公开(公告)号：CN106206530A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201510321434.6

申请日：2015-06-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊成 ,  蔡柏豪 ,  郑礼辉 ,  陈建声

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L25/105 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/9222 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1094 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00012

Abstract: 公开了半导体器件以及用于提供从集成扇出叠层封装结构内的半导体管芯增强地去除热量的方法。在实施例中，金属层形成在半导体管芯的背侧上，并且密封半导体管芯和通孔。暴露出金属层的一部分并且连接热管芯以从半导体管芯去除热量。本发明涉及半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN114759003A

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN202111079211.5

申请日：2021-09-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林昱圣 ,  黄汉祥 ,  陈建声 ,  叶书伸 ,  郑心圃

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

Abstract: 一种封装结构包括电路衬底、半导体封装、第一凸块结构及第二凸块结构。所述半导体封装设置在所述电路衬底上，其中所述半导体封装包括中心区及环绕所述中心区的侧边区。所述第一凸块结构设置在所述半导体封装的所述中心区上，且将所述半导体封装电连接到所述电路衬底。所述第二凸块结构设置在所述半导体封装的所述侧边区上，且将所述半导体封装电连接到所述电路衬底，其中所述第一凸块结构与所述第二凸块结构具有不同的高度及不同的形状。

公开(公告)号：CN114937642A

公开(公告)日：2022-08-23

申请号：CN202210159986.1

申请日：2022-02-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖柏辰 ,  游明志 ,  林柏尧 ,  陈建声 ,  郑心圃

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L23/16 ,  H01L21/56 ,  H01L25/065

Abstract: 提供了半导体器件及其制造方法，其中，形成第一再分布结构，将半导体器件接合至第一再分布结构，并且将半导体器件密封在密封剂中。第一开口形成在密封剂内，诸如沿着密封剂的拐角，以帮助减轻应力并减少裂纹。

公开(公告)号：CN106206530B

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：CN201510321434.6

申请日：2015-06-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊成 ,  蔡柏豪 ,  郑礼辉 ,  陈建声

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56

Abstract: 公开了半导体器件以及用于提供从集成扇出叠层封装结构内的半导体管芯增强地去除热量的方法。在实施例中，金属层形成在半导体管芯的背侧上，并且密封半导体管芯和通孔。暴露出金属层的一部分并且连接热管芯以从半导体管芯去除热量。本发明涉及半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN113948480A

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN202110763148.0

申请日：2021-07-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑心圃 ,  陈建声 ,  林柏尧 ,  赖柏辰 ,  叶书伸

IPC: H01L23/16 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

Abstract: 方法包括将第一封装组件接合在第二封装组件上方。第二封装组件包括多个介电层和多个介电层中的多个再分布线。方法还包括：在第二封装组件上分配应力吸收器；固化应力吸收器；以及在第二封装组件和应力吸收器上形成密封剂。本申请的实施例还涉及封装件及其形成方法。

公开(公告)号：CN115394713A

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202210819524.8

申请日：2022-07-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈涌钱 ,  饶俊龙 ,  叶书伸 ,  陈建声 ,  郑心圃

IPC: H01L21/78

Abstract: 本公开提供一种方法，包括形成互连组件，互连组件包括包含有机介电材料的介电层和延伸到介电层中的再分布线。此方法还包括将第一封装组件和第二封装组件接合到互连组件、将第一封装组件和第二封装组件封装在密封剂中、以及使用刀片预切割互连组件以形成沟槽。沟槽穿透互连组件，并且部分地延伸到密封剂中。此方法还包括执行分割工艺，以将第一封装组件和第二封装组件分别分离成第一封装和第二封装。