基于三圈耦合电感与多磁耦合反馈回路的超宽带低噪声分布式放大器

    公开(公告)号:CN119766158A

    公开(公告)日:2025-04-04

    申请号:CN202411650328.8

    申请日:2024-11-19

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属于集成电路技术领域,具体为基于三圈耦合电感与多磁耦合反馈回路的超宽带低噪声分布式放大器。本发明电路结构包含三级分布式放大器;第一级和第三级分布式放大器由4级增益单元、三圈耦合电感和二圈耦合电感构成;增益单元为共源共栅结构,共栅级晶体管栅极、源极和漏极串联电感构成多重磁耦合反馈回路;该结构使得共栅级晶体管的等效跨导增大,有效地降低该晶体管的噪声贡献;三圈耦合电感作为栅极传输线的单元电路,包含栅极传输线单元电感以及共源级晶体管源极串联电感;二圈耦合电感作为漏极传输线的单元电路;第二级分布式放大器由单级共源共栅结构的增益单元构成;第一级分布式放大器的栅极终端电路有效地降低其中电阻的噪声贡献。

    一种基于变压器的宽带单刀单掷开关及单刀多掷开关

    公开(公告)号:CN111525917B

    公开(公告)日:2023-05-02

    申请号:CN202010281247.0

    申请日:2020-04-11

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属于电子开关技术领域,具体为一种基于变压器的宽带单刀单掷开关及单刀多掷开关。本发明单刀单掷开关包括:第一开关晶体管与第二开关晶体管,两者导通时呈现为一个小的导通电阻,关断时呈现为一个关断电容;变压器,在两个开关晶体管关断时与关断电容共同构成一个宽带阻抗匹配网络;四分之一波长传输线,将第二开关晶体管导通时的小的导通电阻转换为一个高的实阻抗。本发明可以实现一个宽带的单刀单掷开关,在两个开关晶体管导通时单刀单掷开关关断,在两个开关晶体管关断时单刀单掷开关导通;所述单刀单掷开关通过并联构成单刀多掷开关;宽带单刀单掷开关及单刀多掷开关在导通时具有较宽射频带宽,同时具有直流隔离与宽带匹配的功能。

    一种柔性人工视网膜刺激芯片

    公开(公告)号:CN111603676B

    公开(公告)日:2023-04-07

    申请号:CN202010281706.5

    申请日:2020-04-11

    Applicant: 复旦大学

    Inventor: 马顺利 吴天祥

    Abstract: 本发明属于集成电路与生物医学领域,具体为一种柔性人工视网膜刺激芯片。该芯片能将光信号转化为电信号并刺激视神经形成视觉,采用柔性薄膜材料制作,适用于人体。电路为一个视网膜刺激单元阵列,包含m行n列的刺激单元、1个数模转换器、2个恒定偏置电路。每个刺激单元采用模拟存储器(ARAM,AnalogRandom Access Memory)和时序控制电路(Time Control)对数模转换器的输出信号进行时分复用,以调节刺激单元中晶体管的导通状态,模仿人体对光信号的感知。数模转换器有8位的分辨率,控制精度高。各刺激单元之间采用时序控制电路提供时序。该芯片可以为视障人士恢复视觉提供帮助。

    一种全集成超声回波信号接收系统

    公开(公告)号:CN114640364A

    公开(公告)日:2022-06-17

    申请号:CN202210179986.8

    申请日:2022-02-25

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属于集成电路技术领域,具体为一种全集成超声回波信号接收系统。本发明系统包括低噪声放大器、第一衰减器、第二放大器、第二衰减器、滤波器和模数转换器;低噪声放大器作为第一级电路接收一个或多个超声回波信号,第一衰减器根据超声回波信号强度变化,产生一组第一衰减回波信号。第一衰减回波信号被第二放大器放大后产生的放大信号被第二衰减器根据信号强度变化衰减,产生一组第二衰减回波信号;滤波器配置为接收第二衰减回波信号并滤除部分干扰与噪声后将回波信号输出至转换器;模数转换器与滤波器耦合将接收到的滤波回波信号转换为数字信号。本发明系统拓展了超声回波信号接收系统输入动态范围,优化了集成系统噪声性能并节约了面积。

    一种可变增益和带宽的模拟基带电路

    公开(公告)号:CN111865344A

    公开(公告)日:2020-10-30

    申请号:CN202010577618.X

    申请日:2020-06-23

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属于集成电路技术领域,具体为一种可变增益和带宽的模拟基带电路。本发明的模拟基带电路包括带宽可调的低通滤波器、可变增益放大器;低通滤波器为五阶切比雪夫Ⅰ型低通滤波器,由一个一阶RC低通滤波器和两个双二次结构组成,置于前级,用于将由混频器输出的信号进行滤波和放大,并提供20dB的恒定增益,通过调节电容值控制低通滤波器的带宽;可变增益放大器共有两级,每级结构相同,置于后级,用于将由低通滤波器输出的信号进行放大,提供从0到18dB的可变增益;每一可变增益放大器的带宽大于前级低通滤波器可调带宽的最大值,以保证系统能够正常工作。本发明模拟基带电路具有带宽宽、增益调节精确、噪声低、功耗小的特点。

