公开(公告)号：CN118431293B

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202410888590.X

申请日：2024-07-04

Applicant: 嘉善复旦研究院 ,  复旦大学

Inventor： 徐航 ,  杨雅芬 ,  钱哲弘 ,  崔文荣 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/10

Abstract: 本发明提供了一种碳化硅器件及其制造方法，碳化硅器件包括N+型碳化硅衬底；设于所述N+型碳化硅衬底上的N型漂移区；设于所述N型漂移区上的阶梯形栅极结构，所述阶梯形栅极结构的底部具有阶梯形P型屏蔽区；设于所述N型漂移区上的源极金属层；设于所述N+型碳化硅衬底底部的漏极金属层。本发明提供的碳化硅器件及其制造方法，其制备工艺简单，且制备出的碳化硅器件降低了栅极氧化层附近的电场，提高了碳化硅器件使用的可靠性。

公开(公告)号：CN118431293A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202410888590.X

申请日：2024-07-04

Applicant: 嘉善复旦研究院 ,  复旦大学

Inventor： 徐航 ,  杨雅芬 ,  钱哲弘 ,  崔文荣 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/10

Abstract: 本发明提供了一种碳化硅器件及其制造方法，碳化硅器件包括N+型碳化硅衬底；设于所述N+型碳化硅衬底上的N型漂移区；设于所述N型漂移区上的阶梯形栅极结构，所述阶梯形栅极结构的底部具有阶梯形P型屏蔽区；设于所述N型漂移区上的源极金属层；设于所述N+型碳化硅衬底底部的漏极金属层。本发明提供的碳化硅器件及其制造方法，其制备工艺简单，且制备出的碳化硅器件降低了栅极氧化层附近的电场，提高了碳化硅器件使用的可靠性。

公开(公告)号：CN119170627A

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN202411294364.5

申请日：2024-09-14

Applicant: 复旦大学

Inventor： 崔文荣 ,  王常昊 ,  徐航 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种含有N+阱区和隧穿结的高工作温度IGBT器件及其制备方法。该IGBT器件自下而上依次包括集电极，含有N+阱区的P+集电区，N+掺杂的隧穿层，N型场阻止层，N型漂移区，N型载流子存储层，P型基区；沟槽栅贯穿P型基区和N型载流子存储层，N+发射区形成在P型基区上部、位于沟槽栅的两侧，发射极覆盖器件表面；其中，含有N+阱区的P+集电区中，N+阱区的厚度小于P+集电区，其下部与P+集电区平齐并外接集电极电位，其上方为薄层P+集电区；N+掺杂的隧穿层与P+集电区组成隧穿结。N+阱混合集电极结构和重掺杂隧穿结集电极结构协同降低IGBT的器件漏电流，从而提高工作温度。