公开(公告)号：CN1979889A

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：CN200610147094.0

申请日：2006-11-14

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 托马斯·安东尼·沃尔纳 ,  托马斯·N·亚当 ,  斯蒂芬·W·比德尔 ,  乔尔·P·德索扎

IPC: H01L29/73 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/732 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/66272 ,  H01L29/7378

Abstract: 本发明涉及一种双极结型晶体管(BJT)。每个BJT的集电极区位于半导体衬底表面中并与第一浅沟槽隔离(STI)区相邻。提供第二STI区，其在第一STI区和集电极区之间延伸，并以不大于约90°的底切角与有源基极区的一部分底切。例如，第二STI区可以是具有小于约 90°的底切角的基本三角形横截面，或是具有约90°的底切角的基本矩形的横截面。可以使用形成在集电极区的上表面中的多孔表面截面来制造这种第二STI区。

公开(公告)号：CN101438399B

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN200780016238.1

申请日：2007-04-30

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 斯蒂芬·W·比德尔 ,  乔尔·P·德索扎 ,  任志斌 ,  亚历山大·雷兹尼塞克 ,  德文德拉·K·萨达纳 ,  凯瑟琳·L·萨恩格 ,  格瓦姆·沙希迪

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/26513 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/324 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78684 ,  Y10S438/909 ,  Y10S438/943

Abstract: 本发明教导了这样的方法，将离子注入步骤与原位或移位热处理结合以避免和/或最小化注入诱导的非晶化(超薄绝缘体上硅层中的FET中的源极区/漏极区的潜在问题)以及注入诱导的应变源极区/漏极区的塑性松弛(通过与位于其下的衬底层不匹配的嵌入的源极区/漏极区晶格提供沟道应变的应变沟道FET的潜在问题)。在第一个实施例中，通过在高温下实施离子注入而使离子注入与原位热处理相结合。在第二个实施例中，在避免了对能够实施热注入的装置的需要的DDAB方案中，离子注入与移位热处理相结合。

公开(公告)号：CN1979889B

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：CN200610147094.0

申请日：2006-11-14

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 托马斯·安东尼·沃尔纳 ,  托马斯·N·亚当 ,  斯蒂芬·W·比德尔 ,  乔尔·P·德索扎

IPC: H01L29/73 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/732 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/66272 ,  H01L29/7378

Abstract: 本发明涉及一种双极结型晶体管(BJT)。每个BJT的集电极区位于半导体衬底表面中并与第一浅沟槽隔离(STI)区相邻。提供第二STI区，其在第一STI区和集电极区之间延伸，并以不大于约90°的底切角与有源基极区的一部分底切。例如，第二STI区可以是具有小于约90°的底切角的基本三角形横截面，或是具有约90°的底切角的基本矩形的横截面。可以使用形成在集电极区的上表面中的多孔表面区来制造这种第二STI区。

公开(公告)号：CN101438399A

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200780016238.1

申请日：2007-04-30

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 斯蒂芬·W·比德尔 ,  乔尔·P·德索扎 ,  任志斌 ,  亚历山大·雷兹尼塞克 ,  德文德拉·K·萨达纳 ,  凯瑟琳·L·萨恩格 ,  格瓦姆·沙希迪

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/26513 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/324 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78684 ,  Y10S438/909 ,  Y10S438/943

Abstract: 本发明教导了这样的方法，将离子注入步骤与原位或移位热处理结合以避免和/或最小化注入诱导的非晶化(超薄绝缘体上硅层中的FET中的源极区/漏极区的潜在问题)以及注入诱导的应变源极区/漏极区的塑性松弛(通过与位于其下的衬底层不匹配的嵌入的源极区/漏极区晶格提供沟道应变的应变沟道FET的潜在问题)。在第一个实施例中，通过在高温下实施离子注入而使离子注入与原位热处理相结合。在第二个实施例中，在避免了对能够实施热注入的装置的需要的DDAB方案中，离子注入与移位热处理相结合。

公开(公告)号：CN100370601C

公开(公告)日：2008-02-20

申请号：CN200510077326.5

申请日：2005-06-20

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 凯文·K·陈 ,  乔尔·P·德索扎 ,  亚历山大·雷兹奈斯克 ,  德维德拉·K·萨达纳 ,  凯瑟琳·L·塞格尔

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/84 ,  H01L21/76243 ,  H01L21/76267 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1207

Abstract: 本发明提供一种方法用于形成具有不同晶向的平面混合取向绝缘体上半导体(SOI)衬底，使得可以将器件制作在提供最佳性能的晶向上。该方法包括以下步骤：选择衬底，该衬底具有通过薄绝缘层与具有第二晶体取向的顶半导体层隔离的具有第一晶体取向的基础半导体层；用具有第一晶体取向的外延生长的半导体代替所选区域中的顶半导体层；然后使用离子注入和退火方法以(i)在外延生长的半导体材料内形成掩埋绝缘区域，以及(ii)加厚位于顶半导体层下方的绝缘层，由此形成其中两个不同晶体取向的半导体材料具有基本上相同的厚度并且都布置在普通掩埋绝缘体层上的混合取向衬底。

公开(公告)号：CN1728362A

公开(公告)日：2006-02-01

申请号：CN200510077326.5

申请日：2005-06-20

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 凯文·K·陈 ,  乔尔·P·德索扎 ,  亚历山大·雷兹奈斯克 ,  德维德拉·K·萨达纳 ,  凯瑟琳·L·塞格尔

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/84 ,  H01L21/76243 ,  H01L21/76267 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1207

Abstract: 本发明提供一种方法用于形成具有不同晶向的平面混合取向绝缘体上半导体(SOI)衬底，使得可以将器件制作在提供最佳性能的晶向上。该方法包括以下步骤：选择衬底，该衬底具有通过薄绝缘层与具有第二晶体取向的顶半导体层隔离的具有第一晶体取向的基础半导体层；用具有第一晶体取向的外延生长的半导体代替所选区域中的顶半导体层；然后使用离子注入和退火方法以(i)在外延生长的半导体材料内形成掩埋绝缘区域，以及(ii)加厚位于顶半导体层下方的绝缘层，由此形成其中两个不同晶体取向的半导体材料具有基本上相同的厚度并且都布置在普通掩埋绝缘体层上的混合取向衬底。