    一种共享桥接电容阵列的两步式逐次逼近型模数转换器

    公开(公告)号:CN111756380A

    公开(公告)日:2020-10-09

    申请号:CN202010577613.7

    申请日:2020-06-23

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属于集成电路技术领域,具体为一种共享桥接电容阵列的两步式逐次逼近型模数转换器。本发明的模数转换器包括:一个粗精度子模数转换器,一个细精度子模数转换器,两者共享桥接电容阵列;粗精度子模数转换器在完成自身功能的同时,还被共享复用为细精度模数转换器的一部分。采用桥接电容结构,可节省大量面积;本发明将桥接电容的模数转换器和两步式模数转换器结合,将桥接电容阵列同时用作两步式模数转换器的粗精度DAC和细精度DAC,使结构带来高速、比较器功耗低等益处的同时,不需要增加额外的面积。

    一种具有层叠结构的多栅指数晶体管及其制备方法

    公开(公告)号:CN111613676A

    公开(公告)日:2020-09-01

    申请号:CN202010281186.8

    申请日:2020-04-11

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属于晶体管技术领域,具体为一种具有层叠结构的多栅指数晶体管。本发明多栅指数晶体管,依次由漏极、沟道、源极、沟道循环层叠构成,所有的沟道宽度均大于源漏宽度,在沟道右侧未被源漏覆盖的最右侧区域,分别形成栅氧化层和栅极,并且所有的栅极通过栅极金属相连接,以此形成统一的栅极;沟道以二维材料制备,多沟道受到统一栅极的调控;该晶体管沟道长度较小,电流流动方向沟道面积较大,因此沟道电流较大。并且所有的沟道受到统一的栅极调控,栅控能力强,集成度高,可应用于新型电子器件和医疗领域。

    一种基于柔性材料的堆叠模拟存储器

    公开(公告)号:CN111613254A

    公开(公告)日:2020-09-01

    申请号:CN202010281703.1

    申请日:2020-04-11

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属于存储器技术领域,具体为一种基于柔性材料的堆叠模拟存储器。本发明堆叠模拟存储器由多个时序单元电路和存储单元电路堆叠而成;存储单元电路由NMOS管和电容组成,其栅极作为控制端,输出信号保存在电容极板和输出端上;时序单元电路由四个NMOS管构成,上面两个NMOS管的栅极作为控制端,下面第一个NMOS管的栅极为信号输入端,第二NMOS管的源极为信号的输出端,上面第一个NMOS管的源极连接下面第二个NMOS管的栅极;时序单元电路的输出端连接存储单元电路的控制端,各存储单元的输入端连接同一个输入信号,各存储单元电路的输出端输出不同模拟信号。本发明易于集成实现堆叠,存储密度高,可应用于可穿戴设备当中。

    一种应用于太赫兹皮肤成像领域的CMOS集成电路太赫兹源

    公开(公告)号:CN106026921B

    公开(公告)日:2019-04-05

    申请号:CN201610318871.7

    申请日:2016-05-14

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属于太赫兹CMOS生物成像技术领域,具体为应用于太赫兹皮肤成像领域的CMOS集成电路太赫兹源。本发明采用一种新型的四倍频注入锁定结构实现宽锁定范围和高转换增益倍频。该电路包括8个交叉耦合振荡器和4个倍频器;双推注入对管的正交输入采用电容交流方式耦合,栅极偏置电压设置可调,通过调节双推注入对管的偏置可以获得最大的转换增益和锁定范围。驱动电容负载时,该注入锁定倍频器可以实现300GHz到400GHz接近60%的锁定范围,转换增益最高可达7dB,整体功耗不超过18 mW,彻底克服工艺误差、温度漂移带来的锁定范围变化,中心频率浮动和输出摆幅偏低等影响。

    一种应用于太赫兹皮肤成像领域的CMOS集成电路太赫兹检测器

    公开(公告)号:CN106026920B

    公开(公告)日:2019-04-05

    申请号:CN201610309966.2

    申请日:2016-05-11

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属于集成电路技术领域,具体涉及一种应用于太赫兹皮肤成像领域的CMOS集成电路太赫兹检测器。本发明采用了一种超可再生的接收机电路,该电路结构包括一个低噪声放大器,一组振荡器和一组包络检波电路。太赫兹波注入低噪声放大器采用电容交流方式耦合,栅极偏置电压设置可调,通过调节注入对管的偏置可以获得最大的转换增益。包络检波输出一个正相关于输入信号强度的电压信号,该注入实现300GHz到400GHz接近‑80dBm的灵敏度,转换增益最高可达57dB,整体功耗不超过8 mW。本发明彻底克服了工艺误差、温度漂移带来的锁定范围变化以及中心频率浮动和输出摆幅偏低等影响,使得能够应用于高性能太赫兹检测器中。

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