-
公开(公告)号:CN110654714B
公开(公告)日:2021-09-17
申请号:CN201910543420.7
申请日:2019-06-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B65D73/02 , B65B69/00 , H01L21/683
Abstract: 本揭露描述半导体元件的载带系统与从载带的口袋搬移半导体元件的方法。载带系统包含载带基材与覆盖带。载带系统包含多个反复的粘合区,在粘合区载带基材与覆盖带彼此粘合。在这些反复的粘合区与非粘合区将覆盖带与载带基材分开时,带给覆盖带振动,而阻碍或妨碍载带基材的口袋所装载的半导体元件粘附于覆盖带上的粘着剂。
-
公开(公告)号:CN110902142A
公开(公告)日:2020-03-24
申请号:CN201910031116.4
申请日:2019-01-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本揭示案揭露一种半导体晶片载具及包装方法。多个实施例提供托载半导体晶片的一半导体晶片载具。晶片载具在运输及/或储存期间保护半导体晶片免于可能的损坏。晶片载具是挠性的,且可能缠绕在卷轴上以便于运输及储存。在一个实施例中,晶片载具包括具有收纳半导体晶片的插座的支撑基板、密封插座及将半导体晶片托载在插座内的覆盖层,及牢固地将支撑基板与覆盖层耦合在一起的插塞。
-
公开(公告)号:CN110784994A
公开(公告)日:2020-02-11
申请号:CN201910299790.0
申请日:2019-04-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种印刷电路板结构及其制造方法。一般而言,本揭露提供关于印刷电路板(printed circuit board,PCB)的多个例示实施例。在一实施例中,结构包含PCB,PCB包括具有各自的金属层的多个绝缘层,且此些金属层是配置在绝缘层之间。此些绝缘层的多个第一层的每一者包括第一玻璃纤维含量。此些绝缘层的第二层的每一者具有少于第一玻璃纤维含量的第二玻璃纤维含量。举例来说,在一些实施例中,第二绝缘层不包含玻璃纤维基体。
-
-
公开(公告)号:CN109786354A
公开(公告)日:2019-05-21
申请号:CN201810378674.3
申请日:2018-04-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498
Abstract: 本公开实施例提供一种封装结构。此封装结构包括介电层形成于第一基板之上,以及导电层形成于介电层之中。此封装结构包括凸块下金属层形成于介电层之上,且凸块下金属层电性连接至导电层。此封装结构亦包括第一突出结构形成于凸块下金属层之上,且第一突出结构延伸向上远离凸块下金属层。此封装结构包括第二突出结构形成于凸块下金属层之上,且第二突出结构延伸向上远离凸块下金属层。此封装结构包括第一电性连接器形成于第一突出结构之上;以及第二电性连接器形成于第二突出结构之上。气隙形成于第一突出结构与第二突出结构之间。
-
公开(公告)号:CN105224978B
公开(公告)日:2018-05-15
申请号:CN201410392742.3
申请日:2014-08-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06K19/077
CPC classification number: G01R31/3025 , G01R31/2822 , G06K7/10316 , G06K7/10336 , G06K7/10366 , G06K19/0722 , G06K19/07749 , H01L21/304 , H01L22/34
Abstract: 本发明根据一些实施例提供了一种在测试中检测管芯中的边缘裂缝的方法。该方法包括以下操作:接收指令信号;由指令信号提供功率;基于指令信号提供响应信号;以及基于指令信号自毁。本发明还涉及边缘裂缝检测系统。
-
公开(公告)号:CN101436559A
公开(公告)日:2009-05-20
申请号:CN200810086303.4
申请日:2008-03-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L23/49816 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/12 , H01L24/13 , H01L2224/0231 , H01L2224/02313 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05008 , H01L2224/05569 , H01L2224/05571 , H01L2224/056 , H01L2224/05647 , H01L2224/1132 , H01L2224/11334 , H01L2224/1147 , H01L2224/1148 , H01L2224/11901 , H01L2224/13005 , H01L2224/13022 , H01L2224/13023 , H01L2224/13027 , H01L2224/131 , H01L2224/16 , H01L2224/45144 , H01L2224/48647 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H01L2924/207 , H01L2224/13099 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明提供一种半导体元件的制造方法,包括在半导体衬底的第一表面形成至少一柱电极,其中每一柱电极包括两个以上柱状物的阵列,柱电极电连接至半导体衬底的线路层,沉积缓冲层于第一表面上,缓冲层密封阵列,移除部分的缓冲层及部分的柱电极,而使柱电极的上表面低于残余的缓冲层的上表面,沉积导电覆盖层于柱电极的上表面上,其中导电覆盖层低于残余的缓冲层的上表面,以及放置焊球于导电覆盖层上,其中焊球与导电覆盖层之间的焊接点低于残余的缓冲层的上表面。本发明能够增进WLCSP中的焊球接点的可靠度。
-
公开(公告)号:CN101425486A
公开(公告)日:2009-05-06
申请号:CN200810170563.X
申请日:2008-10-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/34
CPC classification number: H01L23/4006 , H01L23/42 , H01L23/433 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2924/01004 , H01L2924/01019 , H01L2924/15311 , H01L2924/16195 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种封装结构,包含一衬底;一芯片,翻转而接合在衬底上;一散热片,位于芯片之上;以及一或多个间隙壁,将散热片与衬底分开。
-
公开(公告)号:CN101174601A
公开(公告)日:2008-05-07
申请号:CN200710088630.9
申请日:2007-03-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/10 , H01L23/3192 , H01L24/13 , H01L2224/0401 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05572 , H01L2224/13 , H01L2224/13099 , H01L2224/16 , H01L2924/0002 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/00014 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法,其中该半导体装置包括:半导体基底,其上方形成有接合焊盘与第一保护层,该第一保护层具有开口于其中,该开口露出该接合焊盘的一部分;金属焊盘层,形成于该接合焊盘的一部分的上方,其中该金属焊盘层接触该接合焊盘;第二保护层,形成于该金属焊盘层上方,该第二保护层具有开口于其中,并露出该金属焊盘层的一部分;图案化的聚亚酰胺层,形成于该金属焊盘层的一部分与该第二保护层的一部分的上方;导电层,形成于该图案化的聚亚酰胺层的一部分与该金属焊盘层的一部分的上方,其中该导电层接触该金属焊盘层;以及导电凸块结构,连接至该导电层。
-
公开(公告)号:CN101118889A
公开(公告)日:2008-02-06
申请号:CN200710085044.9
申请日:2007-02-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/498
CPC classification number: H01L24/12 , H01L23/49816 , H01L23/49838 , H01L24/81 , H01L2224/0554 , H01L2224/05552 , H01L2224/05573 , H01L2224/13099 , H01L2224/8119 , H01L2224/8121 , H01L2224/81815 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01033 , H01L2924/01068 , H01L2924/01075 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/30107 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
Abstract: 本发明提供一种半导体封装结构,包括:一封装基板,其具有一表面,用以接受一半导体芯片,该半导体芯片面对面连接至该封装基板,该表面上具有以多个接触垫构成的一图案,其中,各接触垫用以接受该半导体芯片的一焊接凸块,该图案包括一中央区、一外部区以及一过渡区,其中,该外部区围绕该中央区,该过渡区在该中央区及该外部区之间,且该过渡区的图案密度小于该中央区及该外部区的图案密度。本发明的半导体封装结构可使助焊剂的清洁处理更有效率且更完全,且可避免焊接凸块周围的底部填胶材料剥离,进而增加芯片倒装焊封装处理的可靠度。
-
-
-
-
-
-
-
-
-