-
公开(公告)号:CN110783316B
公开(公告)日:2022-02-22
申请号:CN201910692836.5
申请日:2019-07-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/552 , H01L21/56
Abstract: 一种具磁性屏蔽的装置及其制造方法。提供一种非导电磁屏蔽材料作为半导体封装的磁性屏蔽层使用。通过将铁磁性颗粒结合到高分子基质中使所述材料磁性化,以及通过在铁磁性颗粒上提供绝缘涂覆物使所述材料不导电。
-
公开(公告)号:CN110246813A
公开(公告)日:2019-09-17
申请号:CN201810776148.2
申请日:2018-07-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/485
Abstract: 本发明实施例阐述封装方法及晶片结构。提供一种半导体晶片,所述半导体晶片具有管芯、环绕所述管芯以及位于所述管芯之间的切割道、以及位于所述切割道中的测试垫。通过所述测试垫对所述半导体晶片执行晶片测试。沿所述切割道对所述半导体晶片执行激光开槽工艺,并移除所述切割道中的所述测试垫以在所述切割道中形成激光扫描区。沿所述切割道执行切透所述半导体晶片的机械切片工艺以单体化所述管芯。封装经单体化的所述管芯。
-
公开(公告)号:CN100461458C
公开(公告)日:2009-02-11
申请号:CN200710086296.3
申请日:2007-03-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/4238
Abstract: 一种高压元件,包括:一基底,包括一具有第一导电型态的主动区;一具有第二导电型态的源极区以及一具有上述第二导电型态的漏极区,形成于基底中;一栅极结构,形成于主动区之上,并在上述基底中的源极区与漏极区之间定义出一通道区,其中主动区具有至少一个延伸部沿着垂直于上述通道区的通道方向的第一方向延伸,并且沿着上述第一方向延伸的上述延伸部露出于上述栅极结构之外。本发明将反转层切断,以便克服漏电的问题。
-
公开(公告)号:CN112687552A
公开(公告)日:2021-04-20
申请号:CN202010142769.2
申请日:2020-03-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/50 , H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/498
Abstract: 本发明提供一种封装制造工艺及半导体封装。提供具有晶体结构的中介层。将第一管芯及第二管芯接合在所述中介层上。将第二管芯定位成通过间隙而与第一管芯间隔开,所述间隙具有延伸方向垂直于间隙的最短距离的间隙延伸方向,且所述间隙延伸方向不平行于中介层的晶体结构的结晶取向。在中介层之上形成覆盖第一管芯及第二管芯的模制化合物。将模制化合物及中介层切割成封装。
-
公开(公告)号:CN110784994A
公开(公告)日:2020-02-11
申请号:CN201910299790.0
申请日:2019-04-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种印刷电路板结构及其制造方法。一般而言,本揭露提供关于印刷电路板(printed circuit board,PCB)的多个例示实施例。在一实施例中,结构包含PCB,PCB包括具有各自的金属层的多个绝缘层,且此些金属层是配置在绝缘层之间。此些绝缘层的多个第一层的每一者包括第一玻璃纤维含量。此些绝缘层的第二层的每一者具有少于第一玻璃纤维含量的第二玻璃纤维含量。举例来说,在一些实施例中,第二绝缘层不包含玻璃纤维基体。
-
-
公开(公告)号:CN109786354A
公开(公告)日:2019-05-21
申请号:CN201810378674.3
申请日:2018-04-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498
Abstract: 本公开实施例提供一种封装结构。此封装结构包括介电层形成于第一基板之上,以及导电层形成于介电层之中。此封装结构包括凸块下金属层形成于介电层之上,且凸块下金属层电性连接至导电层。此封装结构亦包括第一突出结构形成于凸块下金属层之上,且第一突出结构延伸向上远离凸块下金属层。此封装结构包括第二突出结构形成于凸块下金属层之上,且第二突出结构延伸向上远离凸块下金属层。此封装结构包括第一电性连接器形成于第一突出结构之上;以及第二电性连接器形成于第二突出结构之上。气隙形成于第一突出结构与第二突出结构之间。
-
公开(公告)号:CN110246813B
公开(公告)日:2022-11-11
申请号:CN201810776148.2
申请日:2018-07-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/485
Abstract: 本发明实施例阐述封装方法及晶片结构。提供一种半导体晶片,所述半导体晶片具有管芯、环绕所述管芯以及位于所述管芯之间的切割道、以及位于所述切割道中的测试垫。通过所述测试垫对所述半导体晶片执行晶片测试。沿所述切割道对所述半导体晶片执行激光开槽工艺,并移除所述切割道中的所述测试垫以在所述切割道中形成激光扫描区。沿所述切割道执行切透所述半导体晶片的机械切片工艺以单体化所述管芯。封装经单体化的所述管芯。
-
公开(公告)号:CN110957296B
公开(公告)日:2021-09-28
申请号:CN201910912789.0
申请日:2019-09-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
Abstract: 本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。本发明一些实施例揭露一种半导体结构,其包含:第一衬底,其包含第一表面及与所述第一表面对置的第二表面;第二衬底,其包含第三表面及与所述第三表面对置的第四表面;聚合层,其安置于所述第一衬底的所述第二表面与所述第二衬底的所述第三表面之间;第一导电通路,其延伸穿过所述第一衬底、所述第二衬底及所述聚合层;第二导电通路,其延伸穿过所述第一衬底、所述第二衬底及所述聚合层;及第三导电通路,其延伸穿过所述第一衬底、所述第二衬底及所述聚合层,其中所述第二导电通路安置于所述第一导电通路与所述第三导电通路之间,所述第二导电通路经配置以连接到信号源。
-
公开(公告)号:CN110729266B
公开(公告)日:2021-06-15
申请号:CN201910078539.1
申请日:2019-01-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/492 , H01L21/60
Abstract: 一种封装体的接着结构及其制造方法。本揭露内容大致上提供了示例性的实施方式,其关于接着至印刷电路板(PCB)的封装体。在一个实施方式中,结构包括印刷电路板。印刷电路板具有排列成矩阵的焊球垫。外部的焊球垫沿着矩阵的一个或多个外部的边缘,并且外部的焊球垫中的每个焊球垫具有第一焊料接着区域。内部的焊球垫在矩阵的内部,且内部的焊球垫中的每个内部的焊球垫具有第二焊料接着区域。第一焊料接着区域大于第二焊料接着区域。
-
-
-
-
-
-
-
-
-