-
公开(公告)号：CN104617056A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201410825904.8
申请日：2010-11-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L24/13 , H01L23/293 , H01L23/3171 , H01L23/498 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/0362 , H01L2224/03831 , H01L2224/03901 , H01L2224/0401 , H01L2224/05572 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05669 , H01L2224/1147 , H01L2224/11622 , H01L2224/1181 , H01L2224/1183 , H01L2224/11849 , H01L2224/11901 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/93 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01084 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/1434 , H01L2924/15311 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H05K3/28 , H05K3/3478 , H05K3/4007 , H01L2224/11 , H01L2224/05552 , H01L2924/00 , H01L2924/1082
Abstract: 本发明提供一种半导体结构，该半导体结构包括：一基材，具有一接触垫形成于其上；以及一聚合物层位于该基材上，该聚合物层被圖案化以暴露至少一部分的该接触垫，该聚合物层的钛表面污染物小于约1％、氟表面污染物小于约1％、锡表面污染物小于约1.5％、及铅表面污染物小于约0.4％。本发明可避免及/或减少来自例如胶带工艺的污染物。
-
公开(公告)号：CN105336578B
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201410658986.1
申请日：2014-11-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L23/525
Abstract: 本发明提供了具有通孔的堆叠结构上的缓冲层。一种结构包括第一和第二衬底、第一和第二应力缓冲层和钝化后互连(PPI)结构。第一和第二衬底包括第一和第二半导体衬底以及分别位于所述第一和第二半导体衬底上的第一和第二互连结构。第二互连结构位于第二半导体衬底的第一侧上。第一衬底在接合界面处接合至第二衬底。通孔至少延伸穿过第二半导体衬底进入第二互连结构。第一应力缓冲层位于与第二半导体衬底的第一侧相对的第二半导体衬底的第二侧上。PPI结构位于第一应力缓冲层上且电连接至通孔。第二应力缓冲层位于PPI结构和第一应力缓冲层上。
-
公开(公告)号：CN102456563B
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201110168533.7
申请日：2011-06-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/304 , G03F7/20
CPC classification number: H01L21/6836 , B32B2310/0831 , H01L21/67115 , H01L21/67132 , Y10T156/1917
Abstract: 本发明公开一种形成集成电路的方法，包括提供晶片以及粘附在晶片上的胶带，其中胶带具有垂直于第一方向的主表面。使用光线对胶带进行曝光以使其失去粘附力。在对胶带进行曝光的步骤中，旋转晶片和胶带，和/或使光线倾斜地投射到胶带上，其中光线的主投射方向和第一方向之间形成大于0°并小于90°的倾斜角。
-
公开(公告)号：CN104617056B
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201410825904.8
申请日：2010-11-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L24/13 , H01L23/293 , H01L23/3171 , H01L23/498 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/0362 , H01L2224/03831 , H01L2224/03901 , H01L2224/0401 , H01L2224/05572 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05669 , H01L2224/1147 , H01L2224/11622 , H01L2224/1181 , H01L2224/1183 , H01L2224/11849 , H01L2224/11901 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/93 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01084 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/1434 , H01L2924/15311 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H05K3/28 , H05K3/3478 , H05K3/4007 , H01L2224/11 , H01L2224/05552 , H01L2924/00 , H01L2924/1082
Abstract: 本发明提供一种半导体结构，该半导体结构包括：一基材，具有一接触垫形成于其上；以及一聚合物层位于该基材上，该聚合物层被圖案化以暴露至少一部分的该接触垫，该聚合物层的钛表面污染物小于约1％、氟表面污染物小于约1％、锡表面污染物小于约1.5％、及铅表面污染物小于约0.4％。本发明可避免及/或减少来自例如胶带工艺的污染物。
-
公开(公告)号：CN105336578A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201410658986.1
申请日：2014-11-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L23/525
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L21/76805 , H01L21/76877 , H01L21/76898 , H01L21/8221 , H01L23/293 , H01L23/3114 , H01L23/3192 , H01L23/481 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L23/562 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/09 , H01L24/13 , H01L24/80 , H01L24/89 , H01L25/50 , H01L27/0688 , H01L2224/023 , H01L2224/02351 , H01L2224/024 , H01L2224/0345 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05024 , H01L2224/05025 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05572 , H01L2224/0558 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/08145 , H01L2224/08146 , H01L2224/1132 , H01L2224/1145 , H01L2224/11462 , H01L2224/11849 , H01L2224/12105 , H01L2224/13024 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/9202 , H01L2224/9212 , H01L2225/06548 , H01L2224/03 , H01L2224/11 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/014 , H01L2224/8203 , H01L2224/821 , H01L2224/80001 , H01L2224/82 , H01L2924/01074
Abstract: 本发明提供了具有通孔的堆叠结构上的缓冲层。一种结构包括第一和第二衬底、第一和第二应力缓冲层和钝化后互连(PPI)结构。第一和第二衬底包括第一和第二半导体衬底以及分别位于所述第一和第二半导体衬底上的第一和第二互连结构。第二互连结构位于第二半导体衬底的第一侧上。第一衬底在接合界面处接合至第二衬底。通孔至少延伸穿过第二半导体衬底进入第二互连结构。第一应力缓冲层位于与第二半导体衬底的第一侧相对的第二半导体衬底的第二侧上。PPI结构位于第一应力缓冲层上且电连接至通孔。第二应力缓冲层位于PPI结构和第一应力缓冲层上。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102456563A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201110168533.7
