公开(公告)号：CN106873307A

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201611017298.2

申请日：2016-11-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡尚纶 ,  李岳勋 ,  朱远志 ,  秦圣基

IPC: G03F1/72 ,  G03F1/26

CPC classification number: G03F1/72 ,  G03F1/26

Abstract: 本公开提供一种修复光掩模的方法。上述方法包括接收一光掩模，其包括一图案化特征部件。图案化特征部件产生一相移且具有一透光率。辨识光掩模上的一缺陷区。形成一修复特征部件于光掩模上的缺陷区上方。形成修复特征部件包括形成一第一图案化材料层于缺陷区上方以及形成一第二图案化材料层于第一图案化材料层上方，以形成修复特征部件。修复特征部件产生上述相移且具有上述透光率。

公开(公告)号：CN115565992A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202210962122.3

申请日：2022-08-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吕孟昇 ,  陈硕懋 ,  赖柏颖 ,  蔡尚纶 ,  郑心圃

IPC: H01L23/498

Abstract: 一种半导体装置，可包括封装基板与混合中介物。混合中介物可包括有机中介物材料层与非有机中介物材料层位于有机中介物材料层与封装基板之间。半导体装置可进一步包括集成装置位于混合中介物中。集成装置可位于有机中介材料层中。集成装置可位于非有机中介物材料层中。集成装置可位于有机中介物材料层与非有机中介物材料层中。

公开(公告)号：CN114078754A

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN202110586051.7

申请日：2021-05-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李宗彦 ,  许佳桂 ,  蔡尚纶 ,  游明志 ,  林柏尧

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/538

Abstract: 一种方法包括形成封装组件，包括：形成介电层；图案化介电层以形成开口；以及形成包括位于该开口中的通孔、导电焊盘和弯曲迹线的再分布线。通孔从导电焊盘竖直偏移。导电焊盘和弯曲迹线位于介电层上方。弯曲迹线将导电焊盘连接到通孔，并且弯曲迹线包括长度方向彼此不平行的多个区段。导电凸块形成在导电焊盘上。本申请的实施例提供了互连结构及其制造方法。

公开(公告)号：CN219917163U

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202321313457.9

申请日：2023-05-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吕孟昇 ,  蔡尚纶 ,  陈硕懋 ,  郑心圃

IPC: H01L23/50

Abstract: 一种半导体装置，包括一第一裸片封装部件、电性耦接到第一裸片封装部件的一第一侧的一第二中介层、电性耦接到第一裸片封装部件的一第二侧的具有一电压调节器电路的一第三中介层、以及分别电性耦接到第二中介层的一光学部件和一高频宽存储器裸片。第一裸片封装部件还包括一双面半导体裸片，其第一侧电性耦接至第二中介层，以及其第二侧电性耦接至第三中介层。第一裸片封装部件还包括一模制材料以及形成在模制材料中的一封装体穿孔，使得封装体穿孔提供了第二中介层和第三中介层之间且绕过双面半导体裸片的一电性连接。