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公开(公告)号：CN104347493A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410365965.0
申请日：2014-07-29
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/532
CPC classification number: H01L23/528 , H01L21/76834 , H01L21/76838 , H01L21/76849 , H01L23/53209 , H01L23/53238 , H01L23/53242 , H01L23/53257 , H01L23/53261 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体及其制造方法。公开了用于防止由于电迁移和时间相关的电介质击穿而导致集成电路失效的方法和结构。以比(针对短长度效应的)临界长度小的金属盖片段之间的间隔距离在金属(通常是铜Cu)互连线上选择性形成随机图案化的金属盖层。由于Cu/金属盖界面的扩散性低于Cu/电介质盖界面的扩散性，因此具有金属盖的区域用作扩散势垒。
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公开(公告)号：CN105051885B
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201380075080.0
申请日：2013-12-09
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/82
CPC classification number: H01L23/5256 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L23/53266 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种电子熔丝结构包括Mx级(202)(包括Mx金属(208))，以及在Mx级上的Mx+1级(214)，Mx+1级包括Mx+1金属(238)和在竖直方向上将Mx金属电连接到Mx+1金属的通路(242)，其中Mx+1金属包括厚部分和薄部分，并且其中Mx金属、Mx+1金属和通路基本上使用导电材料填充。
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公开(公告)号：CN105051885A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201380075080.0
申请日：2013-12-09
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/82
CPC classification number: H01L23/5256 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L23/53266 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种电子熔丝结构包括Mx级(202)(包括Mx金属(208))，以及在Mx级上的Mx+1级(214)，Mx+1级包括Mx+1金属(238)和在竖直方向上将Mx金属电连接到Mx+1金属的通路(242)，其中Mx+1金属包括厚部分和薄部分，并且其中Mx金属、Mx+1金属和通路基本上使用导电材料填充。
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公开(公告)号：CN104347493B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201410365965.0
申请日：2014-07-29
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/532
CPC classification number: H01L23/528 , H01L21/76834 , H01L21/76838 , H01L21/76849 , H01L23/53209 , H01L23/53238 , H01L23/53242 , H01L23/53257 , H01L23/53261 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体及其制造方法。公开了用于防止由于电迁移和时间相关的电介质击穿而导致集成电路失效的方法和结构。以比(针对短长度效应的)临界长度小的金属盖片段之间的间隔距离在金属(通常是铜Cu)互连线上选择性形成随机图案化的金属盖层。由于Cu/金属盖界面的扩散性低于Cu/电介质盖界面的扩散性，因此具有金属盖的区域用作扩散势垒。
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