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发明公开
非易失性存储器单元中的电阻漂移减轻审中-实审

公开(公告)号：CN116584168A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202180079488.X

申请日：2021-10-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： P·阿杜苏米利 , A·钱德拉 , 安藤崇志 , 池澄 , R·维加

IPC: H10B63/10 , H10N70/20

Abstract: 一种蘑菇型相变存储器(PCM)器件，包括：衬底；下互连，被设置在衬底中；第一电介质层，被设置在衬底上；底电极，被设置在第一电介质层中并且在第一电介质层的上表面上方延伸；类型漂移减轻内衬，环绕在第一电介质层的上表面上方延伸的底电极的上部；PCM元件，被设置在内衬和底电极的上表面上；顶电极，被设置在PCM元件上；以及第二电介质层，被设置在第一电介质层的暴露部分和顶电极上，其中第二电介质层被设置在内衬、PCM元件和顶电极的侧壁上。

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