公开(公告)号：CN120035173A

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202510186036.1

申请日：2025-02-20

Applicant: 复旦大学

Inventor： 望智文 ,  徐航 ,  郭剑斌 ,  廖朋 ,  孙清清

IPC: H10D30/62 ,  H10D62/17 ,  H10D62/10 ,  H10D30/01

Abstract: 本发明公开一种鳍式沟道和平面沟道混合式碳化硅MOSFET及其制备方法。该器件包括：碳化硅衬底；N型漂移区，形成在碳化硅衬底上；沟道层，形成在N型漂移区上，沟道层包括平面沟道和鳍式沟道，且鳍式沟道位于平面沟道上；底部P型基区，形成在平面沟道上部的两侧区域，与鳍式沟道保持一定距离；底部N+区，形成在底部P型基区的上部；顶部P型基区，形成在鳍式沟道上；顶部N+区，形成在顶部P型基区上；栅介质层，形成在鳍式沟道两侧，覆盖顶部N+区、顶部P型基区和鳍式沟道的侧壁和平面沟道表面；多晶硅栅，形成在栅介质层上；氧化物层，覆盖多晶硅栅；源极欧姆接触，与底部N+区表面和顶部的N+区表面相接触。有效提升器件电流通道密度、降低导通电阻。

公开(公告)号：CN119170639A

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN202411294365.X

申请日：2024-09-14

Applicant: 复旦大学

Inventor： 汪杨浩 ,  徐航 ,  廖朋 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开一种自集成反向续流晶体管结构的碳化硅功率器件及其制备方法。该功率器件包括碳化硅衬底，N型漂移层，N型载流子存储层和P型基区，N+源区和P+欧姆接触区；栅极沟槽，贯穿N+源区，P型基区和N型载流子存储层；续流晶体管，包括续流晶体管的P型基区；续流晶体管的漏极N+区域，形成在续流晶体管的P型基区上部的中央区域；续流晶体管的栅氧层和续流晶体管的栅极，形成在栅极沟槽中，与续流晶体管的漏极N+区域相短接；功率器件的栅极，形成在续流晶体管的栅极的上方，且彼此隔离；顶层隔离层，覆盖栅极沟槽；钝化层，形成于器件顶部的两侧；源极欧姆接触，覆盖器件表面，其中，当器件工作在第三象限时，续流晶体管开启，实现反向续流。