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公开(公告)号：CN112490291B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202011367209.3
申请日：2015-11-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供了半导体器件结构的结构和形成方法。半导体器件结构包括位于半导体衬底上方的栅极堆叠件和位于栅极堆叠件上方的覆盖元件。覆盖元件具有上部和下部，并且上部比下部更宽。半导体器件结构还包括位于覆盖元件的侧壁和栅极堆叠件的侧壁上方的间隔元件。本发明实施例涉及半导体器件结构的结构和形成方法。
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公开(公告)号：CN115799087A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202310026404.7
申请日：2018-12-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/535
Abstract: 一种封装包括管芯、多个第一导电结构、多个第二导电结构、包封体及重布线结构。所述管芯具有有源表面及与所述有源表面相对的后表面。所述第一导电结构及所述第二导电结构环绕所述管芯。所述第一导电结构包括圆形柱且所述第二导电结构包括椭圆形柱或圆台。所述包封体包封所述管芯、所述第一导电结构及所述第二导电结构。所述重布线结构位于所述管芯的所述有源表面及所述包封体上。所述重布线结构电连接到所述管芯、所述第一导电结构及所述第二导电结构。
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公开(公告)号：CN112490291A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011367209.3
申请日：2015-11-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 提供了半导体器件结构的结构和形成方法。半导体器件结构包括位于半导体衬底上方的栅极堆叠件和位于栅极堆叠件上方的覆盖元件。覆盖元件具有上部和下部，并且上部比下部更宽。半导体器件结构还包括位于覆盖元件的侧壁和栅极堆叠件的侧壁上方的间隔元件。本发明实施例涉及半导体器件结构的结构和形成方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110310929A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201811608334.1
申请日：2018-12-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/535
Abstract: 一种封装包括管芯、多个第一导电结构、多个第二导电结构、包封体及重布线结构。所述管芯具有有源表面及与所述有源表面相对的后表面。所述第一导电结构及所述第二导电结构环绕所述管芯。所述第一导电结构包括圆形柱且所述第二导电结构包括椭圆形柱或圆台。所述包封体包封所述管芯、所述第一导电结构及所述第二导电结构。所述重布线结构位于所述管芯的所述有源表面及所述包封体上。所述重布线结构电连接到所述管芯、所述第一导电结构及所述第二导电结构。
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公开(公告)号：CN105336739B
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201410804686.X
申请日：2014-12-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本发明提供了一种半导体结构，包括：具有顶面的衬底；位于衬底上方的栅极，栅极包括邻近顶面的基脚区，基脚区包括在顶面之上的低于10nm的高度处横向测量的基脚长度；以及围绕栅极的侧壁的间隔件，间隔件包括在顶面之上的从约10nm至约200nm的高度处横向测量的间隔件宽度。基脚长度为沿着顶面，从基脚区的最宽部分的末端至从栅极主体和间隔件之间的界面延伸的垂直线测量所得，并且间隔件宽度基本上等于或大于基脚长度。本发明还涉及半导体结构的制造方法。
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公开(公告)号：CN105336739A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201410804686.X
申请日：2014-12-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本发明提供了一种半导体结构，包括：具有顶面的衬底；位于衬底上方的栅极，栅极包括邻近顶面的基脚区，基脚区包括在顶面之上的低于10nm的高度处横向测量的基脚长度；以及围绕栅极的侧壁的间隔件，间隔件包括在顶面之上的从约10nm至约200nm的高度处横向测量的间隔件宽度。基脚长度为沿着顶面，从基脚区的最宽部分的末端至从栅极主体和间隔件之间的界面延伸的垂直线测量所得，并且间隔件宽度基本上等于或大于基脚长度。本发明还涉及半导体结构的制造方法。
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公开(公告)号：CN110310929B
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN201811608334.1
申请日：2018-12-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/535
Abstract: 一种封装包括管芯、多个第一导电结构、多个第二导电结构、包封体及重布线结构。所述管芯具有有源表面及与所述有源表面相对的后表面。所述第一导电结构及所述第二导电结构环绕所述管芯。所述第一导电结构包括圆形柱且所述第二导电结构包括椭圆形柱或圆台。所述包封体包封所述管芯、所述第一导电结构及所述第二导电结构。所述重布线结构位于所述管芯的所述有源表面及所述包封体上。所述重布线结构电连接到所述管芯、所述第一导电结构及所述第二导电结构。
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公开(公告)号：CN106169419A
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201510768135.7
申请日：2015-11-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66553 , H01L29/4966 , H01L29/66545 , H01L29/78 , H01L21/28008 , H01L29/4236 , H01L29/66477
Abstract: 提供了半导体器件结构的结构和形成方法。半导体器件结构包括位于半导体衬底上方的栅极堆叠件和位于栅极堆叠件上方的覆盖元件。覆盖元件具有上部和下部，并且上部比下部更宽。半导体器件结构还包括位于覆盖元件的侧壁和栅极堆叠件的侧壁上方的间隔元件。本发明实施例涉及半导体器件结构的结构和形成方法。
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