公开(公告)号：CN115821378B

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202211507290.X

申请日：2022-11-29

Applicant: 厦门大学

Inventor： 程其进 ,  肖博翰 ,  苏童 ,  艾子康 ,  沈禹衡

IPC: C30B25/18 ,  C30B25/16 ,  C30B29/16

Abstract: 一种等离子体热氧化制备氧化镓薄膜的方法，将氮化镓薄膜转移到等离子体增强化学气相沉积装置内，并放置在管式炉加热区中间位置，启动机械泵将管式炉内抽真空，维持管式炉内压强在10～30Pa，之后将管式炉的温度升高到800～900℃；向管式炉内同时输入氩气和氧气，当管式炉内压强稳定在20～100Pa时，打开射频电源产生等离子体，在管式炉内放电稳定后停止通入氩气；待放电再次稳定后，保持管式炉内温度不变，进行热氧化处理；关闭射频电源，停止通入氧气，保持机械泵工作的同时，使管式炉自然冷却到室温。本发明实现快速、高质量的氧化镓薄膜制备。

公开(公告)号：CN115821378A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202211507290.X

申请日：2022-11-29

Applicant: 厦门大学

Inventor： 程其进 ,  肖博翰 ,  苏童 ,  艾子康 ,  沈禹衡

IPC: C30B25/18 ,  C30B25/16 ,  C30B29/16

Abstract: 一种等离子体热氧化制备氧化镓薄膜的方法，将氮化镓薄膜转移到等离子体增强化学气相沉积装置内，并放置在管式炉加热区中间位置，启动机械泵将管式炉内抽真空，维持管式炉内压强在10～30Pa，之后将管式炉的温度升高到800～900℃；向管式炉内同时输入氩气和氧气，当管式炉内压强稳定在20～100Pa时，打开射频电源产生等离子体，在管式炉内放电稳定后停止通入氩气；待放电再次稳定后，保持管式炉内温度不变，进行热氧化处理；关闭射频电源，停止通入氧气，保持机械泵工作的同时，使管式炉自然冷却到室温。本发明实现快速、高质量的氧化镓薄膜制备。