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公开(公告)号：CN115544937A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211168809.6
申请日：2022-09-24
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F30/39 , G06F115/12
Abstract: 本发明属于半导体集成电路技术领域，具体为一种部分耗尽型绝缘层上硅金属氧化物半导体场效应管体区电阻的计算方法。本发明根据H型栅MOSFET结构特点，利用电容感应电荷原理，求解正面栅压和背面栅压在器件体硅内产生的耗尽电荷量。然后根据源极pn结、漏极pn结模型，得到体硅中pn结的耗尽电荷。在此基础上，建立一个基本的体区多子电荷模型，并得到体区内所有剩余多子电荷电量。然后根据电荷移动规律，建立体硅的电阻模型，以便快速准确得到体区电阻。模型结果与仿真和实验结果都高度吻合。本发明物理概念清晰，易于计算，且计算精度高，为提取SOI MOSFET的关键参数提供了一种有效的计算办法。
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公开(公告)号：CN108416115B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN201810133628.7
申请日：2018-02-09
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F30/39
Abstract: 本发明属于集成电路半导体技术领域，具体为一种氮化镓基大功率高电子迁移率晶体管沟道电流计算方法。晶体管的结构是异质结，制备方法：在未掺杂的GaN上通过分子束外延生长AlGaN，然后对AlGaN进行n型简并掺杂，在掺杂的AlGaN与GaN之间隔一层很薄的本征AlGaN，以减少施主原子对电子的散射；此器件可用于大功率电子。本发明通过求出这种器件的沟道电势和二维电子气电荷密度，考虑电子的漂移和扩散，得到沟道任意处的电流与该处电势之间关系式；忽略复合和产生电流，不同沟道点的电流相等，得到沟道电势以及源漏电流的解析表达式。该解析模型形式简洁、物理概念清晰，为电路模拟软件在研究大功率HEMT器件时提供了快速的电路仿真工具。
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公开(公告)号：CN112290689A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202010975640.X
申请日：2020-09-16
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于医疗植入器件技术领域，具体为一种医疗植入器件无线能量传输系统中互感系数的优化设计方法。本发明通过理论分析和基于三维仿真软件HFSS仿真，得到提高互感系数M的优化设计方法，包括利用HFSS仿真和/或理论计算，找到发射和接收线圈正对准情况下WPT系统的各个参数，如线圈间距、发射线圈的线圈匝数、内外半径、匝间距等对M的影响，通过实验对仿真结果进行验证；并对接收线圈接收角度翻转或因为接收线圈和发射线圈中心水平距离偏移导致的M减小进行优化改善，为这类医疗植入器件无线能量传输系统的设计提供参考。利用本发明方法，可以方便、快捷得到发送和接收线圈的关键参数值，使互感系数最大化。
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公开(公告)号：CN105447231A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510775618.X
申请日：2015-11-15
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5036
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体为一种无源漏三栅结构场效应管阈值电压的快速提取方法。本发明通过求解直角坐标系下的三维泊松方程获得这种结构场效应管亚阈值区的沟道电势分布，然后根据本发明阈值电压的定义，沟道内平均电势等于准费米势减去2倍热电势时，所加栅压为阈值电压。据此可以得到阈值电压解析模型。该阈值电压解析模型形式简洁、物理概念清晰，为电路模拟软件在获取新型无源漏三栅场效应器件阈值电压时，提供了一种快速精确的提取工具。
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公开(公告)号：CN102054056A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200910198448.8
申请日：2009-11-06
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F17/50 , G01R31/3185
Abstract: 本发明属于电子技术领域，具体涉及一种现场可编程门阵列的抗辐射性能快速模拟方法。该方法提出了一种与具体硬件结构无关、基于权重的错误注入模型，用于准确模拟基于SRAM的FPGA抗辐射性能；同时提出了基于JTAG边界扫描技术和动态局部重配置技术的错误注入模拟平台。结合二者的错误注入系统不但具有良好的通用性，而且能更准确更高效地进行模拟，同时成本更低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113935154B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202111125141.2
