公开(公告)号：CN106328692A

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201610516949.6

申请日：2016-07-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈建颖 ,  张家玮 ,  廖家阳 ,  杨柏峰

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明提供了鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构及其形成方法。鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构包括在衬底上方形成的鳍结构和横越在鳍结构上方的栅极结构。该栅极结构包括栅电极层，所述栅电极层包括鳍结构之上的上部和鳍结构之下的下部。该上部具有第一宽度的顶面，该下部具有第二宽度的底面，并且第一宽度大于第二宽度。

公开(公告)号：CN113629055A

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN202110830765.8

申请日：2021-07-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吕威良 ,  陈建颖 ,  林志翰 ,  廖家阳

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238

Abstract: 公开了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括衬底、设置在衬底上具有鳍顶面的鳍状结构、设置在鳍结构上的源/漏(S/D)区、设置在鳍顶面上的栅极结构、以及具有设置在栅极结构和源/漏区之间的第一和第二间隔件部分的栅极间隔件。第一间隔件部分在鳍顶面上方延伸并且沿着栅极结构的侧壁设置。第二间隔件部分在鳍顶面下方延伸并沿着源/漏区的侧壁设置。

公开(公告)号：CN106328692B

公开(公告)日：2020-04-17

申请号：CN201610516949.6

申请日：2016-07-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈建颖 ,  张家玮 ,  廖家阳 ,  杨柏峰

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明提供了鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构及其形成方法。鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构包括在衬底上方形成的鳍结构和横越在鳍结构上方的栅极结构。该栅极结构包括栅电极层，所述栅电极层包括鳍结构之上的上部和鳍结构之下的下部。该上部具有第一宽度的顶面，该下部具有第二宽度的底面，并且第一宽度大于第二宽度。

公开(公告)号：CN113629055B

公开(公告)日：2025-01-17

申请号：CN202110830765.8

申请日：2021-07-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吕威良 ,  陈建颖 ,  林志翰 ,  廖家阳

IPC: H10D84/85 ,  H10D84/83 ,  H10D84/03

Abstract: 公开了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括衬底、设置在衬底上具有鳍顶面的鳍状结构、设置在鳍结构上的源/漏(S/D)区、设置在鳍顶面上的栅极结构、以及具有设置在栅极结构和源/漏区之间的第一和第二间隔件部分的栅极间隔件。第一间隔件部分在鳍顶面上方延伸并且沿着栅极结构的侧壁设置。第二间隔件部分在鳍顶面下方延伸并沿着源/漏区的侧壁设置。

公开(公告)号：CN109103254A

公开(公告)日：2018-12-28

申请号：CN201710702735.2

申请日：2017-08-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邓桔程 ,  廖家阳 ,  陈臆仁

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 公开半导体装置，半导体装置包含通道区沿一方向延伸，且具有U形剖面，栅极介电层环绕通道区，以及栅极电极环绕栅极介电层和通道区的个别的中央部分。