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公开(公告)号：CN115044980A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210875215.2
申请日：2022-07-25
Abstract: 本发明公开了一种利用化学气相沉积法制备二硫化钼钨单晶的方法，涉及二硫化钼钨制备领域。本发明首选将硅片进行预清洗，然后将硫粉、MoO3粉末和一定比例的WO3和NaCl的混合粉末放入容器中，再把预清洗的硅片放入衬底支架上，随后把粉末容器和衬底支架放入管式炉，抽取真空，排除空气，将整个反应系统在载气的氛围中，调整温度进行反应，制备出大面积的二硫化钼钨单晶。所制备的二硫化钼钨单晶整体平整，厚度为0.8nm，质量较高，实验的整体成功率也得到显著提高。
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公开(公告)号：CN108597986A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810411512.5
申请日：2018-05-02
Abstract: 一种基于预氧化处理的硅纳米线阵列的制备方法，涉及微纳米材料。1)将硅片清洗；将步骤1)得到的预清洗硅片置入H2O2溶液反应，在预清洗硅片表面形成一层二氧化硅层，得到预氧化硅片；将步骤2)得到的预氧化硅片用改良的RCA方法清洗；将步骤3)得到的硅片浸入HF水溶液，去除硅片表面的二氧化硅层，采用金属辅助刻蚀法在硅片表面制备基于预氧化处理的硅纳米线阵列。完成每一步骤后最好用去离子水充分清洗硅片。所制备的基于预氧化处理的硅纳米线阵列中硅纳米线的长度可为0.500～8.000μm，反射率可为2.24％～1.50％。
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公开(公告)号：CN115821378B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202211507290.X
申请日：2022-11-29
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种等离子体热氧化制备氧化镓薄膜的方法，将氮化镓薄膜转移到等离子体增强化学气相沉积装置内，并放置在管式炉加热区中间位置，启动机械泵将管式炉内抽真空，维持管式炉内压强在10～30Pa，之后将管式炉的温度升高到800～900℃；向管式炉内同时输入氩气和氧气，当管式炉内压强稳定在20～100Pa时，打开射频电源产生等离子体，在管式炉内放电稳定后停止通入氩气；待放电再次稳定后，保持管式炉内温度不变，进行热氧化处理；关闭射频电源，停止通入氧气，保持机械泵工作的同时，使管式炉自然冷却到室温。本发明实现快速、高质量的氧化镓薄膜制备。
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公开(公告)号：CN104037248A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410320202.4
申请日：2014-07-08
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/0322
Abstract: 本发明公开了一种铜铟镓硫硒薄膜材料的制备方法，包括如下步骤：(1)根据Cu1～xIn1～yGamSe2～zSn式中铜、铟、镓的化学计量比，将铜、铟、镓的卤族化合物或硝酸盐溶解于低碳醇中，配置成含铜铟镓的低碳醇溶液；(2)将乙基纤维素缓慢加入步骤(1)制备的铜铟镓的低碳醇溶液中搅拌混合均匀，再加入松油醇的低碳醇溶液，搅拌混合直至溶液变为粘稠液；(3)在非真空条件下将粘稠液刮涂到衬底上于130～160℃烘干10～30分钟，再加热氧化得到铜铟镓氧化物；(4)铜铟镓氧化物在氢氩混合气氛中加热氢化还原形成铜铟镓合金；(5)铜铟镓合金用硫粉硫化后再用硒粉硒化，即得所述铜铟镓硫硒薄膜材料。本发明的能耗少、工艺简单，产品成本低廉。
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公开(公告)号：CN104773725A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201510165689.8
申请日：2015-04-09
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明公开了一种利用低温等离子体制备石墨烯的方法，其步骤是提供一反应器，在反应器进出口两端相对设置一对电极；提供金属箔的衬底，将衬底放入反应器中，通入H2，升温至500-1000℃对衬底进行还原处理；通入含有碳源的气体和载气至反应器，电极两端施加电压，电极通过电容耦合等离子体放电方式电离碳源气体，放电时间1-30分钟；放电结束后反应器冷却至室温，获得石墨烯材料，材料生长温度较低，石墨烯形貌可控，均匀性较好，工艺简单，成本低廉，且产品性能稳定。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104058446B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201410320048.0
