公开(公告)号：CN116978902A

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202310641471.X

申请日：2023-06-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许铭城 ,  杨宇滔 ,  吕宗庭 ,  康伯坚 ,  阿密特·昆杜 ,  周文昇 ,  彭永州

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/552 ,  H01L23/00 ,  H01L21/76 ,  H01L21/82

Abstract: 一种半导体器件及其形成方法，半导体器件包括：对应地包括在邻接第一和第二模拟单元区中的第一有源区和第二有源区(AR)，第一和第三模拟单元区邻接的区域(模拟单元边界(ACB)区域)从第一AR的顶部边界附近延伸到第二AR的底部边界附近；通孔‑至‑PGBM_1st区段接触结构(VB)对应地位于第一AR或第二AR之下，每个VB的长轴和第一AR和第二AR中的每个AR的短轴具有大约相同的长度；以及第一埋入式金属化(第一BM)层中的PG区段(PGBM_1st区段)，PGBM_1st区段位于每个VB的大部分之下，并且PGBM_1st区段的Y中线位于第一和第二模拟单元区邻接的位置处或附近，因此位于ACB区的中间处或附近。