公开(公告)号：CN115544937A

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202211168809.6

申请日：2022-09-24

Applicant: 复旦大学

Inventor： 胡光喜 ,  陆叶 ,  于天晔

IPC: G06F30/39 ,  G06F115/12

Abstract: 本发明属于半导体集成电路技术领域，具体为一种部分耗尽型绝缘层上硅金属氧化物半导体场效应管体区电阻的计算方法。本发明根据H型栅MOSFET结构特点，利用电容感应电荷原理，求解正面栅压和背面栅压在器件体硅内产生的耗尽电荷量。然后根据源极pn结、漏极pn结模型，得到体硅中pn结的耗尽电荷。在此基础上，建立一个基本的体区多子电荷模型，并得到体区内所有剩余多子电荷电量。然后根据电荷移动规律，建立体硅的电阻模型，以便快速准确得到体区电阻。模型结果与仿真和实验结果都高度吻合。本发明物理概念清晰，易于计算，且计算精度高，为提取SOI MOSFET的关键参数提供了一种有效的计算办法。

公开(公告)号：CN118606607A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410559501.7

申请日：2024-05-08

Applicant: 复旦大学

Inventor： 陆叶 ,  于天晔 ,  胡光喜 ,  肖功腾

IPC: G06F17/11 ,  G06F30/20

Abstract: 本发明属于半导体集成电路技术领域，具体为一种SOI MOSFET表面势计算方法。本发明根据SOI MOSFET结构特点，给出SOI半导体硅膜内的泊松方程表达式，并通过对泊松方程进行一次积分得到表面势满足的方程(SPE)；然后根据SOI器件的不同状态，将不同栅压下的半导体分为不同工作区并取近似，设计较优的初值函数，以便准确快速地得到表面势解析近似解。在取得的近似的基础上，通过两次修正以保证计算准确性。本发明方法与仿真和实验结果都高度吻合。本发明物理概念清晰，计算精度高，且保证计算效率。本发明对后续电路设计有着重要意义。

公开(公告)号：CN118446160A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202410460185.8

申请日：2024-04-17

Applicant: 复旦大学

Inventor： 陆叶 ,  肖功腾 ,  胡光喜 ,  于天晔

IPC: G06F30/373

Abstract: 本发明属于集成电路半导体技术领域，具体为一种基于表面势的SOI MOSFET电容计算方法。本发明对SOI MOSFET的端电荷和电容进行建模，通过求解泊松方程和边界条件得到端电荷和电容相对表面势的解析表达式。本发明引入了硅膜后表面寄生电容，使该模型能准确拟合栅极电容的凹坑现象。通过与TCAD仿真数据和实验数据进行验证，本发明可以精准拟合SOI MOSFET的端电容及栅极电容的凹坑现象，拟合误差小于1.5％，为模拟和射频电路设计提供一种高精度电容紧凑模型。