膜(26)的组分，使Pb量相对Zr量和Ti量过剩。接下来，把Ir膜(25a)、IrOy膜(25b)、PZT膜(26)和IrOx膜(27)加工后，进行退火来恢复在形成IrOx膜(27)等时对PZT膜(26)产生的损伤，同时使IrOx膜(27)中的Ir扩散到PZT膜(26)中。结果，扩散到PZT膜(26)中的Ir就集中在IrOx膜(27)与PZT膜(26)的界面上和PZT膜(26)中的晶粒边界上，从而使这些地方的Ir浓度高于晶粒内的Ir浓度。

公开(公告)号：CN1695247A

公开(公告)日：2005-11-09

申请号：CN200380100790.0

申请日：2003-12-10

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 杰弗里·斯科特·克罗斯 ,  冢田峰春 ,  约翰·大卫·巴尼基 ,  野村健二 ,  伊戈尔·斯托里奇诺夫

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/105 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L27/11502 ,  G11C11/22 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/75

Abstract: 在半导体衬底(11)上形成MOS晶体管(14)并进一步进行埋入W插塞(24)的工序后，在整个面上顺序形成Ir膜(25a)、IrOx膜(25b)、PZT膜(26)和IrOx膜(27)。这时，对于PZT膜(26)的组分，使Pb量相对Zr量和Ti量过剩。接下来，把Ir膜(25a)、IrOx膜(25b)、PZT膜(26)和IrOx膜(27)加工后，进行退火来恢复在形成IrOx膜(27)等时对PZT膜(26)产生的损伤，同时使IrOx膜(27)中的Ir扩散到PZT膜(26)中。结果，扩散到PZT膜(26)中的Ir就集中在IrOx膜(27)与PZT膜(26)的界面上和PZT膜(26)中的晶粒边界上，从而使这些地方的Ir浓度高于晶粒内的Ir浓度。