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公开(公告)号：CN104851913A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201410338643.7
申请日：2014-07-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66795 , H01L21/26586 , H01L21/32133 , H01L29/0649 , H01L29/0847 , H01L29/165 , H01L29/66545 , H01L29/6656 , H01L29/66636 , H01L29/7848 , H01L29/785
Abstract: 本发明提供了一种场效应晶体管(FET)结构。在一些实施例中，场效应晶体管(FET)结构包括第一半导体结构和栅极结构。第一半导体结构包括沟道区以及源极区和漏极区。源极区和漏极区分别形成在沟道区的相对两端。栅极结构包括中心区和基脚区。中心区形成在第一半导体结构上方。在中心区的相对两侧并且沿着中心区邻近于第一半导体结构的位置形成基脚区。本发明还提供了一种形成晶体管的方法。
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公开(公告)号：CN113299608A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110373196.9
申请日：2015-05-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L21/336 , H01L21/306 , H01L21/311 , H01L21/762 , H01L27/092 , H01L29/78 , H01L29/08 , H01L29/165
Abstract: 本发明的实施例提供了形成FinFET器件结构的方法，包括：在半导体鳍结构的侧壁上形成鳍侧壁间隔件，半导体鳍结构延伸穿过隔离结构，其中，形成鳍侧壁间隔件包括：在半导体鳍结构和隔离结构上方形成介电层，介电层覆盖半导体鳍结构的侧壁和顶面，并且至少暴露隔离结构的部分；和蚀刻介电层，以暴露出半导体鳍结构的顶面；使半导体鳍结构的部分凹陷以在鳍侧壁间隔件之间形成凹槽；在凹槽内外延生长具有柱状形状的外延结构；以及外延生长外延结构以在凹槽上方延伸，其中，外延结构在凹槽内的柱状形状之上和鳍侧壁间隔件的最顶面之上形成菱形部分，其中，外延结构的菱形部分与柱状形状之间的接合处在鳍侧壁间隔件的最顶面之上。
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公开(公告)号：CN104752228B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201410448994.3
申请日：2014-09-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/8232
Abstract: 本发明提供了形成半导体器件结构的方法的实施例。该方法包括在半导体衬底上方形成栅极堆叠件以及在栅极堆叠件的侧壁上方形成密封结构。该方法还包括在半导体衬底、密封结构和栅极堆叠件上方形成伪遮蔽层。该方法还包括在伪遮蔽层上实施离子注入工艺以在半导体衬底中形成源极区和漏极区。此外，该方法包括在形成源极区和漏极区之后去除伪遮蔽层。
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公开(公告)号：CN104599970B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201410308658.9
申请日：2014-06-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L27/1211 , H01L21/32137 , H01L21/823431 , H01L21/845 , H01L27/0886
Abstract: 本发明提供了用于形成半导体器件的机制的实施例。该半导体器件包括衬底。该半导体器件也包括位于衬底上方的第一鳍和第二鳍。该半导体器件还包括分别横跨在第一鳍和第二鳍上方的第一栅电极和第二栅电极。此外，该半导体器件包括位于第一鳍和第一栅电极之间以及位于第二鳍和第二栅电极之间的栅极介电层。而且，该半导体器件包括位于衬底上方的伪栅电极，并且伪栅电极位于第一栅电极和第二栅电极之间。伪栅电极的上部宽于伪栅电极的下部。
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公开(公告)号：CN111244183A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010073844.4
申请日：2014-07-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 在一些实施例中，在一种方法中，提供其上配置有栅极结构的体结构。栅极结构包括横穿体结构的栅极侧壁。在栅极侧壁上方形成间隔件。在体结构中形成第一凹槽。第一凹槽形成在间隔件旁边并且在间隔件下面横向延伸。在第一凹槽下面形成凹槽延伸部，以延伸第一凹槽的垂直深度。生长晶格常数不同于体结构的应力源材料，使得延伸的第一凹槽被填充。本发明还提供了具有横向延伸部分的晶体管的嵌入式源极或漏极区。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104810400B
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201410770302.7
申请日：2014-12-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/08 , H01L29/10 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7848 , H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/785
Abstract: 在一些实施例中，场效应晶体管(FET)结构包括主体结构、介电结构、栅极结构和源极或漏极区。在主体结构上方形成栅极结构。源极或漏极区嵌入在主体结构中并位于栅极结构旁边，并且邻接介电结构且延伸超出介电结构。源极或漏极区包括与主体结构的晶格常数不同的应力源材料。源极或漏极区包括在介电结构的顶部处的第一水平之上形成的第一区和包括在第一水平下且邻接相应的介电结构形成的向下的锥形侧壁的第二区。本发明还涉及在小平面区下方具有向下的锥形区的晶体管的嵌入式源极或漏极区。
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公开(公告)号：CN104851913B
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201410338643.7
申请日：2014-07-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66795 , H01L21/26586 , H01L21/32133 , H01L29/0649 , H01L29/0847 , H01L29/165 , H01L29/66545 , H01L29/6656 , H01L29/66636 , H01L29/7848 , H01L29/785
Abstract: 本发明提供了一种场效应晶体管(FET)结构。在一些实施例中，场效应晶体管(FET)结构包括第一半导体结构和栅极结构。第一半导体结构包括沟道区以及源极区和漏极区。源极区和漏极区分别形成在沟道区的相对两端。栅极结构包括中心区和基脚区。中心区形成在第一半导体结构上方。在中心区的相对两侧并且沿着中心区邻近于第一半导体结构的位置形成基脚区。本发明还提供了一种形成晶体管的方法。
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公开(公告)号：CN105529357A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201510559557.3
申请日：2015-09-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L29/6681 , H01L21/31116 , H01L21/76224 , H01L29/6653 , H01L29/66545 , H01L29/6656 , H01L29/785 , H01L29/66795 , H01L29/1033
Abstract: 本发明公开了半导体器件及其形成方法。该方法包括接收衬底，衬底具有有源鳍、位于有源鳍上方的氧化物层、位于氧化物层上方的伪栅极堆叠件以及位于氧化物层上方和伪栅极堆叠件的侧壁上的间隔件部件。该方法还包括去除伪栅极堆叠件，从而产生第一沟槽；蚀刻第一沟槽中的氧化物层，从而产生位于间隔件部件下方的空腔；在第一沟槽和空腔中沉积介电材料；以及蚀刻第一沟槽以暴露出有源鳍，从而在空腔中留下介电材料的第一部分。本发明的实施例还涉及用于FinFET的方法和结构。
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公开(公告)号：CN106206727B
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201510245445.0
申请日：2015-05-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构以及形成FinFET器件结构的方法。FinFET结构包括衬底和形成在衬底上的隔离结构。FinFET结构也包括在衬底之上延伸的鳍结构，并且鳍结构嵌入在隔离结构中。FinFET结构还包括形成在鳍结构上的外延结构，外延结构具有五边形形状，并且外延结构和鳍结构之间的界面低于隔离结构的顶面。
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公开(公告)号：CN107038697B
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201610815887.9
申请日：2016-09-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06T7/00
Abstract: 本发明的实施例提供了用于诊断半导体晶圆的方法和系统。根据半导体晶圆中的特定布局的图形数据系统(GDS)信息获得目标图像，其中，目标图像包括具有与特定布局对应的第一图案的第一外形。根据第一外形，执行基于图像的对准以从半导体晶圆采集原始图像。通过测量原始图像来分析半导体晶圆，从而提供诊断结果。
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