公开(公告)号：CN116978902A

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202310641471.X

申请日：2023-06-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许铭城 ,  杨宇滔 ,  吕宗庭 ,  康伯坚 ,  阿密特·昆杜 ,  周文昇 ,  彭永州

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/552 ,  H01L23/00 ,  H01L21/76 ,  H01L21/82

Abstract: 一种半导体器件及其形成方法，半导体器件包括：对应地包括在邻接第一和第二模拟单元区中的第一有源区和第二有源区(AR)，第一和第三模拟单元区邻接的区域(模拟单元边界(ACB)区域)从第一AR的顶部边界附近延伸到第二AR的底部边界附近；通孔‑至‑PGBM_1st区段接触结构(VB)对应地位于第一AR或第二AR之下，每个VB的长轴和第一AR和第二AR中的每个AR的短轴具有大约相同的长度；以及第一埋入式金属化(第一BM)层中的PG区段(PGBM_1st区段)，PGBM_1st区段位于每个VB的大部分之下，并且PGBM_1st区段的Y中线位于第一和第二模拟单元区邻接的位置处或附近，因此位于ACB区的中间处或附近。

公开(公告)号：CN119272699A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202411144364.7

申请日：2024-08-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 阿尤什阿格拉瓦尔 ,  杨宇滔 ,  许铭城 ,  周文昇 ,  彭永州

IPC: G06F30/392 ,  G06F30/394

Abstract: 本发明提供一种与模拟ECO流程相结合的集成电路的设计方法。一种实例性方法包括接收初始设计以及实行自动标记过程。自动标记过程包括：实行第一自动标记过程以利用对应于第一多个工程变更命令(ECO)胞元的第一计算机辅助设计(CAD)层环绕设计的第一多个有效胞元；实行增强型自动标记过程以利用对应于第二多个ECO胞元的第二CAD层覆盖设计的不规则形状；以及实行第二自动标记过程以利用对应于第三多个ECO胞元的第三CAD层来填充设计的空区域。所述方法更包括利用第一多个ECO胞元、第二多个ECO胞元及第三多个ECO胞元来填充设计。