申请日：2014-07-08
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种低维氧化锌纳米材料及其低温等离子体制备方法。其制备方法包括如下步骤：(1)使用磁控溅射在硅片沉底上沉积一层锌薄膜。(2)将镀有锌薄膜的硅片放入低温等离子体增强水平管式炉沉积系统中，将其放在该系统后进行不同气体气氛比例条件下的等离子体放电处理，通过控制不同的处理温度以及放电电流可以得到不同形貌的氧化锌纳米材料。本发明制备方法制备出的氧化锌纳米材料，材料生长温度低，生长纳米材料质量好，工艺简单，成本低廉，且产品性能稳定，在光伏领域、气体探测器等应用领域有广阔前景。
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公开(公告)号：CN115911168B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202211246453.3
申请日：2022-10-12
Applicant: 厦门大学
IPC: H10F30/223 , H10F71/00 , H10F77/12
Abstract: 本发明公开了一种有源区全耗尽的pin异质结日盲紫外高速光电探测器及其制备方法，涉及日盲紫外光电探测器领域。本发明是在p型氮化镓衬底上先沉积一层本征氧化镓作为i层，然后再沉积一层硅掺杂的n型氧化镓层构成pin异质结。通过合理调控掺杂浓度和i型氧化镓层的厚度，使得作为主要吸光层的i型氧化镓层全耗尽。随后在pin异质结上分别制备p型氮化镓和n型氧化镓的欧姆接触，即可获得基于氧化镓的pin异质结光电探测器。对比常规的氧化镓基pn异质结光电探测器，本发明中制备的pin异质结光电探测器具有优异的器件性能，包括更短的响应时间、更大的响应度、更大的光暗电流比、良好的瞬态响应特性和稳定性。
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公开(公告)号：CN104058446A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410320048.0
申请日：2014-07-08
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种低维氧化锌纳米材料及其低温等离子体制备方法。其制备方法包括如下步骤：(1)使用磁控溅射在硅片沉底上沉积一层锌薄膜。(2)将镀有锌薄膜的硅片放入低温等离子体增强水平管式炉沉积系统中，将其放在该系统后进行不同气体气氛比例条件下的等离子体放电处理，通过控制不同的处理温度以及放电电流可以得到不同形貌的氧化锌纳米材料。本发明制备方法制备出的氧化锌纳米材料，材料生长温度低，生长纳米材料质量好，工艺简单，成本低廉，且产品性能稳定，在光伏领域、气体探测器等应用领域有广阔前景。
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公开(公告)号：CN115911168A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211246453.3
申请日：2022-10-12
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/18 , H01L31/0328
Abstract: 本发明公开了一种有源区全耗尽的pin异质结日盲紫外高速光电探测器及其制备方法，涉及日盲紫外光电探测器领域。本发明是在p型氮化镓衬底上先沉积一层本征氧化镓作为i层，然后再沉积一层硅掺杂的n型氧化镓层构成pin异质结。通过合理调控掺杂浓度和i型氧化镓层的厚度，使得作为主要吸光层的i型氧化镓层全耗尽。随后在pin异质结上分别制备p型氮化镓和n型氧化镓的欧姆接触，即可获得基于氧化镓的pin异质结光电探测器。对比常规的氧化镓基pn异质结光电探测器，本发明中制备的pin异质结光电探测器具有优异的器件性能，包括更短的响应时间、更大的响应度、更大的光暗电流比、良好的瞬态响应特性和稳定性。
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公开(公告)号：CN106591770A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611080557.6
申请日：2016-11-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: 在金属箔基底上可控制备低维金属氧化物纳米材料的方法，涉及金属氧化物纳米材料。通过等离子体方法在金属箔表面生长出纳米材料，并通过控制温度和通入气体的比例来控制纳米材料的生长。具体步骤：将金属箔打磨去除表面氧化物并清洗后，放入反应装置中并抽真空，然后升温，再通入氩气与氧气并通过两端的电极进行辉光放电，辉光放电结束后，待反应装置冷却到室温便可获得低维金属氧化物纳米材料。可适用于多种不同金属；由能够使得反应物分子实现有效激发、离解和电离，使得反应体系能够在低温下快速进行；可以降低反应温度和减少反应时间。所需加热温度低，反应时间短，可有效降低能耗；工艺简单，成本低廉；生产出的纳米材料形貌可控，质量高。
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