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公开(公告)号：CN103180933A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201180043205.2
申请日：2011-08-10
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/3205 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/76829 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02348 , H01L21/3105 , H01L21/76832 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , Y10S438/96 , H01L2924/00
Abstract: 在BEOL工艺中，在超低k(ULK)电介质100的固化工艺中使用UV辐射。这一辐射经过ULK材料渗透并且到达在它下面的盖层膜。在UV光与膜之间的相互作用造成盖层膜的性质的改变。特别关注盖层的应力状态从压缩应力改变成拉伸应力。这造成更弱的电介质-盖层界面和ULK膜的机械失效。在盖层130与ULK膜之间插入纳米颗粒层120。纳米颗粒在UV光可以损坏盖层膜之前吸收UV光，因此维持ULK电介质的机械完整性。
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公开(公告)号：CN104040711B
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201380005216.0
申请日：2013-01-10
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L23/5256 , H01H2085/0275 , H01L21/76805 , H01L21/76807 , H01L21/76811 , H01L21/76816 , H01L23/5226 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种BEOL电子熔断器，该BEOL电子熔断器在通孔内会可靠地烧断，并且即使在最紧密间距的BEOL层内也能够形成。该BEOL电子熔断器能够使用线路优先的双镶嵌工艺来形成，以产生将作为电子熔断器的可编程链路的亚光刻通孔。亚光刻通孔能够使用标准的光刻技术来图形化，并且通孔的截面能够进行调整以匹配目标编程电流。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104040711A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201380005216.0
申请日：2013-01-10
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L23/5256 , H01H2085/0275 , H01L21/76805 , H01L21/76807 , H01L21/76811 , H01L21/76816 , H01L23/5226 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种BEOL电子熔断器，该BEOL电子熔断器在通孔内会可靠地烧断，并且即使在最紧密间距的BEOL层内也能够形成。该BEOL电子熔断器能够使用线路优先的双镶嵌工艺来形成，以产生将作为电子熔断器的可编程链路的亚光刻通孔。亚光刻通孔能够使用标准的光刻技术来图形化，并且通孔的截面能够进行调整以匹配目标编程电流。
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公开(公告)号：CN101490827A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200780026852.6
申请日：2007-05-18
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/4763
CPC classification number: H01L21/76808 , H01L21/76805 , H01L21/76814 , H01L21/76846 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种在层间介电(ILD)材料中形成互连结构的方法，该方法包括步骤：在ILD材料中建立一个或多个通孔开口；形成覆盖一个或多个通孔开口中的至少一个的第一内衬；在由第一内衬覆盖的一个或多个通孔开口中的至少一个的顶上建立一个或多个沟槽开口；以及形成覆盖一个或多个沟槽开口中的至少一个和至少部分第一内衬的第二内衬。还提供了一种通过该方法形成的互连结构。
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公开(公告)号：CN105051885B
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201380075080.0
申请日：2013-12-09
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/82
CPC classification number: H01L23/5256 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L23/53266 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种电子熔丝结构包括Mx级(202)(包括Mx金属(208))，以及在Mx级上的Mx+1级(214)，Mx+1级包括Mx+1金属(238)和在竖直方向上将Mx金属电连接到Mx+1金属的通路(242)，其中Mx+1金属包括厚部分和薄部分，并且其中Mx金属、Mx+1金属和通路基本上使用导电材料填充。
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公开(公告)号：CN105051885A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201380075080.0
申请日：2013-12-09
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/82
CPC classification number: H01L23/5256 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L23/53266 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种电子熔丝结构包括Mx级(202)(包括Mx金属(208))，以及在Mx级上的Mx+1级(214)，Mx+1级包括Mx+1金属(238)和在竖直方向上将Mx金属电连接到Mx+1金属的通路(242)，其中Mx+1金属包括厚部分和薄部分，并且其中Mx金属、Mx+1金属和通路基本上使用导电材料填充。
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公开(公告)号：CN101490827B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200780026852.6
申请日：2007-05-18
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/4763
CPC classification number: H01L21/76808 , H01L21/76805 , H01L21/76814 , H01L21/76846 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种在层间介电(ILD)材料中形成互连结构的方法，该方法包括步骤：在ILD材料中建立一个或多个通孔开口；形成覆盖一个或多个通孔开口中的至少一个的第一内衬；在由第一内衬覆盖的一个或多个通孔开口中的至少一个的顶上建立一个或多个沟槽开口；以及形成覆盖一个或多个沟槽开口中的至少一个和至少部分第一内衬的第二内衬。还提供了一种通过该方法形成的互连结构。
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