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公开(公告)号：CN115494698A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202210021129.5
申请日：2022-01-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本文中公开一种半导体器件及制造半导体器件的方法，包括：制造光刻胶混合物，所述光刻胶混合物包括表面活性剂、基础溶剂、在温度上具有高于所述基础溶剂的沸点的一种或多种沸点改性溶剂、以及比所述基础溶剂更亲水的一种或多种亲水性改性溶剂；使用湿膜工艺将光刻胶混合物沉积到包括多个凸块下金属层的衬底上；以及执行预烘烤工艺，以固化光刻胶混合物。
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公开(公告)号：CN110660650B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN201910043381.4
申请日：2019-01-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027 , H01L23/31
Abstract: 提供了半导体器件和制造导电连接件的方法。在实施例中，通过在曝光工艺期间调整对焦区域的中心点，在光刻胶内形成开口。一旦已经显影光刻胶以形成开口，显影后烘烤工艺用于重塑开口。一旦重塑，在开口内形成导电材料以呈现开口的形状。本发明的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN111863601B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN201910800718.1
申请日：2019-08-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/66 , G03F7/004 , G03F7/039
Abstract: 使用具有检测添加剂的光刻胶，以在显影后检查工艺期间帮助增大图像的对比度。所述检测添加剂在显影后检查工艺期间发荧光并增加在显影后检查工艺期间反射的能量，从而在显影后检查工艺期间增大对比度并帮助识别以其他方式无法检测到的缺陷。
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公开(公告)号：CN114628277A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202110424481.9
申请日：2021-04-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种管理重叠对准的方法及系统以及计算系统。本公开描述使用机器学习来管理半导体制造中的竖直对准或重叠的技术。通过所公开的技术来评估和管理扇出型晶片级封装工艺中的内连线特征的对准。大数据和机器学习用于训练使重叠误差源因子与重叠计量类别相关的分类。重叠误差源因子包含工具信号。训练分类包含基础分类和元分类。
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公开(公告)号：CN111863601A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201910800718.1
申请日：2019-08-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/66 , G03F7/004 , G03F7/039
Abstract: 使用具有检测添加剂的光刻胶，以在显影后检查工艺期间帮助增大图像的对比度。所述检测添加剂在显影后检查工艺期间发荧光并增加在显影后检查工艺期间反射的能量，从而在显影后检查工艺期间增大对比度并帮助识别以其他方式无法检测到的缺陷。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111128768B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN201911043962.4
申请日：2019-10-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例公开制造重布线路结构的方法，且所述方法中的一种包括以下步骤。在管芯及包封所述管芯的包封体之上形成晶种层。在所述晶种层之上形成光刻胶材料。使用等于或小于0.18的数值孔径，通过相移掩模将所述光刻胶材料曝光于I线步进光刻机内的I线波长。将所述光刻胶材料显影以形成光刻胶层，所述光刻胶层包括光刻胶图案及所述光刻胶图案之间的开口。在所述开口中形成导电材料。移除所述光刻胶图案，以形成导电图案。通过使用所述导电图案作为掩模，局部地移除所述晶种层，以在所述导电图案下方形成晶种层图案，其中重布线导电图案分别包括所述晶种层图案及所述导电图案。
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公开(公告)号：CN115248536A
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202210787302.2
申请日：2022-07-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 在实施例中，一种装置包括：能量源；支撑平台，用于保持晶片；光学路径，从能量源延伸到支撑平台；以及光掩模，被对准成使得光掩模的图案化主表面平行于重力，其中光学路径穿过光掩模，其中光掩模的图案化主表面垂直于支撑平台的最顶表面。
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公开(公告)号：CN110970381B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN201910926998.0
申请日：2019-09-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L23/544 , H01L21/56 , H01L21/60
Abstract: 半导体器件包括密封第一集成电路管芯和第二集成电路管芯的模塑料；位于模塑料、第一集成电路管芯和第二集成电路管芯上方的介电层；以及位于介电层上方并且将第一集成电路管芯电连接到第二集成电路管芯的金属化图案。金属化图案包括多条导线。多条导线中的每条导线从金属化图案的第一区域穿过金属化图案的第二区域连续延伸至金属化图案的第三区域；并且在金属化图案的第二区域中具有相同类型的制造异常。本发明的实施例还涉及形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN111952379A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN201910857662.3
申请日：2019-09-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L31/0232 , H01L31/0203 , H01L31/02 , H01L25/16
Abstract: 一种用于图案化半导体器件的光学光刻系统及其使用方法。在实施例中，一种光学装置包括：光路；棱镜，设置在所述光路上；透镜，设置在所述光路上；以及可调谐反射镜，设置在所述光路上，所述可调谐反射镜包括：反射镜，在其正面具有凹面；后支架，贴附到所述反射镜的背面；以及多个微调螺钉，从所述后支架延伸到所述反射镜的所述背面。
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