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公开(公告)号：CN115911168B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202211246453.3
申请日：2022-10-12
Applicant: 厦门大学
IPC: H10F30/223 , H10F71/00 , H10F77/12
Abstract: 本发明公开了一种有源区全耗尽的pin异质结日盲紫外高速光电探测器及其制备方法，涉及日盲紫外光电探测器领域。本发明是在p型氮化镓衬底上先沉积一层本征氧化镓作为i层，然后再沉积一层硅掺杂的n型氧化镓层构成pin异质结。通过合理调控掺杂浓度和i型氧化镓层的厚度，使得作为主要吸光层的i型氧化镓层全耗尽。随后在pin异质结上分别制备p型氮化镓和n型氧化镓的欧姆接触，即可获得基于氧化镓的pin异质结光电探测器。对比常规的氧化镓基pn异质结光电探测器，本发明中制备的pin异质结光电探测器具有优异的器件性能，包括更短的响应时间、更大的响应度、更大的光暗电流比、良好的瞬态响应特性和稳定性。
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公开(公告)号：CN115627527B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202211135585.9
申请日：2022-09-19
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种高饱和磁化强度锌掺杂镍铁氧体薄膜及其制备方法，涉及磁性半导体薄膜材料技术领域，方法包括如下步骤：将NiO、ZnO和Fe2O3多晶粉末混合，使用固体烧结法，获得圆片形锌掺杂镍铁氧体多晶靶材；在少量氧气存在的条件下，以所述锌掺杂镍铁氧体多晶靶为靶材，利用脉冲激光沉积法在MgAl2O4衬底上获得所述薄膜。本发明所制得的薄膜成分、厚度可控，具有绝缘亚铁磁性，其室温饱和磁化强度高达441.62emu/cm3，有助于指导制备具有室温亚铁磁性的铁氧体薄膜材料，有助于进一步推动自旋电子器件材料的发展。
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公开(公告)号：CN118507576A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410574025.6
申请日：2024-05-10
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/0336 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于n+‑Ga2O3/i‑Ga2O3/SnO异质结深紫外高速光电探测器，其外延结构由下至上包括衬底、n+‑Ga2O3层、i‑Ga2O3层和SnO层，外延结构通过台面蚀刻至裸露n+‑Ga2O3层，n型欧姆接触电极和p型欧姆接触电极分别设于n+‑Ga2O3层上和SnO层上。本发明采用高电子浓度的n+‑Ga2O3层和高空穴浓度的p‑型SnO层协同可为i‑Ga2O3层提供大的内建电场从而增强耗尽层区域厚度，不需要施加外部偏压，将光生载流子快速扫出结区，实现光生电荷的快速、高效收集。本发明还提供了其制备方法。本发明日盲紫外光电探测器具有自供电、探测灵敏度高、响应速度快的优异性能，有利于生产和应用推广。
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公开(公告)号：CN113981370A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111198821.7
申请日：2021-10-14
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提供一种深紫外透明的高导电性Si掺杂Ga2O3薄膜及其制备方法，其包括如下步骤：将SiO2和Ga2O3多晶粉末混合，使用固体烧结法，获得Si掺杂Ga2O3多晶靶材；在少量氧气存在的条件下，以所述Si掺杂Ga2O3多晶靶材为靶材，利用脉冲激光沉积法在Ga2O3衬底上获得所述薄膜。本发明制得的薄膜具备超高导电率和深紫外透过率的特性。本发明可解决目前深紫外透明的高导电性薄膜缺乏的问题，可作为电子注入(收集)层助力AlGaN的深紫外光电器件、有机基电子器件和基于Ga2O3的功率电子器件的效率提升。
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公开(公告)号：CN113921627A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111102849.6
申请日：2021-09-18
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/0392 , H01L31/09 , H01L31/18 , C23C14/34
Abstract: 本发明公开了一种(InxGa1‑x)2O3日盲紫外光电探测器及其制备方法，其光灵敏性达到108，探测率达到2×1016‑5×1016Jones，包括一c‑Al2O3衬底，该c‑Al2O3衬底上通过PLD生长形成一厚度为0.1‑0.5μm的(InxGa1‑x)2O3薄膜，该(InxGa1‑x)2O3薄膜上设有叉指电极，其中0.05≤x≤0.1。本发明将Ga2O3和In2O3合金化，In的引入有效降低了器件的暗电流，提高了器件的光响应，使器件的光电性能得到大幅度提升，实现超高灵敏度和超高探测率，使得本发明所制备的器件对日盲光具有极高灵敏性，能够识别极其微弱的日盲紫外信号，不受可见光影响，具备全天候型的日盲紫外光探测能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118352423A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410593828.6
