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公开(公告)号：CN109427898B
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN201711287662.1
申请日：2017-12-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明实施例提供一种形成半导体器件的方法，其包括形成源极/漏极区，以及在真空腔室或真空集群系统中进行选择性沉积以在源极/漏极区上形成金属硅化物层，并且在与源极/漏极区相邻的介电区上形成金属层。该方法还包括选择性地蚀刻真空腔室中的金属层，并且在金属硅化物层上选择性地形成金属氮化物层。在真空腔室或真空集群系统中进行选择性地形成金属氮化物层而未破真空。本发明实施例还提供另外两种形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN106971939A
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201611248416.0
申请日：2016-12-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/28518 , H01L21/76843 , H01L21/76855 , H01L23/485 , H01L29/0653 , H01L29/0847 , H01L29/41791 , H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L21/02521 , H01L21/02104
Abstract: 在一种制造一半导体装置的方法中，通过沉积制程在半导体层上形成含有非晶第一材料的第一层。在此第一层上形成含有金属第二材料的第二层。执行热制程以形成此非晶第一材料与此金属第二材料的合金层。
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公开(公告)号：CN100529160C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200610152334.6
申请日：2006-09-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种可消耗材料的厚板及物理气相沉积靶材料，包括至少一侦测器，用以对于该可消耗材料的厚板接近或已经减少至该可消耗材料的一既定量发出信号。本发明所述的可消耗材料的厚板及物理气相沉积靶材料，可降低物理气相沉积靶材的消耗成本，制造成本以及增加获利。
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公开(公告)号：CN101335183A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200810000237.4
申请日：2008-01-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/67 , H01L21/677
CPC classification number: H01L21/67201 , H01L21/67248
Abstract: 本发明涉及一种可控制温度的负载室，其用于半导体工艺。该负载室包括至少一个调节式冷却器、一质量流量控制器、至少一个温度传感器与一控制器。调节式冷却器供应具预定温度的流体至控温板，质量流量控制器供应气流至负载室，也有助于维持理想温度。此外，调节式冷却器和/或质量流量控制器可结合至少一个温度传感器，以提供反馈控制以易于调控温度。控制器也可通过至少一个温度传感器的温度读值来控制调节式冷却器和质量流量控制器。
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公开(公告)号：CN1982498A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610152334.6
申请日：2006-09-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种可消耗材料的厚板及物理气相沉积靶材料，包括至少一侦测器，用以对于该可消耗材料的厚板接近或已经减少至该可消耗材料的一既定量发出信号。本发明所述的可消耗材料的厚板及物理气相沉积靶材料，可降低物理气相沉积靶材的消耗成本，制造成本以及增加获利。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115527891A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210585485.X
申请日：2022-05-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本揭露提供一种基材接合设备、基材处理设备及其系统。基材接合设备包含流体冷却模块与用于基材内的多个区域(例如二或更多个区域)侦测温度的感测器模块。根据本揭露，基材接合设备实现了基材中的温度稳定。基材接合设备更通过减少变形残留物、减少在基材的边缘上的气泡、与缩减在基材内的非接合面积，来改善接合制程效能。
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公开(公告)号：CN115084053A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210277567.8
申请日：2022-03-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L27/092 , H01L23/528 , H01L21/768 , H01L21/8238
Abstract: 本公开涉及半导体器件的散热和制造方法。公开了具有改进的散热的半导体器件及其形成方法。在一个实施例中，一种器件包括第一晶体管结构；前侧互连结构，位于所述第一晶体管结构的前侧上，所述前侧互连结构包括前侧导电线；后侧互连结构，位于所述第一晶体管结构的后侧上，所述后侧互连结构包括后侧导电线，所述后侧导电线具有的线宽大于所述前侧导电线的线宽；以及第一散热衬底，耦合到所述后侧互连结构。
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公开(公告)号：CN105870003B
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201610446468.2
申请日：2008-10-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/265 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/165
CPC classification number: H01L29/7848 , H01L21/26586 , H01L29/165 , H01L29/66537 , H01L29/6659 , H01L29/7833
Abstract: 本发明公开一种形成半导体结构的方法，该方法包括：提供一半导体基底；形成一栅极介电层于该半导体基底上，其中该半导体基底与该栅极介电层的一侧壁具有一接合点；形成一栅极电极于该栅极介电层上；形成一掩模层于该半导体基底与该栅极电极上，其中邻接该接合点的该掩模层的一第一部份至少薄于远离该接合点的该掩模层的一第二部份；在形成该掩模层的步骤之后，执行一环形/口袋注入以引进一环形/口袋掺杂物进入该半导体基底；以及在该环形/口袋注入后，移除该掩模层。其发明可以降低源极/漏极与源极/漏极延伸区电阻与降低价电子带到传导带的漏电流。
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公开(公告)号：CN107887325A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201710170532.3
申请日：2017-03-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 提供一种半导体结构的形成方法。在一些实施例中，方法包括形成凹陷于介电层中，且凹陷定义介电层的第一侧壁。该方法亦包括沉积第一导电层于介电层的上表面与第一侧壁上，且第一导电层具有第一悬突；采用蚀刻品以移除第一导电层的第一悬突，且蚀刻品是第一导电层的卤化物、Cl2、BCl3、SPM、SC1、SC2、或上述的组合；以及将第二导电层填入凹陷。
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公开(公告)号：CN105870003A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610446468.2
申请日：2008-10-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/265 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/165
CPC classification number: H01L29/7848 , H01L21/26586 , H01L29/165 , H01L29/66537 , H01L29/6659 , H01L29/7833
Abstract: 本发明公开一种形成半导体结构的方法，该方法包括：提供一半导体基底；形成一栅极介电层于该半导体基底上，其中该半导体基底与该栅极介电层的一侧壁具有一接合点；形成一栅极电极于该栅极介电层上；形成一掩模层于该半导体基底与该栅极电极上，其中邻接该接合点的该掩模层的一第一部份至少薄于远离该接合点的该掩模层的一第二部份；在形成该掩模层的步骤之后，执行一环形/口袋注入以引进一环形/口袋掺杂物进入该半导体基底；以及在该环形/口袋注入后，移除该掩模层。其发明可以降低源极/漏极与源极/漏极延伸区电阻与降低价电子带到传导带的漏电流。
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