公开(公告)号：CN104040711B

公开(公告)日：2017-10-03

申请号：CN201380005216.0

申请日：2013-01-10

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 鲍军静 ,  G·波尼拉 ,  考施克·查恩达 ,  塞缪尔·S.·乔伊 ,  罗纳德.G.非利普 ,  斯特凡·格鲁诺夫 ,  N·E·勒斯蒂格 ,  丹·默伊 ,  安德鲁.H.西蒙

IPC: H01L21/82 ,  H01L23/62

CPC classification number: H01L23/5256 ,  H01H2085/0275 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76816 ,  H01L23/5226 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种BEOL电子熔断器，该BEOL电子熔断器在通孔内会可靠地烧断，并且即使在最紧密间距的BEOL层内也能够形成。该BEOL电子熔断器能够使用线路优先的双镶嵌工艺来形成，以产生将作为电子熔断器的可编程链路的亚光刻通孔。亚光刻通孔能够使用标准的光刻技术来图形化，并且通孔的截面能够进行调整以匹配目标编程电流。

公开(公告)号：CN104040711A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201380005216.0

申请日：2013-01-10

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 鲍军静 ,  G·波尼拉 ,  考施克·查恩达 ,  塞缪尔·S.·乔伊 ,  罗纳德.G.非利普 ,  斯特凡·格鲁诺夫 ,  N·E·勒斯蒂格 ,  丹·默伊 ,  安德鲁.H.西蒙

IPC: H01L21/82 ,  H01L23/62

CPC classification number: H01L23/5256 ,  H01H2085/0275 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76816 ,  H01L23/5226 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种BEOL电子熔断器，该BEOL电子熔断器在通孔内会可靠地烧断，并且即使在最紧密间距的BEOL层内也能够形成。该BEOL电子熔断器能够使用线路优先的双镶嵌工艺来形成，以产生将作为电子熔断器的可编程链路的亚光刻通孔。亚光刻通孔能够使用标准的光刻技术来图形化，并且通孔的截面能够进行调整以匹配目标编程电流。

公开(公告)号：CN105051885B

公开(公告)日：2018-10-19

申请号：CN201380075080.0

申请日：2013-12-09

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 鲍军静 ,  G·波尼拉 ,  S·S·乔伊 ,  R·G·菲利普 ,  李伟健 ,  E·考塔理欧谷 ,  N·E·勒斯蒂格 ,  A·H·西蒙 ,  王平川 ,  张丽娟

IPC: H01L21/82

CPC classification number: H01L23/5256 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种电子熔丝结构包括Mx级(202)(包括Mx金属(208))，以及在Mx级上的Mx+1级(214)，Mx+1级包括Mx+1金属(238)和在竖直方向上将Mx金属电连接到Mx+1金属的通路(242)，其中Mx+1金属包括厚部分和薄部分，并且其中Mx金属、Mx+1金属和通路基本上使用导电材料填充。

公开(公告)号：CN105051885A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201380075080.0

申请日：2013-12-09

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 鲍军静 ,  G·波尼拉 ,  S·S·乔伊 ,  R·G·菲利普 ,  李伟健 ,  E·考塔理欧谷 ,  N·E·勒斯蒂格 ,  A·H·西蒙 ,  王平川 ,  张丽娟

IPC: H01L21/82

CPC classification number: H01L23/5256 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种电子熔丝结构包括Mx级(202)(包括Mx金属(208))，以及在Mx级上的Mx+1级(214)，Mx+1级包括Mx+1金属(238)和在竖直方向上将Mx金属电连接到Mx+1金属的通路(242)，其中Mx+1金属包括厚部分和薄部分，并且其中Mx金属、Mx+1金属和通路基本上使用导电材料填充。