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公开(公告)号：CN106591770A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611080557.6
申请日：2016-11-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: 在金属箔基底上可控制备低维金属氧化物纳米材料的方法，涉及金属氧化物纳米材料。通过等离子体方法在金属箔表面生长出纳米材料，并通过控制温度和通入气体的比例来控制纳米材料的生长。具体步骤：将金属箔打磨去除表面氧化物并清洗后，放入反应装置中并抽真空，然后升温，再通入氩气与氧气并通过两端的电极进行辉光放电，辉光放电结束后，待反应装置冷却到室温便可获得低维金属氧化物纳米材料。可适用于多种不同金属；由能够使得反应物分子实现有效激发、离解和电离，使得反应体系能够在低温下快速进行；可以降低反应温度和减少反应时间。所需加热温度低，反应时间短，可有效降低能耗；工艺简单，成本低廉；生产出的纳米材料形貌可控，质量高。
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公开(公告)号：CN106591770B
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201611080557.6
申请日：2016-11-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: 在金属箔基底上可控制备低维金属氧化物纳米材料的方法，涉及金属氧化物纳米材料。通过等离子体方法在金属箔表面生长出纳米材料，并通过控制温度和通入气体的比例来控制纳米材料的生长。具体步骤：将金属箔打磨去除表面氧化物并清洗后，放入反应装置中并抽真空，然后升温，再通入氩气与氧气并通过两端的电极进行辉光放电，辉光放电结束后，待反应装置冷却到室温便可获得低维金属氧化物纳米材料。可适用于多种不同金属；由能够使得反应物分子实现有效激发、离解和电离，使得反应体系能够在低温下快速进行；可以降低反应温度和减少反应时间。所需加热温度低，反应时间短，可有效降低能耗；工艺简单，成本低廉；生产出的纳米材料形貌可控，质量高。
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