申请日：2011-06-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/304 , G03F7/20
CPC classification number: H01L21/6836 , B32B2310/0831 , H01L21/67115 , H01L21/67132 , Y10T156/1917
Abstract: 本发明公开一种形成集成电路的方法，包括提供晶片以及粘附在晶片上的胶带，其中胶带具有垂直于第一方向的主表面。使用光线对胶带进行曝光以使其失去粘附力。在对胶带进行曝光的步骤中，旋转晶片和胶带，和/或使光线倾斜地投射到胶带上，其中光线的主投射方向和第一方向之间形成大于0°并小于90°的倾斜角。
-
公开(公告)号：CN106960813A
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201611121073.1
申请日：2016-12-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/0332 , H01L21/32 , H01L21/76224 , H01L21/76807 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L21/76805 , H01L21/76897
Abstract: 一种半导体结构包括：衬底，包括层间电介质(ILD)和设置在该ILD上方的硅层，其中ILD包括设置在其中的导电结构；设置在硅层上方的介电层；以及导电插塞，该导电插塞与导电结构电连接并且从介电层延伸穿过硅层至ILD，其中，导电插塞具有从介电层延伸至ILD的长度和沿该长度基本上一致的宽度。本发明实施例涉及一种半导体结构及其制造方法。
-
公开(公告)号：CN102842537B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201110344854.8
申请日：2011-11-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/00 , H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/03 , H01L23/3114 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/0346 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05571 , H01L2224/05583 , H01L2224/05609 , H01L2224/05611 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/11334 , H01L2224/11849 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/16147 , H01L2224/16237 , H01L2224/81191 , H01L2224/81411 , H01L2224/81413 , H01L2224/81416 , H01L2224/81439 , H01L2224/81447 , H01L2224/81455 , H01L2224/81815 , H01L2224/8191 , H01L2924/00014 , H01L2924/01327 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/15788 , H01L2924/01029 , H01L2924/00012 , H01L2924/01082 , H01L2924/01046 , H01L2924/01079 , H01L2924/01047 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
Abstract: 一种半导体器件包括：势垒层，位于焊料凸块和后钝化互连(PPI)层之间。势垒层由无电镀镍(Ni)层、无电镀钯(Pd)层、或者浸渍(Au)层中的至少一个形成。
-
公开(公告)号：CN102290379B
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201010551927.6
申请日：2010-11-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L24/13 , H01L23/293 , H01L23/3171 , H01L23/498 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/0362 , H01L2224/03831 , H01L2224/03901 , H01L2224/0401 , H01L2224/05572 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05669 , H01L2224/1147 , H01L2224/11622 , H01L2224/1181 , H01L2224/1183 , H01L2224/11849 , H01L2224/11901 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/93 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01084 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/1434 , H01L2924/15311 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H05K3/28 , H05K3/3478 , H05K3/4007 , H01L2224/11 , H01L2224/05552 , H01L2924/00 , H01L2924/1082
Abstract: 本发明提供具有聚合物层的半导体装置及其制造方法。用于聚合物表面的两步骤等离子体处理包含一第一等离子体工艺用以使聚合物层表面粗糙化并释放出使结构松散一产生的松散结构污染物，及一第二等离子体工艺用以使聚合物层光滑或较不粗糙。可在第一等离子体工艺及第二等离子体工艺之间使用一蚀刻工艺以移除由第一等离子体工艺所释放的污染物。在一实施例中，聚合物层的由原子力显微镜及表面积差异比率系数所量测得到的粗糙度介于约1％及约8％，且/或该聚合物层的钛表面污染物小于1％、氟表面污染物小于约1％、锡表面污染物小于约1.5％、及铅表面污染物小于约0.4％。本发明可避免及/或减少来自例如胶带工艺的污染物。
-
公开(公告)号：CN102290379A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201010551927.6
申请日：2010-11-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L24/13 , H01L23/293 , H01L23/3171 , H01L23/498 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/0362 , H01L2224/03831 , H01L2224/03901 , H01L2224/0401 , H01L2224/05572 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05669 , H01L2224/1147 , H01L2224/11622 , H01L2224/1181 , H01L2224/1183 , H01L2224/11849 , H01L2224/11901 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/93 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01084 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/1434 , H01L2924/15311 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H05K3/28 , H05K3/3478 , H05K3/4007 , H01L2224/11 , H01L2224/05552 , H01L2924/00 , H01L2924/1082
Abstract: 本发明提供具有聚合物层的半导体装置及其制造方法。用于聚合物表面的两步骤等离子体处理包含一第一等离子体工艺用以使聚合物层表面粗糙化并释放出使结构松散一产生的松散结构污染物，及一第二等离子体工艺用以使聚合物层光滑或较不粗糙。可在第一等离子体工艺及第二等离子体工艺之间使用一蚀刻工艺以移除由第一等离子体工艺所释放的污染物。在一实施例中，聚合物层的由原子力显微镜及表面积差异比率系数所量测得到的粗糙度介于约1％及约8％，且/或该聚合物层的钛表面污染物小于1％、氟表面污染物小于约1％、锡表面污染物小于约1.5％、及铅表面污染物小于约0.4％。本发明可避免及/或减少来自例如胶带工艺的污染物。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
17
records
(took 0.03 seconds)
