可控制温度的负载室
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101335183B

    公开(公告)日:2010-06-23

    申请号:CN200810000237.4

    申请日:2008-01-24

    CPC classification number: H01L21/67201 H01L21/67248

    Abstract: 本发明涉及一种可控制温度的负载室,其用于半导体工艺。该负载室包括至少一个调节式冷却器、一质量流量控制器、至少一个温度传感器与一控制器。调节式冷却器供应具预定温度的流体至控温板,质量流量控制器供应气流至负载室,也有助于维持理想温度。此外,调节式冷却器和/或质量流量控制器可结合至少一个温度传感器,以提供反馈控制以易于调控温度。控制器也可通过至少一个温度传感器的温度读值来控制调节式冷却器和质量流量控制器。

    可控制温度的负载室
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101335183A

    公开(公告)日:2008-12-31

    申请号:CN200810000237.4

    申请日:2008-01-24

    CPC classification number: H01L21/67201 H01L21/67248

    Abstract: 本发明涉及一种可控制温度的负载室,其用于半导体工艺。该负载室包括至少一个调节式冷却器、一质量流量控制器、至少一个温度传感器与一控制器。调节式冷却器供应具预定温度的流体至控温板,质量流量控制器供应气流至负载室,也有助于维持理想温度。此外,调节式冷却器和/或质量流量控制器可结合至少一个温度传感器,以提供反馈控制以易于调控温度。控制器也可通过至少一个温度传感器的温度读值来控制调节式冷却器和质量流量控制器。

    气体供应装置
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101058883A

    公开(公告)日:2007-10-24

    申请号:CN200710093756.5

    申请日:2007-04-18

    CPC classification number: H01L21/67069

    Abstract: 本发明提供一种气体供应装置,包括:一第一气体来源,提供惰性载气且连接于一第一管线;一第二气体来源,提供无水反应气体且连接于一第二管线;一第三气体来源,提供具有化学成份的气体且连接于一第三管线;一主管线,连接于该第一管线、第二管线及第三管线,以供应一混合气体,其中该混合气体是具有惰性载气、无水反应气体及具有化学成份的气体;及一温度控制器,位于该第二管线上。本发明所述的气体供应装置,具有良好蚀刻均匀性且又具低污染的优势洁净制程。

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