公开(公告)号：CN115911168B

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202211246453.3

申请日：2022-10-12

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张洪良 ,  陈文澄 ,  徐翔宇 ,  李明杭 ,  程其进

IPC: H10F30/223 ,  H10F71/00 ,  H10F77/12

Abstract: 本发明公开了一种有源区全耗尽的pin异质结日盲紫外高速光电探测器及其制备方法，涉及日盲紫外光电探测器领域。本发明是在p型氮化镓衬底上先沉积一层本征氧化镓作为i层，然后再沉积一层硅掺杂的n型氧化镓层构成pin异质结。通过合理调控掺杂浓度和i型氧化镓层的厚度，使得作为主要吸光层的i型氧化镓层全耗尽。随后在pin异质结上分别制备p型氮化镓和n型氧化镓的欧姆接触，即可获得基于氧化镓的pin异质结光电探测器。对比常规的氧化镓基pn异质结光电探测器，本发明中制备的pin异质结光电探测器具有优异的器件性能，包括更短的响应时间、更大的响应度、更大的光暗电流比、良好的瞬态响应特性和稳定性。

公开(公告)号：CN115911168A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202211246453.3

申请日：2022-10-12

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张洪良 ,  陈文澄 ,  徐翔宇 ,  李明杭 ,  程其进

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0328

Abstract: 本发明公开了一种有源区全耗尽的pin异质结日盲紫外高速光电探测器及其制备方法，涉及日盲紫外光电探测器领域。本发明是在p型氮化镓衬底上先沉积一层本征氧化镓作为i层，然后再沉积一层硅掺杂的n型氧化镓层构成pin异质结。通过合理调控掺杂浓度和i型氧化镓层的厚度，使得作为主要吸光层的i型氧化镓层全耗尽。随后在pin异质结上分别制备p型氮化镓和n型氧化镓的欧姆接触，即可获得基于氧化镓的pin异质结光电探测器。对比常规的氧化镓基pn异质结光电探测器，本发明中制备的pin异质结光电探测器具有优异的器件性能，包括更短的响应时间、更大的响应度、更大的光暗电流比、良好的瞬态响应特性和稳定性。