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公开(公告)号：CN101861638B
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN200880116679.3
申请日：2008-11-11
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/00
CPC classification number: G03F7/0048 , G03F7/0035 , G03F7/0397 , G03F7/40
Abstract: 本发明提供一种光致抗蚀剂组合物及在多重曝光/多层方法中使用所述光致抗蚀剂组合物的方法。所述光致抗蚀剂组合物包含：包含含有羟基结构部分的重复单元的聚合物；光酸产生剂；以及溶剂。当形成在衬底上时，所述聚合物在加热至约150℃或更高的温度后实质上不可溶于所述溶剂。一种方法包括在衬底上形成第一光致抗蚀剂层，在图案位置处曝光所述第一光致抗蚀剂层，在所述衬底以及图案化第一光致抗蚀剂层上形成第二非光致抗蚀剂层。另一种方法包括在衬底上形成第一光致抗蚀剂层，在图案位置处曝光所述第一光致抗蚀剂层，在所述衬底以及图案化第一光致抗蚀剂层上形成第二光致抗蚀剂层并且在图案位置处曝光所述第二光致抗蚀剂层。
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公开(公告)号：CN102591161A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210043396.9
申请日：2008-12-05
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: G03F7/0045 , G03F7/0397 , G03F7/40
Abstract: 本发明涉及一种方法及抗蚀剂组合物。抗蚀剂组合物包含：具有含有内酯结构部分的第一重复单元的聚合物、能产生碱的热碱产生剂、以及光敏酸产生剂。聚合物具有的特性为：实质可溶于第一溶剂，并且该聚合物在加热后变成实质不可溶。该方法包括：形成光致抗蚀剂薄膜，该光致抗蚀剂包含聚合物、能释出碱的热碱产生剂、光敏酸产生剂、以及溶剂。图案式成像薄膜。成像包括将薄膜曝光于辐射，导致产生酸催化剂。在水性碱中显像薄膜，导致移除可碱溶区域，并且形成图案化层。烘烤图案化层高于该温度，导致热碱产生剂在图案化层内释出碱，且导致图案化层变成不可溶于溶剂。
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公开(公告)号：CN100578752C
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200710181170.4
申请日：2007-10-12
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/528
CPC classification number: H01L23/5329 , B81C1/00095 , B81C2201/0149 , B81C2201/0198 , B82Y30/00 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/31144 , H01L21/76808 , H01L21/76811 , H01L21/76813 , H01L21/76816 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供使用能够通过利用预先制造的硬掩模图案来安置在特定位置的自组装嵌段共聚物，形成用于下一代半导体技术的包括纳米级如亚光刻的线和通孔的互联结构的方法。本发明的方法提供线自对准于孔的互联结构。
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公开(公告)号：CN100544001C
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200710109611.X
申请日：2007-06-07
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 集成电路以及制作集成电路的方法。披露了一种在分离的硅层上引入应变MOSFETs的IC的制作方法和结构。N型沟道场效应晶体管(nFET)和P型沟道场效应晶体管(pFET)分别形成于分离的硅层上。因此可以形成紧邻nFETs和pFETs的浅槽隔离(STI)区以将不同的应力引入各自nFETs和pFETs的沟道区。结果，通过STI应力可以提高nFETs和pFETs的性能。此外，由于两个硅层的位置彼此相对垂直，IC的面积也可以被降低。
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公开(公告)号：CN105051885B
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201380075080.0
申请日：2013-12-09
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/82
CPC classification number: H01L23/5256 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L23/53266 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种电子熔丝结构包括Mx级(202)(包括Mx金属(208))，以及在Mx级上的Mx+1级(214)，Mx+1级包括Mx+1金属(238)和在竖直方向上将Mx金属电连接到Mx+1金属的通路(242)，其中Mx+1金属包括厚部分和薄部分，并且其中Mx金属、Mx+1金属和通路基本上使用导电材料填充。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107078162A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201680003367.6
申请日：2016-02-15
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 物理不可克隆功能(PUF)半导体装置(100)包括沿着第一方向延伸以限定长度和沿着与第一方向相对的第二方向延伸以限定厚度的半导体衬底。在半导体衬底上形成至少一对半导体结构(102a，102b)。半导体结构(102a，102b)包括第一半导体结构(102a)和第二半导体结构(102b)。第一半导体结构(102a)包括具有限定第一阈值电压的第一形状的第一栅极电介质层(120a)。第二半导体结构(102b)包括具有第二电介质形状的第二栅极电介质层(120b)，第二电介质形状相对于第一形状相反地布置并且限定与第一阈值电压不同的第二阈值电压。
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公开(公告)号：CN105051885A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201380075080.0
申请日：2013-12-09
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/82
CPC classification number: H01L23/5256 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L23/53266 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种电子熔丝结构包括Mx级(202)(包括Mx金属(208))，以及在Mx级上的Mx+1级(214)，Mx+1级包括Mx+1金属(238)和在竖直方向上将Mx金属电连接到Mx+1金属的通路(242)，其中Mx+1金属包括厚部分和薄部分，并且其中Mx金属、Mx+1金属和通路基本上使用导电材料填充。
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公开(公告)号：CN101884013B
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN200880119057.6
申请日：2008-12-05
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: G03F7/0045 , G03F7/0397 , G03F7/40
Abstract: 一种方法及抗蚀剂组合物。抗蚀剂组合物包含：具有含有内酯结构部分的第一重复单元的聚合物、能产生碱的热碱产生剂、以及光敏酸产生剂。聚合物具有的特性为：实质可溶于第一溶剂，并且该聚合物在加热后变成实质不可溶。该方法包括：形成光致抗蚀剂薄膜，该光致抗蚀剂包含聚合物、能释出碱的热碱产生剂、光敏酸产生剂、以及溶剂。图案式成像薄膜。成像包括将薄膜曝光于辐射，导致产生酸催化剂。在水性碱中显像薄膜，导致移除可碱溶区域，并且形成图案化层。烘烤图案化层高于该温度，导致热碱产生剂在图案化层内释出碱，且导致图案化层变成不可溶于溶剂。
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公开(公告)号：CN101170126B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200710141185.8
申请日：2007-08-13
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/78 , H01L27/04 , H01L27/02 , H01L27/092 , H01L27/12 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/28123 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , B82Y30/00 , G03F7/0002 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/31144 , H01L29/66583 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种包括位于半导体衬底表面上的至少一个晶体管的半导体结构，其中该至少一个晶体管具有亚光刻沟道长度。也提供一种使用自组装嵌段共聚物形成这种半导体结构的方法，其中自组装嵌段共聚物可以使用预制硬掩模图案而位于特定位置。
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公开(公告)号：CN101335190B
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200810128529.6
申请日：2008-06-19
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/311 , H01L21/768
CPC classification number: B81C1/00031 , B81B2203/0315 , B81C2201/0149 , B82Y30/00 , H01L21/31144 , H01L21/7682 , H01L2221/1047
Abstract: 公开了将自组装纳米结构图案化和形成多孔电介质的方法。一方面，该方法包括在下层上提供硬掩模；用光刻胶在该硬掩模上预限定待在图案化过程中进行保护的区域；在该硬掩模及该光刻胶上形成共聚物层；由该共聚物形成自组装纳米结构；以及蚀刻以将该自组装纳米结构图案化。
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