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公开(公告)号：CN1906983B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200480040575.0
申请日：2004-01-15
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 克里斯托弗·M·施纳贝尔 , 彼得·A·史密斯 , 约翰·E·弗洛尔基 , 理查德·P·沃兰特
CPC classification number: B81C3/002 , Y10T29/4913 , Y10T29/49133 , Y10T29/53178 , Y10T29/53183 , Y10T29/53187
Abstract: 夹持用于组装复杂的MEMS装置的部件(50)的载体(10)被传送到中心组装位置。部件以预定顺序堆叠并随后从它们的载体释放。或者，它们设置在适当位置并被释放以落入所需位置。组装区(100)包括载体平面下面的腔，使得夹持在载体内的部件落入该腔。加热元件集成在腔中以辅助部件的释放。该腔由一个或多个载体提供部件，该载体通过任何数目的MEMS驱动系统(200、250)移动。该腔和其中组装的一些MEMS，对于适合生物医学设备分配所需的精确材料量，或者如芯片上实验室中可以被原位处理。
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公开(公告)号：CN1906983A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200480040575.0
申请日：2004-01-15
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 克里斯托弗·M·施纳贝尔 , 彼得·A·史密斯 , 约翰·E·弗洛尔基 , 理查德·P·沃兰特
CPC classification number: B81C3/002 , Y10T29/4913 , Y10T29/49133 , Y10T29/53178 , Y10T29/53183 , Y10T29/53187
Abstract: 夹持用于组装复杂的MEMS装置的部件(50)的载体(10)被传送到中心组装位置。部件以预定顺序堆叠并随后从它们的载体释放。或者，它们设置在适当位置并被释放以落入所需位置。组装区(100)包括载体平面下面的腔，使得夹持在载体内的部件落入该腔。加热元件集成在腔中以辅助部件的释放。该腔由一个或多个载体提供部件，该载体通过任何数目的MEMS驱动系统(200、250)移动。该腔和其中组装的一些MEMS，对于适合生物医学设备分配所需的精确材料量，或者如芯片上实验室中可以被原位处理。
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公开(公告)号：CN1271703C
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200310123728.5
申请日：2003-12-23
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 阿尼尔·K·钦萨金迪 , 郑淑珍 , 迈克尔·F·洛法罗 , 克里斯托弗·M·施纳贝尔 , 肯尼思·J·斯坦
IPC: H01L21/70 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01C7/00 , H01G4/33
CPC classification number: H01L28/20 , H01L23/5223 , H01L27/0802 , H01L27/0805 , H01L28/40 , H01L2924/0002 , Y10S438/97 , Y10T29/49082 , Y10T29/49155 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种在同一层次内制造MIMCAP和薄膜电阻器的方法，该MIMCAP为由顺序的金属、绝缘体、金属(MIM)层形成的电容器(CAP)。本发明该公开了一种在同一层次内制造MIMCAP和薄膜电阻器的方法，以及一种用于BEOL(后段工艺)薄膜电阻器的新颖集成设计，其使得电阻器更加靠近FEOL(前段工艺)器件。
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公开(公告)号：CN1518088A
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN200310123728.5
申请日：2003-12-23
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 阿尼尔·K·钦萨金迪 , 郑淑珍 , 迈克尔·F·洛法罗 , 克里斯托弗·M·施纳贝尔 , 肯尼思·J·斯坦
IPC: H01L21/70 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01C7/00 , H01G4/33
CPC classification number: H01L28/20 , H01L23/5223 , H01L27/0802 , H01L27/0805 , H01L28/40 , H01L2924/0002 , Y10S438/97 , Y10T29/49082 , Y10T29/49155 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种在同一层次内制造MIMCAP和薄膜电阻器的方法，该MIMCAP为由顺序的金属、绝缘体、金属(MIM)层形成的电容器(CAP)。本发明该公开了一种在同一层次内制造MIMCAP和薄膜电阻器的方法，以及一种用于BEOL(后段工艺)薄膜电阻器的新颖集成设计，其使得电阻器更加靠近FEOL(前段工艺)器件。
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