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公开(公告)号：CN110060935B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN201810937666.8
申请日：2018-08-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L23/485
Abstract: 本发明的实施例提供了半导体器件和制造方法，从而将中介片和第一半导体器件放置在载体衬底上并且被密封。中介片包括第一部分和远离第一部分延伸的导电柱。位于密封剂的第一侧上的再分布层将导电柱电连接至第一半导体器件。
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公开(公告)号：CN110890352B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN201910753783.3
申请日：2019-08-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种器件包括再分布结构；第一半导体器件、第一天线和第一导电柱，位于再分布结构上并且电连接到再分布结构；天线结构，位于第一半导体器件上方，其中，天线结构包括与第一天线不同的第二天线，其中天线结构包括接合到第一导电柱的外部连接件，以及在天线结构和再分布结构之间延伸的模制材料，模制材料围绕第一半导体器件、第一天线、外部连接件和第一导电柱。本发明的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN110660725B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN201910023923.1
申请日：2019-01-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/538
Abstract: 方法包括形成中介层，形成中介层包括形成刚性介电层；以及去除部分刚性介电层。该方法还包括将封装组件接合至互连结构，以及将中介层接合至互连结构。中介层中的间隔件具有接触封装组件的顶面的底面，并且间隔件包括选自由金属部件、刚性介电层和它们的组合组成的组中的部件。对互连结构实施管芯锯切。本发明实施例涉及具有可控间隙的扇出封装件。
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公开(公告)号：CN110970312B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN201910917900.5
申请日：2019-09-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/482 , H01L23/488 , H01L23/522
Abstract: 实施例包括形成中介层，该中介层具有设置在中介层的核心层中的增强结构。中介层可以通过电连接件附接到封装器件。增强结构为封装器件提供刚性和散热。一些实施例可以包括中介层，该中介层在中介层的上部核心层中具有到凹陷接合焊盘的开口。一些实施例还可以在中介层和封装器件之间使用连接件，其中连接到中介层的焊料材料围绕连接到封装器件的金属柱。本发明的实施例还涉及封装件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN112151396A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202010080526.0
申请日：2020-02-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/488 , H01L23/36
Abstract: 提供封装结构及封装结构的形成方法。此方法包含在重布线结构上方放置半导体晶粒，并在重布线结构上方放置导电部件。导电部件具有支撑元件和焊料元件。焊料元件沿支撑元件的表面延伸。此方法也包含在重布线结构上方堆叠中介层基板。中介层基板延伸跨过半导体晶粒。此方法更包含形成保护层以围绕导电部件和半导体晶粒。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110970312A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201910917900.5
申请日：2019-09-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/482 , H01L23/488 , H01L23/522
Abstract: 实施例包括形成中介层，该中介层具有设置在中介层的核心层中的增强结构。中介层可以通过电连接件附接到封装器件。增强结构为封装器件提供刚性和散热。一些实施例可以包括中介层，该中介层在中介层的上部核心层中具有到凹陷接合焊盘的开口。一些实施例还可以在中介层和封装器件之间使用连接件，其中连接到中介层的焊料材料围绕连接到封装器件的金属柱。本发明的实施例还涉及封装件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN110957281A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201910305554.5
申请日：2019-04-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/498 , H01L21/56
Abstract: 在一个实施例中，一种封装件包括：第一再分布结构；第一集成电路管芯，连接到第一再分布结构；环形衬底，环绕第一集成电路管芯，环形衬底连接到第一再分布结构，环形衬底包括芯和延伸穿过芯的导电通孔；围绕环形衬底和第一集成电路管芯的密封剂，密封剂延伸穿过环形衬底；在密封剂上的第二再分布结构，第二再分布结构通过环形衬底的导电通孔连接到第一再分布结构。本发明实施例涉及集成电路封装件和方法。
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公开(公告)号：CN110660725A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910023923.1
申请日：2019-01-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/538
Abstract: 方法包括形成中介层，形成中介层包括形成刚性介电层；以及去除部分刚性介电层。该方法还包括将封装组件接合至互连结构，以及将中介层接合至互连结构。中介层中的间隔件具有接触封装组件的顶面的底面，并且间隔件包括选自由金属部件、刚性介电层和它们的组合组成的组中的部件。对互连结构实施管芯锯切。本发明实施例涉及具有可控间隙的扇出封装件。
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公开(公告)号：CN113053866B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202011629038.7
申请日：2020-12-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供了半导体器件及其制造方法。在实施例中，导电连接件用于在衬底和上面的屏蔽件之间提供电连接。导电连接件放置在衬底上并且用密封剂密封。一旦被密封，就形成穿过密封剂的开口以暴露导电连接件的部分。穿过密封剂沉积屏蔽件以与导电连接件电连接。
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公开(公告)号：CN111755344B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202010084354.4
申请日：2020-02-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/56 , H01L21/60 , H01L23/485 , H01L23/488 , H01L23/31 , H01L25/18 , H10B80/00
Abstract: 本公开一些实施例提供一种封装结构及一种形成封装结构的方法。所述方法包括在承载基板之上形成重分布结构以及将半导体晶粒放置在重分布结构之上。所述方法还包括将中介层基板堆叠在重分布结构之上。中介层基板延伸跨越半导体晶粒的边缘。所述方法还包括将一或多个装置元件放置在中介层基板之上。此外，所述方法还包括形成包围半导体晶粒的保护层。
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