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公开(公告)号：CN112290689A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202010975640.X
申请日：2020-09-16
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于医疗植入器件技术领域，具体为一种医疗植入器件无线能量传输系统中互感系数的优化设计方法。本发明通过理论分析和基于三维仿真软件HFSS仿真，得到提高互感系数M的优化设计方法，包括利用HFSS仿真和/或理论计算，找到发射和接收线圈正对准情况下WPT系统的各个参数，如线圈间距、发射线圈的线圈匝数、内外半径、匝间距等对M的影响，通过实验对仿真结果进行验证；并对接收线圈接收角度翻转或因为接收线圈和发射线圈中心水平距离偏移导致的M减小进行优化改善，为这类医疗植入器件无线能量传输系统的设计提供参考。利用本发明方法，可以方便、快捷得到发送和接收线圈的关键参数值，使互感系数最大化。
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公开(公告)号：CN113935154B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202111125141.2
申请日：2021-09-25
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于医疗植入器件技术领域，具体为一种用于心脏起搏器的电磁感应无线能量传输系统中能量传输效率的优化方法。本发明的电磁感应无线能量传输系统中，发射线圈采用平面螺旋线圈结构，接收线圈采用螺旋管结构，接收线圈缠绕在心脏起搏器侧面；本发明通过系统中能量传输效率的理论计算和基于三维仿真软件HFSS仿真，找到发射线圈和接收线圈正对准情况下无线能量传输系统的各个参数：发射线圈的几何形状、发射线圈和人体组织表面距离，分析这些参数对能量传输效率的影响，并通过实验对仿真结果进行验证；本发明方法可以方便、快捷得到发射和接收线圈的关键参数值，使能量传输效率最大化；可为这类医疗植入器件无线能量传输系统的设计提供参考。
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公开(公告)号：CN109325304A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201811177495.X
申请日：2018-10-10
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明属于集成电路半导体技术领域，具体为一种石墨烯隧穿场效应管量子隧穿系数和电流的计算方法。本发明通过对隧穿场效应器件的隧穿系数进行建模，通过隧穿系数与电荷通量乘积积分得到齐纳击穿电流解析表达式。该电流表达式形式简洁、物理概念清晰，为电路模拟软件在研究石墨烯隧穿场效应管时提供一种快速电路仿真工具。本发明所涉及的隧穿场效应管，以横向隧穿为主要隧穿机制，可看做一个栅控的p+-i-n+结。仿真结果表明，该隧穿场效应管具有良好的亚阈值特性，最小亚阈值摆幅可以低至20 mV/dec，比传统MOSFET的最小亚阈值摆幅60 mV/dec还要小三倍，为此类隧穿器件的实际开发和应用提供了很好的应用基础。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108733940B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN201810525728.4
申请日：2018-05-28
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明属于集成电路半导体技术领域，具体为一种高性能硅基椭圆栅隧穿场效应晶体管。其结构为以氧化铪作为衬底氧化层，在氧化铪上方是作为沟道和源漏的半椭柱型硅，在沟道上覆盖与沟道同长径比的椭环型氧化铪栅氧化层和金属栅。其中，对源端进行p型高浓度的硼掺杂，对沟道进行轻n掺杂，对漏端进行n型高浓度的磷掺杂。这种场效应管以横向隧穿为主要隧穿机制，可看做一个栅控的p‑i‑n结。仿真软件仿真表明，该隧穿场效应管具有良好的亚阈值特性，最小亚阈值摆幅可以低至20 mV/dec，比传统MOSFET的最小亚阈值摆幅60 mV/dec还要小三倍，为此类隧穿器件的实际开发和应用提供了很好的设计基础。
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公开(公告)号：CN113935154A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111125141.2
申请日：2021-09-25
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于医疗植入器件技术领域，具体为一种用于心脏起搏器的电磁感应无线能量传输系统中能量传输效率的优化方法。本发明的电磁感应无线能量传输系统中，发射线圈采用平面螺旋线圈结构，接收线圈采用螺旋管结构，接收线圈缠绕在心脏起搏器侧面；本发明通过系统中能量传输效率的理论计算和基于三维仿真软件HFSS仿真，找到发射线圈和接收线圈正对准情况下无线能量传输系统的各个参数：发射线圈的几何形状、发射线圈和人体组织表面距离，分析这些参数对能量传输效率的影响，并通过实验对仿真结果进行验证；本发明方法可以方便、快捷得到发射和接收线圈的关键参数值，使能量传输效率最大化；可为这类医疗植入器件无线能量传输系统的设计提供参考。
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公开(公告)号：CN108733940A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810525728.4
申请日：2018-05-28
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明属于集成电路半导体技术领域，具体为一种高性能硅基椭圆栅隧穿场效应晶体管。其结构为以氧化铪作为衬底氧化层，在氧化铪上方是作为沟道和源漏的半椭柱型硅，在沟道上覆盖与沟道同长径比的椭环型氧化铪栅氧化层和金属栅。其中，对源端进行p型高浓度的硼掺杂，对沟道进行轻n掺杂，对漏端进行n型高浓度的磷掺杂。这种场效应管以横向隧穿为主要隧穿机制，可看做一个栅控的p-i-n结。仿真软件仿真表明，该隧穿场效应管具有良好的亚阈值特性，最小亚阈值摆幅可以低至20 mV/dec，比传统MOSFET的最小亚阈值摆幅60 mV/dec还要小三倍，为此类隧穿器件的实际开发和应用提供了很好的设计基础。
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公开(公告)号：CN109325304B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN201811177495.X
申请日：2018-10-10
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明属于集成电路半导体技术领域，具体为一种石墨烯隧穿场效应管量子隧穿系数和电流的确定方法。本发明通过对隧穿场效应器件的隧穿系数进行建模，通过隧穿系数与电荷通量乘积积分得到齐纳击穿电流解析表达式。该电流表达式形式简洁、物理概念清晰，为电路模拟软件在研究石墨烯隧穿场效应管时提供一种快速电路仿真工具。本发明所涉及的隧穿场效应管，以横向隧穿为主要隧穿机制，可看做一个栅控的p+‑i‑n+结。仿真结果表明，该隧穿场效应管具有良好的亚阈值特性，最小亚阈值摆幅可以低至20 mV/dec，比传统MOSFET的最小亚阈值摆幅60 mV/dec还要小三倍，为此类隧穿器件的实际开发和应用提供了很好的应用基础。
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公开(公告)号：CN112290689B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202010975640.X
申请日：2020-09-16
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于医疗植入器件技术领域，具体为一种医疗植入器件无线能量传输系统中互感系数的优化设计方法。本发明通过理论分析和基于三维仿真软件HFSS仿真，得到提高互感系数M的优化设计方法，包括利用HFSS仿真和/或理论计算，找到发射和接收线圈正对准情况下WPT系统的各个参数，如线圈间距、发射线圈的线圈匝数、内外半径、匝间距等对M的影响，通过实验对仿真结果进行验证；并对接收线圈接收角度翻转或因为接收线圈和发射线圈中心水平距离偏移导致的M减小进行优化改善，为这类医疗植入器件无线能量传输系统的设计提供参考。利用本发明方法，可以方便、快捷得到发送和接收线圈的关键参数值，使互感系数最大化。
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