一种围栅结构MOSFET阈值电压解析模型

    公开(公告)号:CN102254072A

    公开(公告)日:2011-11-23

    申请号:CN201110219237.5

    申请日:2011-08-02

    Applicant: 复旦大学

    CPC classification number: Y02E60/76 Y04S40/22

    Abstract: 本发明属于半导体技术领域,具体为一种计算围栅结构金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)阈值电压的解析模型。本发明通过求出围栅结构MOSFET的电势分布,根据电势分布求出其表面电荷密度,然后根据本发明阈值电压的定义方法,在器件虚电极处表面电荷密度等于临界电荷密度时候对应的栅电压为阈值电压,从而得到阈值电压解析模型。该阈值电压解析模型形式简洁、物理概念清晰,且计算精度高,为电路模拟软件在研究新型围栅器件时候,提供了一种快速精确的工具。

    一种肖特基源漏双栅结构MOSFET阈值电压解析模型

    公开(公告)号:CN102270263B

    公开(公告)日:2013-06-12

    申请号:CN201110260259.6

    申请日:2011-09-05

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属于半导体技术领域,具体为一种计算双栅结构金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)阈值电压的模型。本发明通过求出这种肖特基源漏双栅结构MOSFET的电势分布,然后根据本发明阈值电压的定义方法,当栅极所加电压使得硅表面处导带最低点与硅的费米能级重合时的电压值,从而得到阈值电压解析模型。该阈值电压解析模型形式简洁、物理概念清晰,为电路模拟软件在研究新型肖特基源漏双栅结构器件时候,提供了一种快速的工具。

    一种共享高速缓存动态划分方法与电路

    公开(公告)号:CN102609362A

    公开(公告)日:2012-07-25

    申请号:CN201210020643.3

    申请日:2012-01-30

    Applicant: 复旦大学

    Inventor: 周晓方 倪亚路

    Abstract: 本发明属于计算机技术领域,具体为一种共享高速缓存动态划分方法与电路。本发明中,为共享Cache设置监控电路和划分电路,监控电路用于监控各个核对共享Cache的利用率,划分电路根据监控得到的信息计算出共享Cache分配给每个核的最优路数,共享Cache则在划分电路计算结果的控制下工作。本发明提出了一种新的划分算法和替换策略,在共享Cache中创新性的加入了自由路,有效抑制不当的划分对系统性能的影响。本发明在兼顾正确划分共享Cache给系统性能带来提升的同时,大大减小了错误划分给系统性能带来的下降。与不划分共享Cache和基于效用最优划分共享Cache的方法相比,本发明提出的共享Cache动态划分方法将系统的性能平均提高了13.17%和8.83%。

    一种肖特基源漏双栅结构MOSFET阈值电压解析模型

    公开(公告)号:CN102270263A

    公开(公告)日:2011-12-07

    申请号:CN201110260259.6

    申请日:2011-09-05

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属于半导体技术领域,具体为一种计算双栅结构金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)阈值电压的模型。本发明通过求出这种肖特基源漏双栅结构MOSFET的电势分布,然后根据本发明阈值电压的定义方法,当栅极所加电压使得硅表面处导带最低点与硅的费米能级重合时的电压值,从而得到阈值电压解析模型。该阈值电压解析模型形式简洁、物理概念清晰,为电路模拟软件在研究新型肖特基源漏双栅结构器件时候,提供了一种快速的工具。

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