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公开(公告)号：CN1689227A
公开(公告)日：2005-10-26
申请号：CN03824521.3
申请日：2003-09-18
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 阿尼尔·K·钦萨金迪 , 罗伯特·A·格罗夫斯 , 肯尼思·J·斯坦 , 塞沙德里·萨班纳 , 理查德·P·沃兰特
CPC classification number: H01G5/18 , B81B2201/01 , H01G5/011 , Y10S257/924
Abstract: 描述了三维微机电(MEM)可变电抗器，其中在彼此耦合的分离衬底上分别制造可移动梁(50)和固定电极(51)。在“芯片侧”上制造具有梳状驱动电极的可移动梁而在分离的衬底的“载体侧”上制造固定底部电极。在衬底两个表面上制造该器件时，芯片侧器件被切割并“翻转”、对准且连接至“载体”衬底以形成最终器件。梳状驱动(鳍)电极用于激励而电极的运动提供电容的变化。由于引入恒定驱动力，可获得大的电容调谐范围。器件的三维方面有利于大的表面积。当提供大纵横比特征时可使用低激励电压。制造时，完全封装MEM器件，无需附加的器件封装。另外，由于在晶片级完成对准和键合(晶片级MEMS封装)，可以低成本获得改善的器件产率。
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公开(公告)号：CN1518088A
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN200310123728.5
申请日：2003-12-23
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 阿尼尔·K·钦萨金迪 , 郑淑珍 , 迈克尔·F·洛法罗 , 克里斯托弗·M·施纳贝尔 , 肯尼思·J·斯坦
IPC: H01L21/70 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01C7/00 , H01G4/33
CPC classification number: H01L28/20 , H01L23/5223 , H01L27/0802 , H01L27/0805 , H01L28/40 , H01L2924/0002 , Y10S438/97 , Y10T29/49082 , Y10T29/49155 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种在同一层次内制造MIMCAP和薄膜电阻器的方法，该MIMCAP为由顺序的金属、绝缘体、金属(MIM)层形成的电容器(CAP)。本发明该公开了一种在同一层次内制造MIMCAP和薄膜电阻器的方法，以及一种用于BEOL(后段工艺)薄膜电阻器的新颖集成设计，其使得电阻器更加靠近FEOL(前段工艺)器件。
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公开(公告)号：CN100487837C
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN03824521.3
申请日：2003-09-18
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 阿尼尔·K·钦萨金迪 , 罗伯特·A·格罗夫斯 , 肯尼思·J·斯坦 , 塞沙德里·萨班纳 , 理查德·P·沃兰特
CPC classification number: H01G5/18 , B81B2201/01 , H01G5/011 , Y10S257/924
Abstract: 描述了三维微机电(MEM)可变电抗器，其中在彼此耦合的分离衬底上分别制造可移动梁(50)和固定电极(51)。在“芯片侧”上制造具有梳状驱动电极的可移动梁而在分离的衬底的“载体侧”上制造固定底部电极。在衬底两个表面上制造该器件时，芯片侧器件被切割并“翻转”、对准且连接至“载体”衬底以形成最终器件。梳状驱动(鳍)电极用于激励而电极的运动提供电容的变化。由于引入恒定驱动力，可获得大的电容调谐范围。器件的三维方面有利于大的表面积。当提供大纵横比特征时可使用低激励电压。制造时，完全封装MEM器件，无需附加的器件封装。另外，由于在晶片级完成对准和键合(晶片级MEMS封装)，可以低成本获得改善的器件产率。
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公开(公告)号：CN1271703C
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200310123728.5
申请日：2003-12-23
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 阿尼尔·K·钦萨金迪 , 郑淑珍 , 迈克尔·F·洛法罗 , 克里斯托弗·M·施纳贝尔 , 肯尼思·J·斯坦
IPC: H01L21/70 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01C7/00 , H01G4/33
CPC classification number: H01L28/20 , H01L23/5223 , H01L27/0802 , H01L27/0805 , H01L28/40 , H01L2924/0002 , Y10S438/97 , Y10T29/49082 , Y10T29/49155 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种在同一层次内制造MIMCAP和薄膜电阻器的方法，该MIMCAP为由顺序的金属、绝缘体、金属(MIM)层形成的电容器(CAP)。本发明该公开了一种在同一层次内制造MIMCAP和薄膜电阻器的方法，以及一种用于BEOL(后段工艺)薄膜电阻器的新颖集成设计，其使得电阻器更加靠近FEOL(前段工艺)器件。
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