公开(公告)号：CN1790667A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200510124653.1

申请日：2005-11-14

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 彼得·比奥尔斯 ,  塞缪尔·S.·乔伊

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/02063 ,  H01L21/31116

Abstract: 一种刻蚀位于导体层上的电介质层和覆盖层以产生通向导体的通孔图案的通孔的方法。该方法包括在光致抗蚀剂剥除步骤中提供四氟代甲烷(CF4)。另外，该方面可以在电介质层刻蚀步骤中提供增加量的四氟代甲烷(CF4)，和在覆盖层刻蚀步骤中提供三氟甲烷(CHF3)。本发明提供了较高的产率、更可预测的刻蚀速率、更快的加工过程和除去了对灰化步骤的需要。

公开(公告)号：CN100356548C

公开(公告)日：2007-12-19

申请号：CN200510124653.1

申请日：2005-11-14

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 彼得·比奥尔斯 ,  塞缪尔·S.·乔伊

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/02063 ,  H01L21/31116

Abstract: 一种刻蚀位于导体层上的电介质层和覆盖层以产生通向导体的通孔图案的通孔的方法。该方法包括在光致抗蚀剂剥除步骤中提供四氟代甲烷(CF4)。另外，该方面可以在电介质层刻蚀步骤中提供增加量的四氟代甲烷(CF4)，和在覆盖层刻蚀步骤中提供三氟甲烷(CHF3)。本发明提供了较高的产率、更可预测的刻蚀速率、更快的加工过程和除去了对灰化步骤的需要。

公开(公告)号：CN104040711B

公开(公告)日：2017-10-03

申请号：CN201380005216.0

申请日：2013-01-10

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 鲍军静 ,  G·波尼拉 ,  考施克·查恩达 ,  塞缪尔·S.·乔伊 ,  罗纳德.G.非利普 ,  斯特凡·格鲁诺夫 ,  N·E·勒斯蒂格 ,  丹·默伊 ,  安德鲁.H.西蒙

IPC: H01L21/82 ,  H01L23/62

CPC classification number: H01L23/5256 ,  H01H2085/0275 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76816 ,  H01L23/5226 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种BEOL电子熔断器，该BEOL电子熔断器在通孔内会可靠地烧断，并且即使在最紧密间距的BEOL层内也能够形成。该BEOL电子熔断器能够使用线路优先的双镶嵌工艺来形成，以产生将作为电子熔断器的可编程链路的亚光刻通孔。亚光刻通孔能够使用标准的光刻技术来图形化，并且通孔的截面能够进行调整以匹配目标编程电流。

公开(公告)号：CN104040711A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201380005216.0

申请日：2013-01-10

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 鲍军静 ,  G·波尼拉 ,  考施克·查恩达 ,  塞缪尔·S.·乔伊 ,  罗纳德.G.非利普 ,  斯特凡·格鲁诺夫 ,  N·E·勒斯蒂格 ,  丹·默伊 ,  安德鲁.H.西蒙

IPC: H01L21/82 ,  H01L23/62

CPC classification number: H01L23/5256 ,  H01H2085/0275 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76816 ,  H01L23/5226 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种BEOL电子熔断器，该BEOL电子熔断器在通孔内会可靠地烧断，并且即使在最紧密间距的BEOL层内也能够形成。该BEOL电子熔断器能够使用线路优先的双镶嵌工艺来形成，以产生将作为电子熔断器的可编程链路的亚光刻通孔。亚光刻通孔能够使用标准的光刻技术来图形化，并且通孔的截面能够进行调整以匹配目标编程电流。