申请日：2024-05-14
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/108 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/0216
Abstract: 本发明公开了一种梯度内建电场调控肖特基结日盲紫外探测器及其制备方法，涉及宽禁带半导体紫外光电探测器领域。本发明的探测器结构由下至上依次包括：欧姆接触电极、氧化镓衬底、梯度掺杂内建电场层、超薄肖特基透明电极层、环形电极和绝缘氧化物钝化封装层；其中所述氧化镓衬底是非故意掺杂氧化镓单晶衬底或Sn掺杂氧化镓导电衬底，梯度掺杂内建电场层通过氧化镓衬底的同质材料在纯氧气氛中退火形成。本发明利用在退火工艺中氧离子扩散(或镓空位补偿)梯度，在氧化镓肖特基结区形成梯度内建电场从而增强耗尽层区域厚度和表面势垒的高度，实现探测器对光生载流子的高效分离和快速收集，具有探测灵敏度高、响应速度快、自供电的优异性能。
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公开(公告)号：CN117926306A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311541959.1
申请日：2023-11-20
Applicant: 厦门大学
IPC: C25B11/031 , C25B11/052 , C25B11/061 , C25B11/063 , C25B11/075 , C25B11/089 , C25B1/04 , B82Y30/00 , C23C14/35 , C23C14/16 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种高效的非晶态Ni或NiM析氢电极及其制备方法，M＝Mo，Fe，或Co等。首先通过酸洗除去碳纸表面的氧化物层和油脂物质，然后通过磁控溅射的方式在预处理的基底上溅射非晶态Ni或NiM颗粒。相较于晶态Ni或NiM颗粒，(1)该非晶态Ni或NiM颗粒制备工艺极其简单；(2)该非晶态Ni或NiM颗粒具有更大的电化学活性面积，增大了反应位点和析氢活性；(3)同时，该非晶态Ni或NiM颗粒的自发氧化作用生成稳定的Ni/NiO异质结构或NiM/NiMO异质结构，增强析氢活性。本发明析氢电极可达到与Pt催化剂相媲美的析氢活性。本发明方工艺简单、生产成本低廉且适合大规模成产应用。采用该方法所制备的析氢催化活性电极，可广泛应用于碱性水电解工业。
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公开(公告)号：CN115627527A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211135585.9
申请日：2022-09-19
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种高饱和磁化强度锌掺杂镍铁氧体薄膜及其制备方法，涉及磁性半导体薄膜材料技术领域，方法包括如下步骤：将NiO、ZnO和Fe2O3多晶粉末混合，使用固体烧结法，获得圆片形锌掺杂镍铁氧体多晶靶材；在少量氧气存在的条件下，以所述锌掺杂镍铁氧体多晶靶为靶材，利用脉冲激光沉积法在MgAl2O4衬底上获得所述薄膜。本发明所制得的薄膜成分、厚度可控，具有绝缘亚铁磁性，其室温饱和磁化强度高达441.62emu/cm3，有助于指导制备具有室温亚铁磁性的铁氧体薄膜材料，有助于进一步推动自旋电子器件材料的发展。
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公开(公告)号：CN115403366A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202211019137.2
申请日：2022-08-24
Applicant: 厦门大学
IPC: C04B35/30 , C04B35/622 , H01F1/34 , H01F41/02
Abstract: 本发明公开了一种掺杂锂的镍锌铁氧体材料及其制备方法，本发明掺杂锂的镍锌铁氧体材料其化学式为Ni0.3LixZn0.7‑xFe2O4，其中x＝0.025～0.5，本发明方法以Ni0.3Zn0.7Fe2O4铁氧体为基础，通过Li+取代部分Zn2+以改善材料的磁性能。其制备方法为：先采用溶胶凝胶自蔓延燃烧法制备前驱体，经过预烧、研磨、成型和特定的烧结程序最终形成。本工艺可精确控制化学成分，操作简单，无废料污染问题，所得材料可以同时获得高磁导率和高饱和磁化强度，为功率电感器件提供关键材料，对进一步促进器件的小型化、集成化发展具有重要意义。
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公开(公告)号：CN114582710A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210157616.4
申请日：2022-02-21
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提供一种氧化镓深紫外透明电极的制备及其功函数调控的方法，包括如下步骤：(1)将高纯SiO2和Ga2O3粉末或SiO2、Ga2O3和In2O3粉末充分研磨后倒入等静压成型模具，压制成片状靶材；(2)压制好的靶材置于高温马弗炉内，通过固相烧结制备硅掺杂氧化镓或硅掺杂铟镓氧化物的多晶靶材；(3)在氧气条件下，利用脉冲激光沉积法在氧化铝衬底上生长(SixGa1‑x)2O3或(SixInyGa1‑x‑y)2O3薄膜，其中0.0001≤x≤0.05，0.01≤y≤0.2。本发明所制得的薄膜具有良好的导电性和深紫外透明性，满足深紫外透明电极的需求；同时采用氧化铝衬底，价格低廉，与现有的工业设备及技术兼容度高，可实现商业化生产；铟的引入能够增大薄膜材料的功函数，有效增强氧化镓半导体器件的欧姆接触。
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