申请日：2021-09-25
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于医疗植入器件技术领域，具体为一种用于心脏起搏器的电磁感应无线能量传输系统中能量传输效率的优化方法。本发明的电磁感应无线能量传输系统中，发射线圈采用平面螺旋线圈结构，接收线圈采用螺旋管结构，接收线圈缠绕在心脏起搏器侧面；本发明通过系统中能量传输效率的理论计算和基于三维仿真软件HFSS仿真，找到发射线圈和接收线圈正对准情况下无线能量传输系统的各个参数：发射线圈的几何形状、发射线圈和人体组织表面距离，分析这些参数对能量传输效率的影响，并通过实验对仿真结果进行验证；本发明方法可以方便、快捷得到发射和接收线圈的关键参数值，使能量传输效率最大化；可为这类医疗植入器件无线能量传输系统的设计提供参考。
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公开(公告)号：CN109325304A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201811177495.X
申请日：2018-10-10
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明属于集成电路半导体技术领域，具体为一种石墨烯隧穿场效应管量子隧穿系数和电流的计算方法。本发明通过对隧穿场效应器件的隧穿系数进行建模，通过隧穿系数与电荷通量乘积积分得到齐纳击穿电流解析表达式。该电流表达式形式简洁、物理概念清晰，为电路模拟软件在研究石墨烯隧穿场效应管时提供一种快速电路仿真工具。本发明所涉及的隧穿场效应管，以横向隧穿为主要隧穿机制，可看做一个栅控的p+-i-n+结。仿真结果表明，该隧穿场效应管具有良好的亚阈值特性，最小亚阈值摆幅可以低至20 mV/dec，比传统MOSFET的最小亚阈值摆幅60 mV/dec还要小三倍，为此类隧穿器件的实际开发和应用提供了很好的应用基础。
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公开(公告)号：CN104881520B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201510220301.X
申请日：2015-05-04
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明属于半导体集成电路技术领域，具体为一种三栅FinFET电势和亚阈值摆幅的提取方法。本发明首先根据沟道电势分布的三维泊松方程，构筑合适的边界条件，建立沟道的电势分布的解析模型；然后根据三栅FinFET的电势分布，根据器件工作在亚阈值区的情况下，沟道表面电势、电场状况，建立亚阈值电流解析模型，并由此得到亚阈值摆幅的解析模型；然后根据获得的电势分布的解析模型和亚阈值摆幅的解析模型，快速、准确、方便地计算得到三栅FinFET电势和亚阈值摆幅。本发明方法物理概念清晰，易于计算，且计算精度高，为新型三栅FinFET器件的关键参数提取提供了一种有效的解决办法。
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公开(公告)号：CN102270263B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201110260259.6
申请日：2011-09-05
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体为一种计算双栅结构金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）阈值电压的模型。本发明通过求出这种肖特基源漏双栅结构MOSFET的电势分布，然后根据本发明阈值电压的定义方法，当栅极所加电压使得硅表面处导带最低点与硅的费米能级重合时的电压值，从而得到阈值电压解析模型。该阈值电压解析模型形式简洁、物理概念清晰，为电路模拟软件在研究新型肖特基源漏双栅结构器件时候，提供了一种快速的工具。
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公开(公告)号：CN109325304B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN201811177495.X
申请日：2018-10-10
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明属于集成电路半导体技术领域，具体为一种石墨烯隧穿场效应管量子隧穿系数和电流的确定方法。本发明通过对隧穿场效应器件的隧穿系数进行建模，通过隧穿系数与电荷通量乘积积分得到齐纳击穿电流解析表达式。该电流表达式形式简洁、物理概念清晰，为电路模拟软件在研究石墨烯隧穿场效应管时提供一种快速电路仿真工具。本发明所涉及的隧穿场效应管，以横向隧穿为主要隧穿机制，可看做一个栅控的p+‑i‑n+结。仿真结果表明，该隧穿场效应管具有良好的亚阈值特性，最小亚阈值摆幅可以低至20 mV/dec，比传统MOSFET的最小亚阈值摆幅60 mV/dec还要小三倍，为此类隧穿器件的实际开发和应用提供了很好的应用基础。
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