公开(公告)号：CN103123659B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201210129812.7

申请日：2012-04-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 阿肖克·梅赫塔 ,  斯坦利·约翰 ,  丁凯原 ,  桑迪·库马·戈埃尔 ,  叶朝阳

IPC: G06F17/50

CPC classification number: G06F17/5081 ,  G06F17/50 ,  G06F17/5072 ,  G06F17/5077 ,  G06F2217/78

Abstract: 一种系统，包括：自动布局布线工具，基于门级电路描述生成集成电路(IC)管芯的布局。机器可读永久性存储介质包括：第一部分，通过分别在第一和第二IC管芯上形成的第一和第二电路图案的第一门级描述编码；以及第二部分，通过从工具接收的多个电路图案的第二门级描述进行编码。第二门级描述包括电源和接地端口，并且第一门级描述不包括电源和接地端口。由处理器实现的验证模块被提供用于比较第一和第二门级描述，并且如果第二门级描述存在错误则该验证模块输出错误报告。验证模块输出第一和第二电路图案的经过验证的第二门级描述。本发明还提供了一种堆叠管芯互连验证。

公开(公告)号：CN103151337B

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201210076897.7

申请日：2012-03-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王敏哲 ,  陈卿芳 ,  桑迪.库马.戈埃尔 ,  袁忠盛 ,  叶朝阳 ,  刘钦洲 ,  李云汉 ,  林鸿志

IPC: H01L23/544

CPC classification number: G01R1/07342 ,  G01R1/07378 ,  H01L2224/16225

Abstract: 一种用于晶圆级测试半导体IC封装的被测器件(DUT)的测试探测结构。该结构包括衬底、衬底通孔、形成在衬底的第一表面以接合探测卡的凸块阵列以及在衬底的第二表面上的至少一个探测单元。该探测单元包括形成在衬底的一个表面上的导电探测焊盘以及与该焊盘互连的至少一个微凸块。该焊盘通过通孔电连接到凸块阵列。一些实施例包括多个与焊盘相连接的微凸块，该焊盘被配置为与DUT上的微凸块匹配阵列相接合。在一些实施例中，DUT可以通过从探测卡通过凸块和微凸块阵列施加测试信号进行探测，而不直接探测DUT微凸块。

公开(公告)号：CN103123659A

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：CN201210129812.7

申请日：2012-04-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 阿肖克·梅赫塔 ,  斯坦利·约翰 ,  丁凯原 ,  桑迪·库马·戈埃尔 ,  叶朝阳

IPC: G06F17/50

CPC classification number: G06F17/5081 ,  G06F17/50 ,  G06F17/5072 ,  G06F17/5077 ,  G06F2217/78

Abstract: 一种系统，包括：自动布局布线工具，基于门级电路描述生成集成电路(IC)管芯的布局。机器可读永久性存储介质包括：第一部分，通过分别在第一和第二IC管芯上形成的第一和第二电路图案的第一门级描述编码；以及第二部分，通过从工具接收的多个电路图案的第二门级描述进行编码。第二门级描述包括电源和接地端口，并且第一门级描述不包括电源和接地端口。由处理器实现的验证模块被提供用于比较第一和第二门级描述，并且如果第二门级描述存在错误则该验证模块输出错误报告。验证模块输出第一和第二电路图案的经过验证的第二门级描述。本发明还提供了一种堆叠管芯互连验证。

公开(公告)号：CN105304617A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201510274297.5

申请日：2015-05-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈思莹 ,  许慈轩 ,  叶朝阳 ,  杨敦年

IPC: H01L25/00 ,  H01L21/98

CPC classification number: H01L2224/16145

Abstract: 本发明的实施例公开了半导体器件及其制造方法。在一些实施例中，半导体器件包括第一混合接合器件，该第一混合接合器件包括第一器件和面对面地混合接合至第一器件的第二器件。第一器件包括具有第一接合连接件的第一衬底和设置在该衬底表面上的第一接合层。第二混合接合器件背对背地接合至第一混合接合器件。第二混合接合器件包括第三器件和面对面地混合接合至第三器件的第四器件。第三器件包括具有第二接合连接件的第二衬底和设置在该衬底表面上的第二接合层。第三器件的第二接合连接件连接至第一器件的第一接合连接件，并且第三器件的第二接合层连接至第一器件的第一接合层。

公开(公告)号：CN105304613A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201510003160.6

申请日：2015-01-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶朝阳 ,  林明村 ,  陶昊

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/568 ,  H01L21/768 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/02 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/16 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/19011 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043

Abstract: 本发明提供了一种封装件以及形成该封装件的方法。具有高密度布线的链接器件附接至封装件以提供互连各半导体器件的高密度互连路径。在一个实施例中，封装件是集成扇出封装件。链接器件可以接合至封装件的任一侧，并且封装件可任选地包括封装通孔。链接器件还可以为包括电阻器、电感器和电容器部件的集成无源器件。

公开(公告)号：CN105304613B

公开(公告)日：2018-08-07

申请号：CN201510003160.6

申请日：2015-01-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶朝阳 ,  林明村 ,  陶昊

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/568 ,  H01L21/768 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/02 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/16 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/19011 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043

Abstract: 本发明提供了种封装件以及形成该封装件的方法。具有高密度布线的链接器件附接至封装件以提供互连各半导体器件的高密度互连路径。在个实施例中,封装件是集成扇出封装件。链接器件可以接合至封装件的任侧,并且封装件可任选地包括封装通孔。链接器件还可以为包括电阻器、电感器和电容器部件的集成无源器件。

公开(公告)号：CN103151337A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201210076897.7

申请日：2012-03-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王敏哲 ,  陈卿芳 ,  桑迪.库马.戈埃尔 ,  袁忠盛 ,  叶朝阳 ,  刘钦洲 ,  李云汉 ,  林鸿志

IPC: H01L23/544

CPC classification number: G01R1/07342 ,  G01R1/07378 ,  H01L2224/16225

Abstract: 一种用于晶圆级测试半导体IC封装的被测器件(DUT)的测试探测结构。该结构包括衬底、衬底通孔、形成在衬底的第一表面以接合探测卡的凸块阵列以及在衬底的第二表面上的至少一个探测单元。该探测单元包括形成在衬底的一个表面上的导电探测焊盘以及与该焊盘互连的至少一个微凸块。该焊盘通过通孔电连接到凸块阵列。一些实施例包括多个与焊盘相连接的微凸块，该焊盘被配置为与DUT上的微凸块匹配阵列相接合。在一些实施例中，DUT可以通过从探测卡通过凸块和微凸块阵列施加测试信号进行探测，而不直接探测DUT微凸块。

公开(公告)号：CN105304617B

公开(公告)日：2018-08-07

申请号：CN201510274297.5

申请日：2015-05-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈思莹 ,  许慈轩 ,  叶朝阳 ,  杨敦年

IPC: H01L25/00 ,  H01L21/98

CPC classification number: H01L2224/16145

Abstract: 本发明的实施例公开了半导体器件及其制造方法。在些实施例中,半导体器件包括第混合接合器件,该第混合接合器件包括第器件和面对面地混合接合至第器件的第二器件。第器件包括具有第接合连接件的第衬底和设置在该衬底表面上的第接合层。第二混合接合器件背对背地接合至第混合接合器件。第二混合接合器件包括第三器件和面对面地混合接合至第三器件的第四器件。第三器件包括具有第二接合连接件的第二衬底和设置在该衬底表面上的第二接合层。第三器件的第二接合连接件连接至第器件的第接合连接件,并且第三器件的第二接合层连接至第器件的第接合层。